SiH4＋CH4激光等离子体动力学时空特性

采用时间，空间分辨的等离子体光辐射诊断技术，研究了脉冲ＴＥＡＣＯ２激光诱发ＳｉＨ４＋ＣＨ４击穿产生的等离子体膨胀过程，得到不同空间位置，不同实验条件下等离子体发光的时间特性，证明了ＳｉＨ４＋ＣＨ４气体击穿产生爆燃波而后诱发激波是等离子体中基本宏观动力学过程，并在实验上分析了激波对等离体内化学反应的影响，为激光等离子体合成ＳｉＣ粉末微观反应动力学过程的研究提供了参考数据。     

激光法合成SiC粉末的机理研究

激光法合成ＳｉＣ粉末的机理研究韩理，于威，傅广生，张连水（河北大学物理系，保定０７１００２）采用强脉冲激光诱发等离子体化学反应制备固态材料是近几年发展起来的激光应用技术。本工作利用脉冲ＴＥＡＣＯＺ激光诱发ＳｉＨ４＋ＣＨ４等离子体气相反应合成了纳米级Ｓ...     

脉冲激光等离子体合成SiC陶瓷粉末过程研究

本文用强ＴＥＡＣＯ２脉冲激光诱发ＳｉＨ４＋ＣＨ４等离子体化学气相反应制备出纳来ＳｉＣ陶瓷粉末，分析并讨论了制备粉末材料的实验过程，得到了粉末合成的最佳工艺条件。     

C2H2／H2／SiH4等离子体聚合及其沉积物的结构与性能的研究

利用Ｃ２Ｈ２／Ｈ２／ＳｉＨ４混合单体等离子体聚合沉积在ＨＤＰＥ板表面制备薄膜，发现薄膜与ＨＤＰＥ粘接良好，Ｈ２使薄膜与基体附着性能提高但其沉积速率下降，而引入ＳｉＨ４则使薄膜的耐磨性能有较大的提高。ＩＲ和ＸＰＳ光谱表明：薄膜中含有较多的－ＯＨ，Ｏ－Ｃ，Ｃ－Ｓｉ和Ｓｉ－Ｏ基团，随着ＳｉＨ４／Ｈ２的增加薄膜中的Ｃ／Ｓｉ比可达１．２２２，说明产物的结构介于无机材料和有机物之间。     

激光诱导SiH4等离子体反应碎片的产生机制

本工作利用光学发射光谱技术对ＴＥＡＣＯ２激光诱导ＳｉＨ４等离子体反应碎片的时间特性进行了测量，分析了碎片的产生和反应机制。提出碎片Ｓｉ，Ｓｉ＾＋等主要为一级反应产物，Ｓｉ２，ＳｉＨ等主要为二级的产物的结论。对Ｓｉ３９０．６ｍｍ，ＳｉＨ４１２．８ｍｍ谱线随实验条件变化的测量，进一步验证了我们的结果。     

GexSi1—x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统。计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布，温度分析和反应气体浓度分布的变化。计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳＩ外延层中Ｓｉ，Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系。     

连续波1．94μm Tm∶CaY_4（SiO_4）_3O激光器

连续波１．９４μｍＴｍ∶ＣａＹ_４（ＳｉＯ_４）_３Ｏ激光器目前人们对二极管泵浦的２μｍ小型固体激光器的兴趣已经导致对新型激光晶体的广泛研究，这或许可以改进现行Ｔｍ３＋：ＹＡＧ，ＹＬＴ，或执拓榴石的激光性能。我们已生长两块Ｔｍ３＋：硅酸盐含氧磷灰石晶体?..     

脉冲CO_2激光制备纳米级SiC粉末

采用脉冲ＴＥＡＣＯ２激光诱发ＳＩＨ４＋ＣＨ４等离子体化学气相反应，合成了粒度分布均匀的纳米ＳｉＣ球型陶瓷粉末，采用傅里叶红外光谱、Ｘ射线衍射、元素分析、透射电子显微镜等多种技术对粉末性能进行了分析，利用光学发射谱技术对反应过程进行了初步研究。     

Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较．     

Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究

本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯（Ｃ２Ｈ４）作为Ｃ源在Ｓｉ（１００）衬底上生长Ｓｉ１ｘｙＧｅｘＣｙ合金薄膜的实验结果．经喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式Ｃ含量的Ｓｉ１ｘｙＧｅｘＣｙ合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的ＳｉＨ４／Ｃ２Ｈ４流量比有助于提高代位式Ｃ含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中的化学反应动力学     

低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。     

如何提高呼叫建立成功率

呼叫建立成功率是衡量一个网络质量的重要指标之一,所以想办法提高网络的呼叫建立成功率是非常重要的。 下面详细说明根据呼叫建立成功率计算公式分析可能原因,最后定位到哪套ＲＦ硬件问题。 一、呼叫建立成功率计算公式 Ｃａｌｌ_Ｓｅｔｕｐ_Ｓｕｃｃｅｓｓ_Ｒａｔｅ＝（ＴＯＴＡＬ_ＣＡＬＬＳ＋ＣＯＮＧＥＳＴ_ＡＳＳＩＧＮ　ＨＯ　ＳＵＣ）／（ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ＳＥＲＶ_ＲＥＱ_ＣＡＬＬ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ ＲＥＥＳＴＡＢＬＩＳＨ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ ＰＲＯＣ：ＰＡＧＥ_ ＲＥ-ＳＰＯＮＳＥ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ…     

Si上Si1—x—yGexCy三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究

本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯（Ｃ２Ｈ４）作为Ｃ源在Ｓｉ（１００）衬底上生长Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金薄膜的实验结果,经喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式Ｃ含量的Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的ＳｉＨ４／Ｃ２Ｈ４流量比有助于提高代位式Ｃ含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中化学反应动力     

SiCp/6061Al复合材料激光表面熔化及合金化显微组织与耐蚀性

为提高颗粒增强铝基复合材料耐蚀性，对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面熔化和激光表面合金化。结果表明：激光表面熔化后，因熔化层中形成大量耐蚀性低的针状Ａｌ_４Ｃ_３相及Ａｌ_４ＳｉＣ相而使激光表面熔化层耐蚀性降低，以Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ粉末为原料对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面合金化后，合金层耐蚀性明显提高。     

用SiH_4-N_2进行PECVD生长高质量SiN研究

用ＳｉＨ４┐Ｎ２进行ＰＥＣＶＤ生长高质量ＳｉＮ研究刘英坤李明月（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）１引言众所周知，氮化硅薄膜，尤其是低温等离子体淀积的氮化硅薄膜ＰＥＣＶＤ—ＳｉｘＮｙ，因其良好的物理化学性质和优越的制备工艺，在现代半导体器...     

激光辐照化学反应体系中磁场作用的实验探讨

本文观察到激光辐射溴与乙炔合成产物加溴的混合液（Ｃ２Ｈ２Ｂｒ２＋ＣＨＢｒ３＋Ｃ２Ｈ３Ｂｒ３＋ＣＢｒ４＋Ｃ２Ｈ２Ｂｒ４＋Ｂｒ２）在有无磁场存在时，各组份浓度出现不同的变化，对这种变化的原因进行了分析讨论。     

SiCp/6061Al金属基复合材料激光焊接研究

采用高能ＣＯ_２激光束对 ＳｉＣ颗粒增强 ６０６１铝基复合材料 ＳｉＣｐ／６０６１ＡＩＭＭＣ进行激光焊接、研究激光焊接工艺参数及填充材料对焊缝显微组织的影响。结果表明,对 ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光焊接,可以获得气孔很少、质量较高的焊接接头,但在激光直接熔化焊接焊缝中形成针状Ａｌ_４Ｃ_３脆性相,脆性相Ａｌ_４Ｃ_３的数量与尺寸随激光束功率密度增加而增大,随焊接速度增大而减少。激光焊接时加入０．３ｍｍ厚的金属钛片作为填充材料,在焊缝中形成ＴｉＣ增强相,从而抑制了脆性相Ａｌ_４Ｃ_３的形成。     

复合物p-C_6H_4F_2…NH_3(ND_3)外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物 ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２…ＮＨ_３（ＮＤ_３） 的共振双光子电离光谱．光谱分析表明。复合物分子间的伸缩振动频率为 ８６．４ ｃｍ~（－１）;由复合物的 光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键能的关系,获得了复合物电子激发态 Ｓ_１和基态 Ｓ_０的键能 信息．Ａｂ ｉｎｉｔｉｏ　计算表明,ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_５…ＮＨ_３（ＮＤ_３）复合物的几何结构是：ＮＨ_３分子中的 Ｎ 原子位于垂直于ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子环面的对称轴（Ｚ轴）上,距环面的高度为 ０．３５２ｎｍ; ＮＨ_３的 Ｃ_３轴与ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２的对称轴夹角是 ５２．５°;且一个氢原子朝向环面; ＮＨ_３可绕 Ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子 的Ｚ轴近似的自由转动．键能计算值和预计存在的内转动与实验吻合．     

紫(外)激光作用下Si(CH3)4的MPI与Si原子的共振电离

在紫（外）激光作用下,利用平行板电极装置及飞行时间（ＴＯＦ）质谱仪,研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子的多光子电离（ＭＰＩ）、多光子解离（ＭＰＤ）及由Ｓｉ（ＣＨ３）４解离产生的Ｓｉ原子的共振电离。得到了４０４－３７８ｎｍ内Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＭＰＩ光谱及某些波长点处的ＴＯＦ质谱。根据实验结果,讨论了Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＰＩ机理,得到了一些有意义的结论。     

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜