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与基于消息迭代的置信传播译码相比,线性规划(linear programming,LP)译码分析有限长LDPC码性能更为有效。然而,传统LP译码算法运算量非常大,不利于系统实现。本文结合LDPC码校验矩阵的特点,去掉传统LP译码中不必要的约束,得到一种低复杂度LP内点译码算法。为了降低译码延时,将LP内点译码算法与置信传播译码算法结合,提出LDPC码混合译码算法。仿真结果表明,混合译码算法的误码性能优于传统LP译码和BP译码算法,而译码延时低于传统LP译码。 相似文献
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采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si20)或O-Ge-O(Ge20)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关. 相似文献
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由于在一定码率范围均能获得良好的误码性能,码率兼容打孔LDPC(rate-compatible punctured LDPC,RCP-LDPC)码成为时变信道下优选编码方案。然而,与非打孔码相比,RCP-LDPC码的BP译码收敛速度太慢。为了提高译码收敛速度,提出一种基于打孔变量点分组优化和串行调度的BP译码算法。根据BP译码消息的可靠度对打孔变量点进行排序和分组,使其在译码时,按可靠度由高到低的次序依次更新各组变量点消息。仿真结果表明,当最大译码迭代次数较低时,本文方法的误码性能优于BP算法和随机分组洗牌BP算法。特别是当打孔比特较多时,性能改善越明显。 相似文献
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为了提高有限长LDPC码的打孔性能,提出一种码率兼容LDPC码的打孔算法.结合打孔变量点恢复树结构的特点,采用贪婪搜索算法逐级最大化k步可恢复节点的数量,以获得尽可能多的k值较小的k步可恢复节点,从而改善码率兼容系列子码的误码性能.针对随机构造和PEG构造下的LDPC码,验证了本文打孔算法的性能.仿真结果表明,本文方法生成的系列码率兼容子码的误码性能均优于随机打孔方法,特别是当子码的码率较高时,误码性能改善越明显. 相似文献
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报道了Si基Si1-x-yGexCy合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用,提出一个Si,Ge、C原子的排列构型,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。 相似文献
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α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究 总被引：3，自引：2，他引：1
本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域,即起始衰减区域和拖尾区域,分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下,加热样品至３００℃,光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化,对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样,发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升,停止光照,光电导锐利下降并出现振荡,表明光照停止后,载流子在导带和深陷阱能级的 相似文献
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GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究 总被引：5，自引：4，他引：1
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据 相似文献
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