超净技术

超大规模集成电路与大规模集成电路在结构及工艺方面没有多大差别,即使在制造技术上超大规模集成电路部分地采用了电子束曝光及干法工艺等新技术,但在制作方式上与大规模集成电路基本上没有什么不同。因此,在超大规模集成电路制作工艺过程中,所使用的净化间方面并不一定会出现特别新的问题,它与目前大规模集成电路制作工艺过程中所使用的净化间     

大规模集成电路中的互连问题和微波技术

本文叙述了大规模和超大规模集成电路中当电路规模和工作速度增加时的互连问题,此时互连系统中出现的波效应将十分明显,并将影响集成电路的电性能。为对这种效应进行估算并和集成电路的整体设计相配合,必须与微波理论和方法相结合,本文对这一领域的研究工作进行了概括性的评述。     

国外军用超大规模集成电路的应用与发展趋势

论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用.介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策.分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有更多质优价廉的民用集成电路产品适合军事装备的需要,民技军用是国外军用集成电路今后的发展趋势.     

超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展

论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”超大规模集成电路可靠性的发展提出了思路     

超大规模专用集成电路的研制

超大规模专用集成电路(ASIC)得到了广泛而重要的应用,如何提高ASIC研制成功率、降低成本、缩短研制周期,日益成为关注要点.为此,本文主要对超大规模专用集成电路的设计要点、电路仿真和芯片投产等进行介绍和探讨,以便对超大规模专用集成电路的研制有所帮助.     

LPCVD工艺—用20%、50%浓度的硅烷淀积多晶硅的工艺报告

很多年来,半导体工业上生产多晶硅、二氧化硅、氮化硅和无定型硅都是采用标准的常压冷壁化学汽相淀积技术.而在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路的发展和超大规模集成电路的出现,对用常压CVD制备的半导体膜和绝缘膜的要求越来越高,原来的常压CVD技术淀积方法已经不能满足这种要求,人们开始研究新的技术来满足电路对工艺的要求.     

加强知识产权保护促进集成电路设计产业健康发展

新世纪的集成电路产业正在以前所未有的速度发展，SoC逐渐成为国际超大规模集成电路的发展趋势和主流。SoC在提出众多技术挑战的同时，也为集成电路工业，特别是集成电路设计业带来了不可多得的发展机遇。世界发达国家面对SoC带来的挑战和机遇无不在积极努力地寻找对策，以期在新一轮的产业重组中占据有利的战略地位。我国的集成电路制造业正在迎接一个空前的发展高潮，长期制约我国集成电路工业发展的芯片制造问题得到了很大程度上的缓解。在国务院国发(2000)18号文件的精神鼓舞下，集成电路设计业方兴未艾，如火如荼。一批拥有相当实力…     

国外超大规模集成电路的生产状况

介绍了国外超大规模集成电路的发展趋势,列举了21世纪需要研究的7类集成电路新技术。阐述了超大规模集成电路在武器装备中的作用,美、欧、日、韩今后的发展对策及其集成电路生产厂的主流产品与生产状况。     

新型传感器讲座 第二讲 新颖半导体力敏传感器

力敏器件,主要是指用来测量力、压力、速度、加速度、位移、振动等物理量的敏感器件.因这些测量都与机械应力相关,所以通称为力敏器件,并把封装成为一个整体的称为力敏传感器. 人们对力敏器件的研究已有悠久的历史,经过几十年的发展,已奠定了雄厚的技术和工业基础.但随着近几年现代信息科学的迅猛发展,特别是大规模和超大规模集成电路的发展以及微处理机的问世,原有     

洁净室设计和运行的节能

洁净室技术是近半个世纪发展起来的一门新兴的综合技术、随着经济的发展它已成为电子、宇航、精密机械、化工、制药、医疗、食品等各个部门及高科技产业发展不可缺少的条件之一。特别是电子工业,近十年来,先进国家电子工业发展非常快,每三年集成电路的集成度就要翻两番。自1978年256K超大规模集成电路问世以来到现在1M、4M、16M甚至64M的随机存储器相继出现,这样的发展速度对洁净技术发展提出了更高更精的要求,不仅控制粒径从0.5μm缩小到0.3μm,     

一九八五年微电子技术的进展

1948年晶体管问世,促进了微电于技术的发展.十年后集成电路出现,微电子技术进入了新阶段.此后,这种技术稳步发展,进入八十年代后其速度更是迅猛异常.集成电路由小规模、中规模发展到大规模以至超大规模.微型机的发展日新月异.一些固体器件达到了前所未有的高性能指标.这些进展的取得是以微电子技术新工艺、新设备、新材料的开发、应用为基础的.在以新工作机理为基础的微电子器件的研究方面也不断取得新成果.     

VLSI工艺发展现状点滴

随着MOS工艺向超大规模集成电路方向的迅速发展,VLSI的集成度七十年代约每年提高1倍,八十年代预测约2年提高1倍。 在此情况下,原先应用的某些常规工艺或在近来一个时期内出现的某些工艺已渐渐地与超大规模集成电路的发展不相适应了。影响电路集成度、复杂性及电路性能的材料、加工工     

国外半导体研制现状和开发课题

众所周知,半导体、计算机和信息通信构成了当代电子学的三大支柱。其中,半导体起着举足轻重的作用。 自集成电路出现以来,约每隔五年其集成规模由小规模分别达到了中规模、大规模和超大规模水平。尤其是,自1970年1K大规模出现以来其集成规模每一年约翻一番。这种发展速度也是前所未有的。从集成电路的发展可以看出,半导体在小功率方面,由晶体管分立器件向材料器件一体化的集成电路,进而向分系统的大规模,今后继续向硬件、软件一体化的超大规模方向发展。 随着微波通讯在民用化方面的发展,应用范围只限于军事方面的那些半导体微波器件更加受到重视。在此,所用材料大体以砷化镓为     

VLSI用硅化钽的淀积及腐蚀技术

在超大规模集成电路中,为了使器件(元件)尺寸微细化,就必须减少引线的宽度和厚度。器件尺寸微细化带来的引线电阻值的增加将造成RC时间常数的增加,从而使电路的工作速度降低,对超大规模集成电     

相容器件技术与优值型集成电路

相容器件技术的出现是固体集成电子学发展的必然结果,随着集成电路向超大规模集成、超高速、微功耗和多功能化的发展,人们越来越感到使用单一有源器件难以达到预期的目的。 在向超大规模集成电路的发展过程中,“系统集成”的概念正在兴起,“系     

下一代集成电路器件和157 nm的曝光方法

近年来的半导体集成电路的发展十分惊人,称这种集成电路为现在的集成化电子系统是很合适的.这就是所谓的系统LSE.其系统规模从大规模集成电路(LSI)向甚大规模集成电路(VLSI)扩大,并且器件数量向超过100万个的超大规模集成电路(ULSI)方向发展.21世纪初,ULSI系统本身就是电子仪器系统.可以说,它的发展给社会带来很大影响,以至出现了高速信息化社会.     

硅集成系统设计导论

一、超大规模集成(VLSI)特点及能力1.集成度与计算能力自1959年世界上第一块半导体硅集成电路研制成功以来,集成电路以其极高的性能价格比,受到工业界及学术界极端的重视,实现了人类历史上最为迅速的技术发展.衡量一个集成电路技术进步的主要标志是集成度.所谓集成度是指每一个硅芯片上所集成的品体管的数目.集成度的提高使集成电路的功能增强,单位功能的成本降低,电路速度提高,功耗下降,可靠性提高.这些优点恰恰就是集成电路发明的驱动力,是分立元件组成的电路发展到集成电路的根本原因.数字集成电路的主要应用是数字信号处理.一般用信息吞吐率     

硅超大规模集成电路技术和发展

本文介绍了国际上硅超大规模集成电路技术和产品的发展状况,阐述了硅超大规模集成电路关键技术和产品特点及其发展趋势,对我国集成电路同行将起借鉴作用。     

新书介绍

日文《超大规模集成电路时代的等离子化学》一书,由日刊《电子材料》编辑部编,日本工业调查会发行,全书共224页。等离子化学已成为全干法化制作超大规模集成电路和制作非结晶形材料不可缺少的技术,本书详细地介绍了等离子化学的基础、原理、应用和引入方面的主要问题。全书共十三章,它们是: 第1章 等离子化学的基础; 第2章 等离子体的状态与等离子化学反应;     

超大规模集成电路的发展特点

目前半导体集成电路,主要是数字电路,正在向超大规模方向迅猛发展,其主要的趋势就是:高集成密度、高工作速度、低的功耗以及多功能。