RAM掉电保护电路

计算机系统中的RAM必须始终接上电源,否则它存储的数据就会丢失,因此电源的任何中断(掉电)都将是灾难性的。为了保护RAM存储的数据任何时候都不致丢失,通常用电池作为备用电源。当取自市电的电源电压因停电而中断供电时,电池就立即取而代之,保证对RAM持续供电。 在系统中接入备用电池的方法有许多种,本电路采用专用集成电路ICL7673CPA(IC1)来实现掉电时的电源转换,并可提供状态(SATUS)输出信号以驱动掉电指示电路     

数字存贮示波器(下)

下面介绍SS1型数字存贮示波器,这种示波器采用随机存取存贮器(RAM),将模拟信号经A/D变换变成数字量存贮在RAM中,需要时再将此数字量调出经D/A变换后重新变成模拟置显示在屏幕上.该示波器具有双通道输入,最高灵敏度为1mV/格,其A/D变换的最快速度为2μs/字,存贮容量为1K×8,它的特点是: 1.具有正负触发延迟,其延迟且可在O~gdiv间自由选择,故能灵活地捕捉与保存触发前、后的快速瞬变波形。 2.存贮波形在观测过程中只要     

采用冗余技术的100ns64K动态RAM

本文报道的64K×1动态RAM,是一种具有容错电路、重复信号共用读出放大器叠位线结构、高速串行数据输出、以及不使用管脚1来控制的芯片刷新电路等特点的动态RAM。这种集成电路芯片结构兼备有功率因素重复自举时钟脉冲电路,它能在100ns的典型存取时间和150ns周期时间下工作,而备用功率保持在10mW。     

非挥发RAM控制器DS1212

DS1212是CMOS器件。它的功能是一般CMOSRAM转换成非挥发RAM,最多可以控制16片。它监控输入的电源电压,当电源掉电超过允差时,开关自动切换,RAM由备用电池供电,并完成写保护。采用低泄漏的CMOS工艺的特殊电路,使精密电压检测耗电极低。 在使用DS1212时,需配两个锂电池(备用电池)。     

ISD1400系列单片永久性语音录放电路

美国信息存贮器件公司ISD1400系列单片语音录放电路采用在E2PROM中直接模拟量存贮技术(DAST)省去数字存贮器.数据转换及备用电源等外围电赂,具有低功耗、零功率存贮信息、无需编辑开发机、高保真语音录放等特点。本文着重阐述ISD1420的原理及分段应用。     

东芝公司开始出售两种16K位静态RAM

日本东京芝浦电气公司开始出售两种16K位静态RAM,它们是存取时间为150毫微秒的TMM2016P和存取时间为100毫微秒的TMM2016P-1。其结构是2,048字×8位,其功能和引线配置与标准型相同,即考虑到与EPROM的引线的互换性,采用完全静态型的备用方式的24条腿     

采用鉬——多晶硅工艺的256K RAMNTT武藏野电气通讯实验室

本文介绍采用钼—多晶硅工艺的256K动态RAM。发展了包括电子束直接描绘和干法腐蚀工艺的1微米工艺技术。此外,利用作在同一片子上的电可编程序多晶硅电阻器,RAM设计成容(?)(?)。 电路的方框图显示在图1,每个128K方框包括2个64K位的基本单元和大约2K位的备用单元以及一个空读出电路。 备用单元连接到4对备用位线和两对备用字线。因为每对备用位线需要一个附加的读出放大器,所以每个方框里包括516个放大器。放大器包括能够得到高再生电压的耦合电容。放大器电路和工作波形示于图2,放大器以时钟φ_(D1)启动检测信号,以φ_(D2)     

抗震战术计算机

据AITECH,Herzelia,Isreal报道:500序列战场UNIX(多用户分时系统)战术计算机使用一台Motorola 6800微处理机,能提供多达128kB(千字节)的PROM或E-PROM以及64kB的静态CMOS RAM,还能提供多达1MB(兆字节)的静态RAM或2MB的EPROM。该系统耗电量小于150瓦,并且在中央处理机中有备用蓄电池。该系统能与UNIXV、Ada语言及其它军用语言兼容。该机是用1/2ATR熔模铸造的铅壳和惰性气体     

掺杂高温多晶硅和低温多晶硅的氧化

引言 在双极型半导体集成电路和MOS集成电路中,CVD多晶硅膜广泛用作隔离、互连引线、硅栅、钝化等工艺,近年来采用双层多晶硅工艺的16k以上RAM及BoMos (1)（掩埋氧化物MOS）中的源、漏区、则代表了多晶硅在LSI中新的应用。特别是用作互连引线及双层多晶硅中的多晶硅,必须进行多晶硅氧化,以提供电绝缘,就要求多晶硅氧化层是一层可靠的、电导率低的绝缘材料通常,用作硅栅的多晶硅膜在700℃左右温度下淀积,我们把它称作低温多晶硅。而应用于BoMoS中作源、漏的多晶硅膜是在高     

单板机地址自动递增装置

单板机(如TP-801)在向内存贮器送入机器码的过程中,存贮单元地址的增加是依靠手动完成的,即在每输入一个字节之后,就需要按动一次NEXT键,以实现地址数目的加一。在检查已写入内贮(ROM或RAM)中的程序时,也需要连续地按动NEXT键,这种手动操作既费时又易出错。我们采用本附加装置,就可以省掉NEXT键的操作。     

元器件之窗

DS1260智能电池由电池控制器与3V锂电池组成。它的特点是,密封式锂电池储存时间可达十年以上;电池的容量有三种:250mAH、500mAH及1000mAH,输出电压为3V;它有标准16脚DIP插座。在电池用完后,可将控制器DS1260拔下,便于更换;备用电池将用完时可输出报警信号。 DS1260智能电池可用作计算机、单片机系统及仪器仪表的备用电池。当主电源掉电时,它可以向一般的RAM供电而成为非挥发RAM或向CMOS器件供电。它有三种不同的电池容量可供用户选择。     

静态RAM

Vitelic公司研制的V62C64是一种低功耗的、结构形式为8k×8bit的CMOS静态RAM,其引脚与工业标准器件兼容。该RAM的标准存取时间为150毫微秒,工作期间的功耗为175mW,在数据保持方式时的功耗为4μW。该数据保持方式在需要备用电池的应用中是有用的。该RAM用了4个晶体管元件,并被做成一个SO组件或24腿DIP。每100个的价格为:4.66美元(DIP);4.86美元(SO组件)。     

国外光盘技术的研究和发展(下)

许多计算机用户和商业应用不需要上述应用的大容量,一般12in～14in直径的单个光盘即能满足要求。早期商业发展的光存系统多为自动文档存贮之类的应用,比特误差率要求较低。1981年,东芝首先在美国全国计算机学会上展示了它研制的Tosfile 2000型光学贮存器系统,一张30cm直径的光盘可以存贮10000页数字化文件。1982年,改进型Tosfile 2100型光存系统上市,成为世界上第一个首先商品化的光存贮系统,单面光盘可贮存A4格式文件10000页,比特误差率10-4(文件贮存应用的下限)。     

星座卫星移动通信系统的成本分析与比较

本文在对星座卫星通信系统的成本进行分解的基础上,参照Globalstar、Odysssey和INMARSAT 3个系统的功率等参数来估算出56颗星(包括备用星)的LEO系统、15颗星(包括备用星)的MEO系统和4颗星(包括备用星)的GEO系统作为全球系统时的空间段、地面段及系统总成本。通过估算得出LEO系统总成本约是GEO(MEO)系统的2.5(1.6)倍。     

引线电镀新工艺及其可焊性剖析

一、前言电子元器件引线可焊性是当前电子行业十分关注的质量问题。提高引线可焊性,并能在相当长(1～2年)的存贮期后,仍能保持高速度成批焊接到印刷电路板上的可靠性,就需要引线具有瞬间锡焊性能,这是元器件厂和引线材料生产厂正在研究解决的一个重要课题。在不断实践的基础上,我们经过三年多的试验和努力,在改进引线镀层质量,提高可焊性的前提下,围绕着镀层厚度和均匀方面,由热镀复过渡到电镀工艺。在镀层材料选择方面,由纯锡改进为锡铅合金。本文就阻容元件引线光亮连续电镀SnPb工艺及其对可焊性的影响,做了各种试验、分析和测试,从而确立了电镀新工艺,实现了这一生产技术革新改造,为提高引线可焊性创立了条件。     

500兆赫50瓦10分贝功率增益硅高频功率晶体管(二)

1.带有集成引线的MOM晶体管 (1)器件结构只有妥善地权衡如下的器件设计参数才能达到在500兆赫下输出50瓦,功率增益为10分贝,效率为50％的设计指标;即需要考虑电流容量,减少寄生元件和发射极引线电感,降低     

用单板机采集多个开关量的检测系统

出于某科研项目的要求,需要对一系列(48个)开关量进行检测,并存贮开关状态及其相应的翻转时间,以便打印。现将这套检测系统的硬件及软件介绍如下。(一)系统方框图     

美国空用显示硬设备的研制近况

本文讨论了硬设备的各种折衷设计,以便满足各种阴极射线管(CRT)机舱显示系统的不同需要。为了显示雷达、电视、红外、姿态、火控、飞行控制以及其它各种飞机系统的不同数据格式,多模式显示系统中采用了笔划和光栅两种技术。这些显示要求被转换成对CRT、荧光层滤光镜、高压、视频、偏转和符号产生器的要求。在进行各种折衷考虑时,考虑的重点是功率和热因素。产生的数字符号是按硬设备的功能、速度和存贮容量而定.     

语言处理器T6668在电话报警系统中的应用

本文介绍语言处理器 T6668在电话语言报警系统中的应用。该系统实现了在防范区域内任一目标发现情况,电话机能自动拨号,若遇占线(忙音),经判断后,能自动再拨号,直至接通为止,然后,T6668语言处理系统用原始存贮在 RAM 中的语言,通过电话线向     

单5伏64K动态RAM

本文介绍用于大型机和小型计算机的65,635字×1位动态RAM。 该器件(16条引线)以5伏单电源工作,与TTL相容,并能承受从-1伏到+7伏的直流输入电平(在交流瞬态可超过此范围)。V_(ss)电源和衬底偏压都用系统的地。同期时间250ns时,64KRAM取数时间为100-150ns,功耗(极坏情况)<200mW。