三相智能电表内部构造原理浅析

本文论述了基于ATT7022A电能计量芯片的三相智能电表的内部组成和构造,结合电路图重点描述了ATT7022A的各管脚功能定义、连接方式及前端电压电流采样电路原理。     

高压CMOS倒相器

本文介绍一种由高压PMOS器件作负载管和高压NMOS器件作驱动管的高压CMOS倒相器.这种倒相器的输入信号与TTL电平兼容,在50pf的负载下能成功地产生200V、1MH_z的高压脉冲,并能直接驱动等离子显示板或作高压功率开关.     

高压集成电路技术的趋向

人们对于扩展集成电路电压范围以寻求在电信、显示、汽车、电视和马达控制市场的应用表现出相当大的兴趣和努力。探讨途径是从设计新的工艺结构象各种双极MOS结合到用已有的工艺实现新的器件结构。除需要新的器件和工艺结合外,高压器件例如金属化,钝化和封装个别工艺步骤的可靠性提出新的要求。标准电路的典型工作电压在过去的运用中很少超过50伏,但现在产品研制工作目标超过600伏。     

扭摆式微硅隧道加速度传感器

本文介绍了扭摆式隧道加速度传感器的结构、工作原理、简化的力学模型,设计了版图、工艺流程及关键工艺,并制备出样品,最后给出测试电路和结果。     

一种新颖的高可靠电路结构——双栅高压MOS电路

随着功率半导体技术的日益发展,功率半导体器件和电路的应用领域也愈来愈广阔,例如等离子显示,马达驱动、通讯及家用电器等.因此对功率半导体器件的电流要求愈来愈大,对器件的可靠性要求也更高.如何实现大电流的要求,主要方法是增加功率MOS器件的宽长比或重复单元来实现,如何有效地抑制二次击穿,提高器件的可靠性,就是本文作的尝试.我们采用双栅结构制备高压MOS电路获得较满意的结果.一、双栅高压MOS电路特点及工作原理常规的单栅MOS高压电路结构如图1所     

硅尖阵列二极管性能的研究

简述了真空微二极管的结构参数设计考虑、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同温度下的Ｆ－Ｎ曲线及湿法腐蚀制备硅尖的开貌。该微二极管转换电压为２伏左右，发射锥尖电流为５μＡ／锥尖。     

Action多媒体创作工具的特点和应用技巧

一、前言 多媒体产业将会成为21世纪初最大的产业,且多媒体软件产业将逐步超过硬件产业。这些已被越来越多的人所认识。如何发挥人才优势,抓住机遇,发展我国的多媒体软件信息产业,是一项很值得研究的课题。而多媒体软件应用开发涉     

采用SDB／SOI衬底的PH传感器

采用SDB/SOI材料制备的ISFET型 PH传感器减小了衬底漏电流,改善了PH传感器的温漂时漂等特性。本文提出的结构对PH传感器的实用化是引人注目的。     

采用LDMOS的HVIC的研究

LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入