SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

宁波GSM系统LAC调整方案

宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,…     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

五品牌手机生产日期轻松辨

爱立信（ＥＲＩＣＳＳＯＮ） 输入（右*左*左*左*）后会显示： ＡＢＣＤＥＦ ＧＨＩＪ ＰＲＧＸＸＸＸＸＸＸＸＸ ＡＢＣＤＥＦ为年、月、日（ＹＹ／ＭＭ／ＤＤ） 诺基亚（ＮＯＫＩＡ） 输入*＃０００＃显示： ＶＸＸ·ＸＸ为软件版本, ＤＤ－ＭＭ－ＹＹ为生产日期（日－月－年）, ＮＸＸ－Ｘ为手机型号：如３３１０为ＮＨＭ－５。 摩托罗拉（ ＭＯＴＯＲＯＬＡ） 查ＭＳＮ（在手机标贴上）内容,ＭＳＮ长度为十位： ＡＡＡ－Ｂ－ＣＣ－ＤＤＤＤ ＡＡＡ为型号代码（Ａ７４－ Ｃｄ９２０／９２８, Ａ８４ ２０００）; Ｂ为产地代码（２－…     

GaAs表面及AlxGa1—xAs／GaAsHBT外基区表面（NH4）2S／SiNx钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构ＣＶ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性，在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理，ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶ     

C波段16W内匹配GaAs功率MESFET

Ｃ波段１６Ｗ内匹配ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ傅炜（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１２月２日收到ＡＣ－Ｂａｎｄ１６ＷＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＰｏｗｅｒＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ￥ＦｕＷｅｉ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅ...     

单片六声道DAC PCM1600Y在多声道解码系统中的应用

１ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性ＰＣＭ１６００Ｙ是美国Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司于１９９９年１０月正式宣布推出的高性能单片六声道音频ＤＡＣ,广泛用于Ａ级ＤＯＬＢＹ－ＤＩＧＩＴＡＬ解码器、ＤＴＳ解码器、数字ＡＶ功放、带ＡＣ－３,ＤＴＳ,ＭＰＥＧ多声道音频解码的ＤＶＤ、ＤＶＢ等领域。ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性包括：２４ｂｉｔ分辨率可接受１６／１８／２０／２４ｂｉｔ字长的输入音频数据动态性能优异（Ｖ_ｃｃ＝５Ｖ时）动态范围ＤＲ：１０５ｄＢ（典型值）信噪比ＳＮＲ：１０５ｄＢ（典型值）ＴＨＤ＋Ｎ：０．００１５％…     

HBT电压控制振荡器的相位噪声

研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原因,提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

IDTV,EDTV和HDTV电视技术的进化（四）

ＩＤＴＶ、ＥＤＴＶ和ＨＤＴＶ—电视技术的进化（四）张存桢六、ＧＡＨＤＴＶ系统的信源编码ＧＡＨＤＴＶ系统的视频压缩编码方案是在力求与ＭＰＥＧ－２兼容的指导思想下制订的。它们共同的核心技术可归结为：ＭＣ＋ＤＣＴ＋Ｑ＋ＶＬＣ＋Ｂｕｆｅｒｃｏｎｔｒｏｌ式中每...     

超高分辨率TFT-LCD监视器

分辨率高达２００ｄｐｉ（每英寸点数）的超高精细ＴＦＴ－ＬＣＤ监视器已出台。显示器是１６型（４１ｃｍ对角线）ＱＳＸＧＡ级（２５６０×２０４８×Ｒ·Ｇ·Ｂ色像素）。亮度达１５０～２００ｃｄ／ｍ２。显示板由四个驱动ＬＳＩ电路驱动,该技术也将用于２０．８型ＱＸＧＡ级ＴＦＴ－ＬＣＤ监视器,估计１９９９年底量产。超高分辨率TFT-LCD监视器@贾正根     

共束声光可调滤光器研究

声光可调滤光器（ＡＯＴＦ）具有独特的光波长调谐功能，可望用于光通信的波分复用（ＷＤＭ）技术。而共束声光滤光器（ＣＢ－ＡＯＴＦ）兼顾了共线和非共线ＡＯＴＦ的优点。给出ＣＢ－ＡＯＴＦ的工作原理和设计方法。获得了在２０ｍＷ下９８％的衍射效率，旁瓣抑制优于３３ｄＢ和线宽０．８ｎｍ的结果。     

CATV的干放电源

ＣＡＴＶ的干放电源张全健文在大型ＣＡＴＶ系统中，常采用导频信号作为自动增益控制（ＡＧＣ）或自动电平控制（ＡＬＣ）、自动斜率控制（ＡＳＣ）的基准信号，修正干线电平，稳定放大器输出，使放大器工作于线性区域。对中小型ＣＡＴ－Ｖ系统，采用各种自动控制设施固然...     

C波段GaAs FET VCO设计的一种方法

在小信号Ｓ参数基础上，提出了一种宽带优化方法，设计了宽调谐、低相噪ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ。用该方法设计的Ｃ波段ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ用变容二级管调谐，其电压调谐范围在０～１５Ｖ，在调谐带宽为５００ＭＨｚ范围内ＶＣＯ的调谐线性度为１：１．５，带内相位噪声优于－８２ｄＢｃ（偏离１００ｋＨｚ处）输出功率大于２０ｍＷ，功率起伏小于±１ｄＢ。     

简析CATV机上变换器设置AGC功能的必要性

简析ＣＡＴＶ机上变换器设置ＡＧＣ功能的必要性华龄电子（深圳）有限公司工程部毛皖敏美国联邦通信委员会（ＦＣＣ）１９９０年曾明文规定：机上变换器的输出电平不得大于７５．５６ｄＢμｖ，为此，在机上变换器输入端设置ＡＧＣ控制是必要的。分析表明，设置ＡＧＣ，能...     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

S12用户交换机统计方法的比较

对用户交换机进行详细的话务统计和分析可以帮助提高用户交换机的维护质量 ,提高全网接通率。下面结合实际对Ｓ１２用户交换机统计的方法进行比较。１一般统计（ＧＥＮＥＲＡＬＳＴＡＴＩＣＴＩＳ）采用一般统计法对Ｓ１２用户交换机进行统计 ,可分为两种方法。（１）对非商业性用户交换机群的一般统计（ＣＯＵＮＴＥＲＳＰＥＲＮＯＮＢＵＳＩＮＥＳＳＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＧＲＯＵＰＰＡＢＸ）这种方法使用的计数器有 :１２２６:ＴＥＲＭＡＴＴ-ＰＢＸＧ１２２８:ＴＥＲＭＣＯＮＧ -ＰＢＸＧ１２４０:ＴＥＲＭ -ＯＣＣ -ＰＢＸＧ１２…     

DVB-T联合专利使用许可计划启动

ＭＰＥＧ　ＬＡ公司最近宣布启动一项新的许可计划,即ＤＶＢ　ＬＡＳＭ,以联合发放称为ＤＶＢ－Ｔ的地面数字电视标准必不可少的各项专利的使用许可证（见ｈｔｔｐ：　　ｗｗｗ．ｄｖｂｌａ．ｃｏｍ）。ＤＶＢ－Ｔ作为数字开路电视传输标准,在欧洲、印度、新加坡、澳大利亚、新西兰等地得到采用。在ＤＶＢ－Ｔ成批专利使用许可证中,各项必要专利的持有者为法国电信公司（Ｔ　ｌ　ｃｏｍ）、松下电气产业有限公司（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ）、荷兰皇家飞利浦电子公司、美国飞利浦公司和日本胜利有限公司（ＪＶＣ）。　　　　“ＤＶＢ　ＬＡＳ…     

集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f＿（max）、f＿T的双异质结双极晶体管

本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉ＿ｃ和集电极－发射极问电压Ｖ＿ＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高性能。结果表明，减小发射极宽度比减其长度能更有效地提高，０．８μｍ发射极金属条宽的ＤＨＢＴ在Ｉ＿ｃ＝４ｍＡ的小电流时，具有超出超高的ｆ＿（ｍａｘ）和ｆ＿Ｔ，其数值分别为２６７ＧＨｚ和１４４ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）的增加归结为基区电阻和降低了的Ｂｃ结电容乘积的降低。     

20Gbit／s HBT调制器驱动IC

２０Ｇｂｉｔ／ｓ　ＨＢＴ调制器驱动ＩＣ据《ＮＥＣ技报》１９９５年第５期报道，ＮＥＣ公司新开发的ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ，应用于２０Ｇｂｉｔ光调制器驱动ＩＣ中，获得了良好的超高速和高压输出性能。在ＩＣ制作中，ＮＥＣ采用了独特的异质护环ＨＧ－ＦＳＴ工...