基于高速忆阻的超宽带信号电路

基于高速忆阻器件中拟合出的实验模型,构建SPICE模型,仿真了其忆阻特性,并利用这种高速忆阻器件设计了超宽带信号电路,模拟出了基于该忆阻模型的超宽带信号电路的频谱特性。结果表明其输出信号具有超过2GHz的带宽,该模型电路拓宽了超宽带的应用,具有较大的实用性。     

WFQ流量调度算法研究

高速包交换电路常常需要为各种不同要求的服务公平地分配带宽,在公平分配带宽的同时还需要满足这些服务的服务质量(QoS)参数.不同QoS需求的业务将被复用到同一条输出链路上,要为它们公平地分配带宽就需要用到各种各样的流量调度算法.加权公平队列(WFQ)是一种常用的流量调度算法.它不仅能保证带宽分配的公平性,而且具有较好的时延性能.文章较为详细地讨论了WFQ算法的基本原理.     

光电导探测器的响应时间与微变等效电路

为了研究光电导探测器对高频光信号的响应特性,分析了光电导探测器响应时间的物理机理,应用解析方法推导出了它的响应时间表达式及其适用条件,建立了光电导探测器的微变等效电路模型,测试了CdSe光电导探测器在不同外接负载电阻条件下的响应时间参数。实验表明:在照度小于103lx范围内,CdSe光电导探测器的响应时间平均值为5.4ms,与外接负载电阻的阻值无关。研究表明:线性光电导探测器的响应时间由半导体材料内部的微观结构决定;探测器可等效为恒流源和光电阻的并联;外接输出电路时,其总的响应时间与探测器的响应时间和光电检测电路的时间常数两个参数有关,一般应用中可近似取为探测器的响应时间。     

恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运放设计

设计了一种新型的低电压低功耗且跨导恒定的Rail-to-Rail CMOS运算放大器,输入级采用改进的最大电流选择电路结构,输出级采用推挽输出结构,其输入输出摆幅均为Rail-to-Rail,工作电压为±1.5V.整个电路采用BSM30.5μm CMOS工艺模型参数进行了HSPICE仿真,静态功耗仅为0.5mW,当电路驱动20pF的电容负载时,电路的直流增益达到78dB,单位增益带宽达到470MHz,相位裕度为59°.     

高速ADC中折叠电路的改进

针对8bit 125Ms/s折叠插值A/D转换器芯片设计,文中提出了一种新的折叠波产生算法,在低压设计中节省了电压设计余度.折叠电路的尾电流源采用低压宽摆幅的共源共栅结构,使差分对的尾电流源更匹配,改善了整个A/D转换器的非线性;折叠电路输出端采用跨阻放大器输出,提高了折叠电路输出端的带宽;采用共模反馈电路,使折叠输出的共模点更稳定,减小了折叠波的过零点失真.整个电路采用2.5V低电压设计,UMC 0.25μm的工艺模型参数,用Hspice对A/D电路进行模拟验证.结果表明,此电路取得了预期结果.     

考虑增益饱和及寄生参数的LD的模拟分析

基于包含增益饱和项的半导体激光器速率方程,分析了增益饱和因子和寄生参数对DFB激光器的动态特性的影响.建立了激光器用于数值计算的Simulink模型,对激光器的调制响应进行了数值分析;结合电子电路的特点,建立了一种考虑寄生参量的小信号等效电路模型,该模型将速率方程表征为由线性电路元件组成的电路模型;采用Matlab和PSpice两种软件模拟了该激光器的调制响应.结果表明张弛振荡频率和调制带宽随偏置电流的增加而增加,而增益饱和因子和寄生参数的存在使谐振频率衰减和带宽降低,同时也证明了所建模型的准确性和适用性.为改善DFB激光器的动态特性及优化设计器件结构参数提供了理论依据.     

模拟相乘器的实用化动态宏模型

本文提出了一个能在SPICE通用电路分析程序上运行的模拟相乘器的实用化动态宏模型.较好地模拟了相乘器的3dB小信号带宽、矢量误差、上升速率、满功率响应、输入输出阻抗等动态参数.     

正确测量转换速率

转换速率(Slew rate)限定一个放大器输出偏移的最大比率.它确定不失真带宽(ADC驱动电路的一个重要参数)的极限.转换速率还影响DAC输出级、滤波器、视频放大器以及数据采集器可能达到的性能.如果你的电路性能依赖这一参数,你就必须通过测量来验证放大器的转换速率.     

基于光电二极管反偏的光电检测电路的噪声分析

噪声性能是限制光电检测电路探测能力的重要因素,针对这个问题,设计了基于光电二极管反偏的光电检测电路并分析其电路噪声,分析噪声时,创新性地从光电检测电路结构出发,将整个电路等效为光电二极管、晶体三极管、运算放大器三个级联模块,详尽分析了每个模块的噪声来源及其相关因素,计算每个模块的输出噪声,最终得出整个电路的输出噪声电压模型。根据输出噪声电压模型,确定了电路的各项参数,预估电路的输出噪声电压,最后,搭建实际电路,测量电路的噪声性能,验证了输出噪声电压模型的准确性,实现低噪声光电检测电路的设计。     

星载高速跨阻放大器电离总剂量效应研究

为得到卫星搭载的高速跨阻运算放大器在星载环境中长时间工作后的性能变化情况,对3款增益带宽积大于1GHz的高速跨阻放大器芯片关键特征参数的电离总剂量损伤特性及变化规律进行了试验研究。辐照试验在⁶⁰Co γ射线源上采用高温加速评估的方法完成,辐照到放大器芯片上的剂量率为0.3~0.5Gy(Si)/s。分析了放大器芯片输出偏置、输出噪声和带宽等关键电参数在辐照前后及高温(85℃±6℃)退火前后的特性,讨论了引起电参数变化的机理。结果表明,经过两轮150Gy(Si)剂量辐照及高温退火后,放大器芯片的输出偏置和输出噪声水平无明显变化,时域脉冲响应正常,-3dB带宽减小了3%左右。带宽为3款高速跨阻放大器芯片的辐射敏感参数,其变化与电离辐射在SiO₂/Si界面引起正电荷建立和界面态直接相关。辐照后的芯片仍然能够满足高带宽测试情况下的需求,150Gy(Si)为电参数和功能合格的累积剂量。     

低插损极窄带声表面波滤波器设计

利用集总参数等效电路模型计算了声表面波双模耦合谐振滤波器的频响．通过改变谐振器各个参量使滤波器指标满足要求．在ＳＴ石英基片上成功研制出中心频率２２８ＭＨｚ，△ｆ－３ｄＢ＝１５０ｋＨｚ，插损为３ｄＢ，阻带抑制小于－５０ｄＢ的铁路专用寻呼机用滤波器。理论计算与实验结果一致。     

可变增益宽带低噪声中频放大器

本文描述了利用双栅MESFET作宽带可变增益放大器的原理.业已制成的二级级联放大器,利用双栅MESFET控制,在20MHz带宽内(1dB带宽)增益可从6～36dB连续变化,而其输出的中心频率和通带特性保持不变.     

20 GHz bandwidth low-noise HEMT preamplifier for optical receivers

A broadband, low-noise HEMT preamplifier is designed for very high-speed fibre-optic transmission systems. A 20 GHz 3 dB down bandwidth and 7.6 pA/√(Hz) averaged input equivalent noise current density from 100 MHz to 18 GHz are achieved using inductor peaking techniques and low stray capacitance chip resistors     

基于LTCC的超宽带巴伦滤波器小型化设计

该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化超宽带巴伦(Balun)滤波器。该巴伦滤波器由一个五阶带通滤波器和基于Marchand巴伦改进型巴伦级联组成,带通滤波器采用耦合谐振式的设计方法,设计成宽带高抑制巴伦滤波器,在二阶、三阶和四阶谐振之间创新采用电感级联的拓扑结构,使相对带宽在48%以上。巴伦输入与输出之间的耦合采用一种并联堆叠式耦合螺旋传输线,增强了传输线之间的耦合,并拓宽了巴伦的带宽。结果表明,该巴伦滤波器通带为1.71~2.76 GHz,插损均小于2.3 dB;在50~669 MHz,抑制大于35 dB;在669~1 245 MHz,抑制大于17 dB;在3 205~3 400 MHz,抑制大于27 dB;在3 400~6 000 MHz,抑制均大于30 dB。两个输出端口信号的相位差和幅度差分别为180°±15°(1 710~2 340 MHz)、180°±10°(2 500~2 760 MHz)和±1.0 dB,具有较高的通用性和良好的应用市场。     

高频高线性度跨导电容滤波器

为了提高滤波器的工作频率和线性度,提出一种新型跨导放大器。该跨导器采用差分和交叉耦合来改善跨导输入级直流传输特性的线性度,以及扩大输入电压允许范围;同时,为了稳定输出共模电平和增大动态范围,提出共模反馈电路和各支路增益调整方法。对该滤波器进行理论分析和验证,结果表明,Gm-C滤波器的截止频率为159.6MHz,过渡带宽大于45dB,动态范围为64dB,具有较好的高频和高线性度特性。     

A DC-coupled wide dynamic range AGC amplifier IC for 560-Mbit/s optical transmission

A wide-band high-gain AGC amplifier stabilizing the output dc level against a broad gain variation is proposed and monolithically integrated using high-speed 1-μm Si-bipolar IC technology. The fabricated IC exhibits a maximum gain of 39 dB, gain dynamic range of 44 dB, bandwidth of 800 MHz, and output dc-level fluctuation of 8 mV, and realizes wide dynamic range and direct dc-coupling of the multistage AGC amplifier. Also, in order to examine the feasibility of the fabricated IC, a 1.5-μm-wavelength optical transmission experiment was carried out using DFB-LD and InGaAs-APD. Measured minimum received optical power for an error rate of 10^-9is -40 dBm at 560 Mbit/s and -38 dBm at 1.12 Gbit/s. Optical dynamic range of 30 dB is also achieved by using the fabricated IC and APD.     

声表面波器件输入及输出负载阻抗匹配研究

针对声表面波器件测量中网络分析仪的负载阻抗与射频传输线特性阻抗不匹配,导致传输线上反射波幅值较大的问题,提出一种减少传输线上反射波的负载阻抗匹配系统与方案。负载阻抗匹配方案针对声表面波器件测量中输入与输出端分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络,使输入输出端同时达到匹配状态。负载阻抗匹配系统集成了未匹配通道与匹配通道,根据负载阻抗不同调整匹配参数。对一个中心频率为101.764MHz,带宽为30MHz的声表面波器件使用该匹配方案前后中心频率处的衰减进行测量对比,实验结果表明采用该匹配方案后在中心频率点处输入及输出反射损耗分别为-49.36dB和-38.13dB,比未采用匹配方案时分别减少了44.99dB和29.44dB。     

High-speed NMOS operational amplifier fabricated using VLSI technology

A small wideband NMOS operational amplifier for high-speed LSIs was fabricated using VLSI technology with a minimum channel width of 3 ?m and minimum gate length of 4.5 ?m. Results such as 0.062 mm2 silicon area, 66 dB DC open-loop gain, 9.6 MHz gain-bandwidth product, +13.8/?19.3 V/?s slew rates and about 200 ns settling time were successfully obtained. The technique to improve transient response is also discussed.     

一种新型双频Wilkinson功分器的设计

为了实现功分器工作在任意两个频率的目的,设计了一种新型功分器.基于奇偶模分析方法,利用微波网络理论推导了电路参数的设计公式,通过求解相应的非线性方程组获取了具体电路参数.制作了一个工作频率为1GHz和2.6 GHz的双频Wilkinson功分器.实物测试结果表明,该功分器在两个中心频率的传输衰减小于3.3dB,端口回波损耗大于21 dB,端口隔离度大于28 dB,在中心频率100 MHz的通带范围内都具有良好性能,验证了设计方法的可靠性.     

A novel class of complementary folded-cascode opamps for low voltage

Three novel complementary folded-cascode operational amplifiers (opamps) with high gain, large bandwidth, and rail-to-rail input range for low-voltage operation will be presented. These opamps feature high bandwidth due to minimum internal nodes. The output swing is increased by properly adjusting the output cascode transistor gate voltages close to the power supply voltages. The opamps have been fabricated with a standard 0.8-/spl mu/m CMOS technology. Measurements show the amplification is between 60.1 and 72.4 dB, and the unity gain bandwidth is 14 MHz for a 5-pF load, 2.5-V power supply, and 150-/spl mu/A bias current.