纳米锗颗粒膜的结构与拉曼散射

用直流磁控溅射方法制备的纳米Ge颗粒膜.通过XRD表征和LRS谱分析,发现沉积态颗粒膜主要为无定形态的Ge团簇,同时在溅射沉积过程中有少量Ge被氧化成非晶态的GeO.颗粒膜经过真空退火处理,形成纳米级的Ge晶和GeO晶体.退火态的膜层结构比沉积态的疏松.对于薄膜纳米颗粒的结构,提出Core-Shell结构模型,解释了Raman散射谱中新出现的150 cm-1和215 cm-1的Raman散射峰.     

纳米锗颗粒膜的结构与拉曼散射

用直流磁控溅射方法制备的纳米Ge颗粒膜．通过XRD表征和LRS谱分析，发现沉积态颗粒膜主要为无定形态的Ge团簇，同时在溅射沉积过程中有少量Ge被氧化成非晶态的GeO．颗粒膜经过真空退火处理，形成纳米级的Ge晶和GeO晶体．退火态的膜层结构比沉积态的疏松．对于薄膜纳米颗粒的结构，提出Core—Shell结构模型。解释了Raman散射谱中新出现的150cm^-1和215cm^-1的Raman散射峰．     

柔性Ni网基底上电沉积制备ZnO纳米结构薄膜及其光电性能研究

以ZnCl_2与O_2为原料,通过电化学沉积在柔性金属Ni网基底上制备了ZnO纳米棒阵列,对初级结构表面进行铺膜处理,并于-1. 0 V下沉积3 600 s得到纳米"花状"分级结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等手段对合成样品的形貌、物相、结构进行了表征,研究不同制备条件对ZnO纳米薄膜形貌及光电性能的影响。结果表明,初级结构ZnO纳米棒经铺膜退火处理后,表面可形成均匀的纳米粒子晶种层,为次级结构的生长提供活性位点。再次电沉积后,生成的"花状"分级结构相比于一维纳米棒具有更大的比表面积,能够有效提高N719染料的吸附量,其光电转换效率也相应由0. 52%增大至0. 80%。     

电沉积Ni-W合金纳米晶的组织与性能

通过电沉积方法镧备Ni-W合金纳米晶，研究钨酸钠浓度、电流密度、镀液pH、温度等四个工艺参薮对Ni-W合金沉积速率、星徽硬度、镀层表面质量的影响。结果表明，通过控镧钨酸钠浓度，可获得不同尺度的Ni-W合金纳米晶，随电流密度增加，镀层的沉积速率和星徽硬度提高。镀液的pH对镀层性能影响最大。Ni-W合金纳米晶镀层具有较高的抗腐蚀性。     

电沉积制备纳米晶Fe-Ni-Mo合金箔

在酸性柠檬酸盐-氯化物体系中电沉积纳米晶低钼高铁Fe-Ni-Mo合金箔, 探讨了电沉积的工艺条件对合金组成的影响规律, 并确定了制备低Mo高Fe含量的纳米晶Fe-Ni-Mo合金箔的电解液组成和工艺条件。 通过SEM、XRD和EDS对合金箔的表面形貌、微观结构和组成进行表征, 结果表明: 合金箔表面平整, 结构致密, 无孔洞及裂纹, 晶粒属于纳米晶, 晶粒尺寸随电流密度、pH值和温度的下降而减小。合金箔为FeNi置换固溶体, 面心立方晶体结构, 呈现很强的(111) 和(200)晶面择优取向。     

柔性Ni网基底上电沉积制备ZnO纳米结构及其光电性能的研究

通过电化学沉积技术,以ZnCl₂与O₂为原料,在柔性金属Ni网基底上制备得到ZnO纳米棒阵列,后采用Zn (CH₃COO)₂胶体铺膜处理,再次电沉积得到ZnO分级有序纳米结构。并利用SEM、XRD、TEM等技术对合成样品的形貌、物相、结构进行表征,研究了不同制备条件对ZnO纳米薄膜形貌及光电性能的影响。结果表明：初级结构ZnO纳米棒经铺膜退火处理后,表面可形成均匀的纳米粒子晶种层,为次级结构的生长提供活性位点。再次电沉积后,生成的分级有序ZnO纳米结构具有更大的比表面积,大幅度提高染料的吸附量,相比于初级纳米结构其光电转换效率提高54%左右(由0.52%增大至0.80%)。     

铜合金表面电火花及激光沉积制造技术的研究

分别采用电火花沉积和激光熔覆技术在铜合金表面制备了不同组织和性能的沉积层,用SEM,XRD,OM和显微维氏硬度计进行了组织结构和性能分析,结果表明:在铜合金表面可采用激光熔覆的方法制备异质的沉积层,沉积层与铜基体冶金结合,其组织致密、晶粒细小、无裂纹和孔隙夹杂等缺陷,沉积层内部组织形貌为等轴晶、树枝晶及胞状晶等;电火花沉积工艺可在铜合金表面形成铜基的沉积制造层,电火花层与铜基体形成冶金结合,其组织致密、晶粒细小、无裂纹、孔隙夹杂等缺陷.     

硬质合金刀具的类金刚石涂层的研究

采用优化的沉积类金刚石(DLC)涂层工艺及过渡层技术,在硬质合金上制备出性能优良的DLC膜.实验室切削试验与工业生产现场切削表明:在切削铝青铜和共晶铝硅合金时,DLC膜涂层刀具使用寿命明显高于末涂层刀具.     

化学沉积法制备凹凸棒土/银核壳结构棒状银粉

凹凸棒土是一种层链状过渡结构的以含水富镁硅酸盐为主的黏土矿,其微观形貌具有一维线性结构特征.本研究采用凹土棒晶为内核,用化学沉积方法制备凹土/银核壳结构超细银粉,并对制得的棒状银粉进行SEM、XRD、EDS分析,讨论了反应温度、镀液pH值、反应时间等因素对银在凹土棒晶表面沉积结果的影响,给出了最佳配方与制备工艺条件.     

滤纸模板法制备Ag-SnO_2电接触材料

首先以纳米SnO_2粉体和Ag NO3为原料,滤纸为模板,通过浸渍、煅烧制备了Ag-SnO_2复合粉体,然后利用Ag-SnO_2粉体为原料,采用压制、烧结工艺制备了Ag-SnO_2电接触合金。进一步通过XRD和SEM等分析手段对所制备的复合粉体和合金样品进行表征,并借助TG-DSC对滤纸前躯体的分解过程进行分析,同时研究了不同纳米SnO_2含量对Ag-SnO_2电接触合金组织和性能的影响。结果表明,所制备的Ag-SnO_2复合粉体由四方相金红石型结构的SnO_2和立方相的银组成,模板去除干净,无杂质引入。由于滤纸模板的引入使得SnO_2颗粒弥散分布于银基体中。随着SnO_2含量的增加,Ag-SnO_2电接触合金的硬度有上升趋势,但高氧化物含量也导致模板的分散效果变差,使得合金的电导率和致密度逐渐降低。