钽在集成电路中的应用

介绍了在硅基片上用钽溅射靶溅射沉积和用钽的化合物气相化学沉积钽基膜（金属钽，碳化钽，氮化钽，硅化钽，氮化硅化钽，氮化碳化钽）作为集成电路中防止铜向基片硅中扩散的阻挡层，介绍了钽溅射靶的技术要求，加工方法以及化学气相沉积钽基薄膜的方法。     

CVD温度对钽涂层组成、显微组织及形貌的影响

利用TaCl2-H2-HCl反应体系,采用冷壁式化学气相沉积法(CVD)在钼基体表面沉积钽涂层。通过X射线衍射仪、金像显微镜及扫描电镜等手段,对不同沉积温度下钽涂层的组成、组织及形貌进行了研究。结果表明:在1000～1300℃范围内,钽沉积层的相组成无变化,而对择优生长有一定影响;钽沉积层晶粒尺寸随沉积温度的升高而增大;钽沉积层表面颗粒呈金字塔形多面体且随沉积温度的升高而增大。     

影响气相沉积用钽丝性能的因素研究

以不同的冶金级钽粉为原料,通过相同的加工工艺试制成相同规格的钽丝,经过对钽丝产品机械性能、抗氧脆性、抗氢脆性以及表面质量的分析,确定气相沉积用钽丝一定要采用普通钽粉来制取,此外可以通过增大加工率来增加钽丝的抗拉强度。     

氟钽酸钾钠还原制备工艺对钽粉性能的影响

为制备出大比表面积的高性能钽粉,根据钠还原氟钽酸钾制备钽粉的过程分析,对其主要影响因素(还原温度、稀释剂比例、还原速度、搅拌转速)对钽粉性能的影响进行了研究。结果表明,随着还原温度降低,还原的钽粉比表面积增大;还原温度提高会增加还原过程中反应容器的腐蚀,造成金属杂质增加。稀释剂比例增加,有利于生成大比表面积钽粉,但会降低钽粉收率,且杂质含量增加。注钠速度、搅拌转速不是主要影响钽粉比表面积的关键因素。     

含氟高炉渣中氧化钽和氧化铌的还原动力学研究

含氟炉渣的碱度对氧化铌和氧化钽的还原速度无明显影响,但渣中之氟化钙量则对其影响甚大。在反应初期硅-铌(钽)反应尚未达到平衡时,氧化铌(钽)还原反应的速度受渣中氧化铌(钽)传质速度的控制,在不进行搅拌的情况下,反应符合二级反应规律。在搅拌情况下,为一级反应。当硅-铌(钽)平衡达到后,氧化铌(钽)还原反应速度受氧化硅还原速度控制。渣铁中钽的测定是应用放射性同位素~(182)Ta完成的。     

高压高比容钽粉的制备及性能表征

介绍了电容器级钽粉的用途、分类,讨论了高压高比容钽粉的发展历程,分析了目前钽粉研究的进展和存在的一些问题,重点讨论新型50 V-8 000μFV/g高压高比容钽粉的研制原理、生产方法及解决的技术关键,并对其产品的物理性能、化学性能及电性能进行对比分析,得出该钽粉不但有好的耐压性,又具有较低的杂质含量,各项性能满足高压高比容产品的使用要求。并指出了电容器级高压高比容钽粉今后的发展方向。     

试论提高电容器级钽粉质量

电容器级钽粉是制造钽电容器的主要原料,其质量好坏,直接影响电容器的性能,因此如何提高钽粉质量,仍是国内外主要研究的课题。文章在分析钽粉质量要求及其发展水平的基础上,提出并讨论了提高钽粉质量的主要措施。     

仲钨酸铵结晶母液中钽铌存在形式的探讨和回收方法的研究

根据实验结果和同族元素的存在形式,探讨了仲钨酸铵(APT)结晶母液中钽铌存在的形式。经试验,提出了回收钽铌的流程,其富集物的钽铌含量可达57.10～85.88%,可作为钽铌分离的原料。文章还对影响钽铌析出率的因素进行了讨论。     

钠还原中压钽粉工艺因素控制

本文通过钠还原制取中压钽粉实验,讨论了还原起始温度、注钠速率、一次注钠温度等工艺因素对中压钽粉物理性能和电性能的影响。其结果可供生产中压钽粉时参考。     

回归法研究电容器级钽粉物理性能与电容量的关系

本文讨论了FTF30型电容器级钽粉的物理性能:费氏平均粒径、表观密度、钽阳极块的压制密度与钽粉电容量的相关关系,并建立了三元回归方程: y=5350.3-70.91X_1-254.89X_2-89.17x_3 方差分析证明,钽粉的电容量与费氏平均粒径、表观密度、钽阳极块的压制密度存在着线性关系,得出的回归方程是可靠的。为钽粉的生产调制、钽电容器的制造过程、已知钽粉的物性参数予测其电容量以及欲使钽粉的电容量达到予期值、如何控制其物性参数等提供了理论依据。     

由钽粉松装密度计算比电容的经验公式及其应用

一、前言本文提出了一个由钽粉松装密度和电性检验条件计算比电容的经验公式,并讨论了利用该公式预测钽粉比容、对比烧结温度和设计钽电容器阳极诸问题。公式可适用于各种工艺生产的不同比容范围的钽粉,其计算误差一般不超过10%。     

熔炼工艺对超导线材阻隔层用钽带使用性能的影响

研究了熔炼速度和W元素偏析对超导线材阻隔层用钽带使用性能的影响。结果表明,通过降低一次熔炼的熔炼速度,提高二次熔炼的熔炼速度,既可达到钽铸锭的提纯效果,又可改善铸锭的晶粒组织,使得成品钽带组织细小均匀。严格控制原料中W元素含量(0.002%以下),并在焊接电极时减少焊接点或采用其他不使用钨焊针的焊接设备,避免带入W杂质,减少铸锭中W成分偏析,可防止钽带在使用过程中发生断裂。     

钽合金异形件的旋压加工

研究了一种简单、经济的旋压成形钽合金异形件的方法，并讨论了旋压用板坯的壁厚均匀性、纵进速度、减薄率及压窝尾顶块内弧半径等对旋压成形的影响，同时也提出了相应的解决措施。     

钽在熔盐中的电化学行为

本文对钽在熔盐体系中的电化学行为作了较全面的评述,着重阐明和讨论了钽的阴极反应过程,并介绍了近年来的有关研究成果。     

钽的性质及其在化工生产中的应用

钽是耐蚀性强的难熔金属,应用于化学工业中已有四十多年的历史,在高温下浓缩和回收硫酸是其最成功的应用之一。本文主要讨论了钽及其合金(Ta—W—Nb、Ta—W和Ta—Nb)的耐蚀性能,并举例说明这几种合金如何加工成衬板和管材等,最后,列举了钽及钽基合金在化工设备的应用范例。     

化学气相沉积钽的动力学模型

描述了化学气相沉积钽的动力学，推导出低温与高温下两种模型，实验值与理论值吻合较好。     

中和结晶过程对Ta2O5粉末粒度特性的影响

采用中和结晶-煅烧法制备Ta2O5粉末,分别考察了中和结晶过程中钽液浓度、钽液起始pH值、结晶温度、氨水浓度、氨水流速和搅拌速度等六个因素对Ta2o5粉末粒度的影响.试验结果表明,在钽液浓度c(Ta2O5)为95g/L,钽液起始pH=1.80,水浴温度60℃,氨水浓度8.0 mol/L,氨水流速1.0 mL/min,搅拌速度40 r/min的条件下,制得的Ta2o5粉末最大平均粒径可达180μm,完全满足生产需求.     

掺杂钽粉中杂质硼,磷作用机理的讨论

在钽粉掺杂试验的基础上,研究和讨论了杂质硼、磷的作用机理。研究证明,钽粉中掺人硼或磷杂质都能较大幅度地提高钽粉的比电容值,但推测二者的作用机理并不完全相同,前掺杂中的硼或磷均有细化钽粉晶粒的作用,但硼的作用要强得多。而磷除有细化晶粒的作用外,还具有阻碍钽粉烧结的作用。     

初论物料破碎过程的热力学行为对钠还原钽粉含氧量的影响

根据掌握的资料和数据，用物料破碎过程的热力学理论对钠还原产物（钽块）的破碎过程进行了分析。指出钽或块在敞口机械破碎过程中出现的无数次瞬时高温将导致钽物料发生氧化和氮氧化反应。在此基础上对钽粉的增氧率进行了估算，对钽料氧化和氮氧化产生的后果进行了讨论，结论是钠还原钽块的破碎工序是一增氧工序，应当引起重视。     

不锈钢基体表面CVD-Ta涂层组织和性能的研究

介绍了化学气相沉积(CVD)制备难熔金属Ta涂层的一般原理及方法。利用TaCl_5-H_2-Ar反应体系,采用化学气相沉积法在不锈钢基体表面沉积了Ta涂层。通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)手段,研究了CVD温度对Ta涂层的结构、沉积速率、显微组织的影响,分析了Ta涂层的显微组织结构和成分组成,对Ta涂层试样在强酸冲刷条件下进行了耐腐蚀试验,最后对Ta涂层试样的失效机理进行了分析。结果表明:在1000～1200℃范围内,随着沉积温度的升高,Ta涂层晶粒结晶性能逐渐变好,沉积速率逐渐增大,当沉积温度大于1100℃,Ta涂层和基体之间会出现较明显的扩散层;Ta涂层主要由分布均匀的钽元素和少量不连续的氧元素组成;涂层的失效的主要原因是由于Ta涂层纵向生长的柱状晶不致密,使得晶界处的氧化物率先腐蚀,使得钽涂层逐渐失去对基体的保护作用。