Ag包覆Fe复合纳米粉体的制备及导电导磁性能研究

用化学镀法,以葡萄糖和甲醛的混合液为还原剂,制备了Ag包覆Fe复合纳米粉体,并用制备的复合纳米粉作为导电导磁相,制备了导电导磁胶。用透射电子显微观察和X射线衍射表征了Ag包覆Fe复合纳米粉体的结构、形貌和粒度分布,用直流低电阻测试仪、振动样品磁强计研究了导电导磁胶的导电导磁性能。结果表明:制备的Ag包覆Fe复合纳米颗粒具有壳核结构(纳米Fe为核、Ag为壳),复合纳米颗粒粒度分布为50~120 nm,通过电镜测得Ag层的厚度约为2 nm。用Ag包覆Fe复合纳米粉制备的导电导磁胶的电阻率为2.66×10~(-4)~8.9×10~(-4)?·cm、饱和磁化强度18.5~38.6 A·m~2·kg~(-1)。     

导电银浆低温固化薄膜的制备与导电性能

用银粉作为导电填料,与F型环氧树脂、稀释剂、固化剂等配制成树脂基导电银浆,将导电银浆印刷在载玻片上,在一定温度下固化后得到导电银浆固化膜。通过对薄膜体积电阻率进行测定,以及SEM观察和傅里叶变换红外光谱分析,研究稀释剂种类、稀释剂含量、固化温度和固化时间等因素对导电银浆固化薄膜结构与电阻率的影响。结果表明:松油醇对导电银浆稀释效果好,得到附着力和硬度均较高的固化膜,松油醇含量(质量分数)为8%时,薄膜的体积电阻率达到3.9×10~(-5)?·cm;提高固化温度可降低薄膜的体积电阻率,但温度超过130℃时,电阻率降低不明显;延长固化时间可提高银浆薄膜的导电性能,但当时间达到40 min后,电阻率基本不再随时间延长而发生变化。     

固化过程及银粉形貌对导电胶电阻率的影响

采用2种不同形貌的银粉、3种不同固化收缩率的导电胶基体配制6种导电胶,研究等温固化过程中导电胶基体的固化收缩率以及银粉形貌对导电胶电阻率的影响,探讨导电胶的导电机理.结果表明,银粉形貌对导电胶的电阻率影响较小;基体固化收缩率越大,使得银粉颗粒之间的接触面积增大,发生隧道效应的几率也增大,所以导电胶的电阻率越小,基体的固化收缩对导电胶导电性能的形成贡献较大,在导电胶由不导电到导电的转变过程中起着决定性的作用.导电胶未固化前是不导电的,导电性的建立发生在导电胶基体的凝胶化阶段,且在这一阶段中导电胶的电阻率随时间延长急剧下降,之后趋于稳定.     

Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质

采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。     

化学还原法原位制备石墨烯/纳米银复合粉体及其导电性能

以水合肼为还原剂,PVP为分散剂,在反应温度为60℃,p H为6条件下同时还原氧化石墨烯和硝酸银,原位制备石墨烯/纳米银复合粉体。通过扫描电镜、X射线衍射、红外吸收光谱和拉曼光谱等手段研究溶液中硝酸银的质量浓度对石墨烯/纳米银复合粉体形貌与结构的影响。用石墨烯/纳米银复合粉体替代部分微米银粉制备低温固化导电浆料,对其导电性能进行研究。结果表明:银纳米粒子分布于石墨烯片层之间。当反应溶液中硝酸银的质量浓度为0.75 g/L,氧化石墨烯质量浓度为0.25 g/L时,获得分散性好,粒径均匀的石墨烯/纳米银复合粉体,且负载在石墨烯片层上的银纳米粒子的粒径集中在100 nm左右。用石墨烯/纳米银复合粉体替代4%微米银粉制备导电浆料,浆料的体积电阻率为1.8×10-5Ω·cm,与未添加石墨烯/纳米银复合粉体的导电浆料相比,电阻率降低61.7%。     

不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.     

Ba1-xKxPbO3系导电陶瓷的电性能研究

采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒"S"形状变化, 当掺杂量为3%～5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.     

生长温度和退火气氛对ZnO:Al薄膜结构与性能的影响

采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO:Al透明导电薄膜,研究生长温度和退火气氛对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明:不同温度下生长的ZnO:Al薄膜均为高度c轴取向的六角铅锌矿结构,400~900 nm波长范围内薄膜的平均透过率均超过85%。ZnO:Al薄膜的电学性能强烈依赖于生长温度,室温~500℃范围内,500℃下生长的薄膜具有最大的载流子浓度(2.294×1021 cm-3)和最低电阻率(4.095×10-4-.cm)。退火气氛对薄膜的性能影响显著,经过不同气氛退火后,薄膜的表面粗糙度降低,结晶质量和光学性能有所提高;在O2、N2、空气等气氛下退火,薄膜的载流子浓度降低,电阻率上升;Ar和真空退火时,薄膜载流子浓度上升,电阻率显著下降。     

掺杂钕对导电云母粉电阻率的影响

以超细云母为核体,采用化学共沉淀法在云母表面包覆二氧化锡掺杂锑形成导电层,并用硝酸钕进行修饰来制备掺杂稀土导电云母粉.通过实验发现,掺杂钕后导电云母粉的电阻率显著降低,最低可达到1Ω·cm以下,而未掺杂钕时的最低电阻率为3Ω·cm左右.进一步用XRD、SEM对导电云母粉进行了表征,并探讨二氧化锡掺杂锑导电云母粉的导电机理和掺杂钕导电性显著增强的原因.     

AZO热压靶材的制备及性能表征研究

以化学组成ZnO:Al<,2>O<,3>=98:2%的混合粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材.研究了热压工艺条件对靶材致密化的影响.结果表明,热压温度与压力上升,靶材致密度增大;在AZO靶材的致密化过程中存在"反致密化"现象,这是由于连通气孔的合并与生长及闭合气孔率的升高引起的.在实验条件范围内,在热压工艺条件压力18 MPa、温度1150℃、保温保压时间90 min下.制备了AZO靶材.通过SEM观察热压靶材的断面形貌,阿基米德法测量靶材密度,水银压汞仪测量靶材的平均孔径及孔径分布,XRD测定靶材相结构,四探针测定电阻率等方法对AZO靶材的性能进行了分析表征,结果表明:结构为六方纤锌矿,密度为5.39 g·cm-<'-3>,靶材连通气孔率为0.05%,闭合气孔率为3.4%,电阻率为5.3×10<,-4>Ω·cm.采用射频溅射制备AZO薄膜,对靶材的使用性能及AZO薄膜性能进行了分析,表明靶材使用寿命大于150 W·h,薄膜在可见波段的平均透过率达到85.5%,电阻率达到3.1 x 10<,4>Ω·cm,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求.