在离子液体中用阳极氧化铝模板电沉积制备稀土镧纳米线

采用二次阳极氧化法获得纳米多孔阳极氧化铝(AAO)模板,在尿素-NaB r-KB甲r-酰胺离子液体中,用AAO模板电沉积稀土镧纳米线。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,自制AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约60~70 nm),孔口呈六边形。经过XRD、EDS和SEM对电沉积样品的成分和形貌进行表征和分析,显示在AAO模板中有镧纳米线的存在。     

磁性纳米线阵列的制备与应用

介绍了以多孔氧化铝(AAO)和刻蚀高聚物为模板制备磁性纳米线阵列的方法,包括溶胶-凝胶法、化学沉积法和电沉积法等.结合磁性纳米线的研究现状,展望了磁性纳米线阵列在磁记录、巨磁电阻、量子磁盘和高密度磁存储等方面的应用前景.     

氧化镍纳米线的制备及光电性能研究

通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8h得到NiO纳米线。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压。测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365nm)照射下,40V比60VNiO/AAO阵列体系的光电压大。     

铜金属纳米线的制备及其图案化

采用电化学沉积法在孔径为200nm的阳极氧化铝膜AAO模板中成功制备了Cu金属纳米线阵列、结合紫外线光刻法组装了图案化铜纳米线阵列.电化学沉积法可通过控制沉积时间来获得具有不同长径比的铜纳米线阵列;图案化的纳米线排列规整,高度有序;且纳米线组成的形状与掩膜相同.     

模板法组装Ag纳米线阵列及其微结构

以多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,利用直流电沉积法,在AAO模板孔洞中成功组装了Ag纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Ag纳米线的长度分布十分均匀,其长度随着沉积时间的延长而线性增长,生长速度约为5μm/h。透射电子显微镜(TEM)表明,Ag纳米线粗细均匀,直径约为200 nm。选区电子衍射(SAED)分析表明,所得Ag纳米线具有多晶结构。     

多层纳米线的研究进展

介绍了多层纳米线的研究现状、制备技术、表征方法、性能测试及其应用,其中重点介绍了模板-电沉积法,并给出了由该法制备的多孔阳极氧化铝(AAO)模板、金属纳米线(阵列)、多层纳米线的SEM、TEM及其电子衍射照片,叙述了它们在量子磁盘、微弱磁场探测、微传感器、微发动机等方面的应用,并展望了多层纳米线的发展前景。     

Cu/PANI同轴纳米线阵列的制备及其甲醇传感性能

采用电沉积法在AAO模板内制备Cu/PANI同轴纳米线阵列,利用FTIR、XRD、SEM和TEM方法对Cu/PANI同轴纳米线进行表征,利用循环伏安法测试其电化学活性和传感性能.研究结果表明,PANI纳米管成功包覆了Cu纳米线,形成同轴纳米线结构.电化学测试表明,Cu/PANI同轴纳米线有着良好的传感性能,其甲醇检测灵敏度为2.48μA/(mM·cm2),在电化学传感器领域有广阔的应用前景.     

氧化亚铜纳米线的制备及其光电性能

摘要：通过电沉积法在阳极氧化铝模板中制备了Cu2O纳米线，利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Cu2O纳米线的组成和形貌进行了表征，并测试了Cu2O/AAO阵列体系的光电压、交流阻抗性能。测试结果表明，制备的Cu2O纳米线的直径约120nm，长约2μm；Cu2O/AAO阵列体系在紫外灯(365nm)照射下，光电压约25mV, 阻抗值大大减小。     

电沉积制备碲化铋纳米线阵列及其表征

先采用0.3 mol/L草酸溶液在0°C、8.9 mA/cm2下对纯铝板进行二次阳极氧化,制得氧化铝多孔膜(AAO),随后以AAO为模板,采用直流电沉积法制得Bi2Te3纳米线阵列。镀液组成和工艺条件为:Bi3+0.007 5 mol/L,2HTeO+0.001 25 mol/L,3NO-1 mol/L,温度0°C,pH 0.1,时间2 h。研究了沉积电位对沉积过程的电流变化以及纳米线的Te含量、形貌和结构的影响,得到最佳沉积电位为1.4 V。在1.4 V下沉积所得纳米线结构致密、连续,孔径约为90 nm,与AAO的孔径一致。     

氧化铝模板中Ag纳米线阵列的选择性生长

利用Ag离子与Br离子之间的化学沉积作用在孔隙中充满明胶的阳极氧化铝（AAO）模板中制备了AgBr/AAO纳米介孔复合材料.材料选择性曝光后,利用原位显影液对其进行化学显影,在AAO模板中选择性得到Ag纳米线阵列.实验结果表明：Ag纳米线是连续的、致密的,且具有多晶结构,充满了曝光部分的模板孔隙.本文还对影响Ag纳米线选择性生长的因素进行了简单讨论.