Nd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构和电性能研究

研究了组份为Ｂａ１－ｘＮｄｘＴｉＯ３（ｘ＝０．００２－０．０４）陶瓷的结构和电性能，实验结果表明：当０．００２≤ｘ≤０．００４时，轻度Ｎｄ２Ｏ３掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷呈半导体；而当０．０１２≤ｘ≤０．０４时呈绝缘性。ＢａＴｉＯ３陶瓷的室温电阻率ρｖ随Ｎｄ＾３＋含量的变化呈Ｕ型特曲线。组份为Ｂａ０．９９７０Ｎｄ０．００３０ＴｉＯ３的材料具有最低的ρｖ和最佳的ＰＴＣＲ效应，相应于最大的平均晶粒尺寸和最     

Cr_2O_3在SiO_2-Al_2O_3-MgO-B_2O_3系玻璃和玻璃陶瓷中的作用

利用ＳＭＥ和ＸＲＤ等技术,系统研究了Ｃｒ２Ｏ３对ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３系玻璃和玻璃陶瓷中的作用。当Ｃｒ２Ｏ３％＜１时,随着Ｃｒ２Ｏ３。含量的增加,玻璃试样的颜色由浅绿色逐渐转变成灰色;Ｃｒ２Ｏ３％＞１时,镁铬（铝）类晶石,Ｍｇ（Ａｌ１．５Ｃｒ０．５）Ｏ４,在玻璃试样中析出;在玻璃陶瓷中,Ｃｒ２Ｏ３％的含量的增加有助于Ｍｇ（Ａｌ１．５Ｃｒ０．５）Ｏ４相的析出,对云母晶体的析出有抑制作用。同时还发现Ｃｒ２Ｏ３的含量对云母晶体显微组织也有显著的影响作用。     

湿化学法制备0．95Pb（Mg_（1／3）Nb_（2／3））O_3－0．05PbTiO_3铁电陶瓷

用湿化学法制备了钙钛矿相的含量为９９％的０．９５Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／３）Ｎｂ＿（２／３））Ｏ３－０．０５ＰｂＴｉＯ＿３（简称０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ）微粉，ＳＥＭ显示其粒度为０．２～０．３μｍ。通过ＸＲＤ确定了合成０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ前驱物的最佳条件为：溶液的ｐＨ值为１．５，反应温度为６０℃。制备０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ陶瓷时，预烧温度为８００℃（２ｈ），烧结温度为１２５０℃（１ｈ）。粉末烧结后制得纯钙钛矿相的０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ铁电陶瓷，其密度为理论密度的９５％，介电常数为１４８００（８００Ｈｚ）。     

无压烧结合成O＇－Sialon

探讨了Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的合成工艺及配方选择；研究了Ａｌ２Ｏ３在Ｓｉ２Ｎ２Ｏ中的固溶状况及添加剂Ｙ２Ｏ３和烧结液相的特点对Ｏ＇－Ｓｔａｌｏｎ中Ａｌ２Ｏ３固溶度的影响．结果表明；无压烧结合成Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的工艺应选用ＳｉＣ粉料作为埋粉，通Ｎ２保护；Ｘ＝０．３为Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ固溶极限的配方；Ｙ２Ｏ３的加入量增多有利于Ｋ１ｃ值的提高；Ｋ１ｃ在Ｘ＝０．３～０．４时达到最大值；配料时应避开靠近低共熔点处（Ｘ＝０．２）的配方，因其试样力学性能较差．     

影响（Ba_（0．65）Pb_（0．35））TiO_3系PTC陶瓷电阻率的因素

在合成的（Ｂａ０．６５Ｐｂ０．３５）ＴｉＯ３中分别掺入了Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｌａ２Ｏ３，ＭｎＯ２和ＴｉＯ２．讨论了每种掺杂物与烧成气氛和升温制度对常温电阻率的影响，找出了ＰＴＣ陶瓷的最佳组成；１ｍｏｌ（Ｂａ０．６５Ｐｂ０．３５）ＴｉＯ３，０．００２ｍｏｌＡｌ２Ｏ３，０．００４ｍｏｌＳｉＯ２，０．０１ｍｏｌＴｉＯ２，０．００３ｍｏｌＬａ２Ｏ３，０．０００２ｍｏｌＭｎＯ２．这种ＰＴＣ陶瓷的表面温度为２７０℃，常温电阻率为５～８×１０３Ω·ｃｍ，时任性为２４０ｖ／ｍｍ．     

Sm,Gd共同掺杂的CeO2基电解质性能研究

用Ｓｍ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３共同掺杂ＣｅＯ２基电解质组分（ＣｅＯ２）０．９０（Ｓｍ２Ｏ３）０．０５（Ｇｄ２Ｏ３）０．０５）,可以在较低的温度（１４００－１４５０℃）烧结并较高电导率,８００℃时电导率约为７Ｓ．ｍ＾－１。     

BaTiO3系陶瓷电压非线性特性研究

对ＢａＴｉＯ３－ＢａＺｒＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＢａＳｎＯ３,ＢａＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３非线性陶瓷材料的介电性能（ε,ｔａｎδ）与外ＢａＺｒ０．１３Ｔｉ０．８７Ｏ３,ＢａＳｎ０．０６Ｔｉ０．９４Ｏ３在直流偏压下ε可变化１．５￣２．７倍;在交流电压下ε可变化２￣２．５倍,且具肮介电常数、较高抗电强度,可用作开关电源ＲＣＤ保护电路的非线性陶瓷电容器和荧光灯无触点起辉器材料,Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３在直流偏     

LaCrO_3－NiMn_2O_4复合陶瓷的结构分析

将尖晶石型ＮｉＭｎ＿２Ｏ＿４及钙钛矿型ＬａＣｒＣ＿３这二者电阻个较高的半导体陶瓷热敏材料复合并经高温烧结后，其复合体电阻率大幅度降低。应用ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＴＥＭ和ＳＥＭ对复合体结构进行较为系统的研究，结果表明：ＮｉＭｎ＿２Ｏ＿４与ＬａＣｒＯ＿３按一定比例复合后，在烧结过程中两者之间有离子迁移发生，离子迁移的结果使钙钛矿结构的ＬａＣｒＯ＿３转变为高导电相的Ｌａ［Ｃｒ＿（１－ｘ－ｙ）Ｎｉ＿ｘＭＮ＿ｙ］Ｏ＿３（０＜ｙ＜０，０＜ｘ＋ｙ＜０），它使复合体电阻率大幅度降低。     

Fe0.5Sr0.5CoO3酒敏陶瓷性能的研究

本文通过在Ｆｅ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３酒敏陶瓷基体中掺杂不同量的Ｎｂ２Ｏ５、ＣｄＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＳｎＯ２等，研究了氧化物掺杂对酒敏陶瓷灵敏度峰值温度的影响。结果表明：这四种掺杂物都能一定程度降低Ｆｅ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３酒敏陶瓷的灵敏度峰值温度，且掺杂量为３％（摩尔比）左右时，该陶瓷的敏感度最好。     

顺、反异构钼硫簇合物〔(C_2H_5)_4N〕_2〔Mo_2S_4(SCH_2CH_2S)_2〕的合成、结构和性质研究

用（ＮＨ４）２ＭｏＳ４，ＣｏＣｌ２，ＮｉＣｌ２，ＨＳＣＨ２ＣＨ２ＳＨ和Ｅｔ４ＮＢｒ在ＣＨ３ＯＨＣＨ３ＯＮａ溶液中反应，得到了顺（Ａ），反（Ｂ）异构体的原子簇化合物［（Ｃ２Ｈ５）４Ｎ］２［Ｍｏ２Ｓ４（ＳＣＨ２ＣＨ２Ｓ）２］的晶体。用Ｘ—射线单晶衍射法测定了顺、反异构体簇合物Ａ和Ｂ晶体结构，其晶胞参数Ａ为ａ＝２．６０４４（２）ｎｍ，ｂ＝１．９８８６（２）ｎｍ，Ｃ＝２．６３０２（Ｉ）ｎｍ，Ｖ＝１３．５８６ｎｍ３，β＝９３．３３°（２）；Ｂ为ａ＝１．０４４（２）ｎｍ，ｂ＝１．４１５８（２）ｎｍ，Ｃ＝１．１４１７（２）ｎｍ，Ｖ＝１．６３８ｎｍ３，β＝１００．４７°，经块距阵最小二乘法修正最终得偏离因子Ｒ＝０．０８８（Ａ），Ｒ＝０．０８９（Ｂ）。同时还对簇合物的红外光谱和紫外可见光谱也进行了研究。     

CeO2基电解质材料的扫描电镜观察

用Ｓｍ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３共同掺杂ＣｅＯ２基电解质组分（ＣｅＯ２）０．９（Ｓｍ２Ｏ３）０．０５（Ｇｄ２Ｏ３）０．０５随着烧结温度的提高，晶粒持续长大，由１４００℃烧结时的２－３μｍ长大到１６００℃烧结时的１０－１２μｍ，单位尺寸内的晶界数量减少；各温度烧结样品的断口都呈穿晶断裂。     

SrTiO_3基高压陶瓷电容器材料的组成与性能

研究了 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 和 Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 的加入量对 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 基高压陶瓷电容器材料性能的影响。实验的结果表明：最佳加入量的摩尔分数分别是 Ｂｉ２ Ｏ３ ·３ Ｔｉ Ｏ２ 为 ９％ , Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ 为 １８％ 。在 １ ２５０ ℃的温度下烧结获得了性能为：εｒ ＝ ３ ２９５; Ｅｂ ＝ １０．２ ｋ Ｖ／ｍ ｍ ;ｔｇδ＝ ６×１０－ ４ ;Δ Ｃ／ Ｃ（－ ２５～＋ ８５ ℃）≤ ±１２％ ;绝缘电阻 Ｒ＝ ７．５×１０１ ２ Ω的高压陶瓷电容器材料。     

LaCrO3—NiMn2O4复合陶瓷的结构分析

将尖晶石型ＮｉＭｎ２Ｏ４及钙钛矿型ＬａＣｒＯ３这二者电阻率较高的半导体陶瓷热敏材料复合并经高温烧结后，其复合体电阻率大幅度降低。应用ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＴＥＭ和ＳＥＭ对复合体结构进行较为系统的研究，结果表明：ＮｉＭｎ２Ｏ４与ＬａＣｒＯ３按一定比例复合后，在烧结过程中两者之间有离子迁移发生，离子迁移的结果使钙钛矿结构的ＬａＣｒＯ３转变为高导电相的Ｌａ［Ｃｒ１－ｘ－ｙＮｉｘＭｎｙ］Ｏ３（０〈ｘ〈１，０〈ｙ     

超细BaTiO3粉体成瓷技术研究

基于液相化学共沉淀法合成超细ＢａＴｉＯ３粉末，研究了制备ＰＴＣ ＢａＴｉＯ３陶瓷的成瓷技术。利用ＸＲＤ和ＳＥＭ分析手段，对制备的ＢａＴｉＯ３陶瓷的结构进行了表征。对于影响ＢａＴｉＯ３陶瓷的主要性能，如致密化、ＰＴＣ效应和半导化性能的工艺参数进行了较为详细的研究和讨论。     

四元系统PbO－BaO－SrO－Nb_2O_5介电性能研究

对四元系统ＰｂＯ－ＢａＯ－ＳｒＯ－Ｎｂ＿２Ｏ＿５的介电性能进行了研究。Ｘ射线粉末衍射图谱确证在ＰｂＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，Ｎｂ＿２Ｏ＿５一定配比下，该系统为四方钨青铜铁电陶瓷系统，其主晶相为Ｐｂ＿ｘＢａ＿ｙＳｒ＿ｚＮｂ＿（１０）Ｏ＿（３０）（１．７５≤ｘ≤２，１．２５≤ｙ≤２，１≤ｚ≤１．７５）。在此基础上，通过加入各种添加剂合理的掺杂改性，成功地研制出一种新型中温烧结高ε的Ｘ７Ｒ瓷料，此料适合作ＭＬＣ。这一研究在国内至今为止未见报道，在国外亦属少见。     

MnO2对0.85Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—0.15BaTiO3陶瓷弛豫现象的影响

研究了ＭｎＯ２掺杂对０．８５Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．１５ＢａＴｉＯ３陶瓷电介电、热释电以及铁电弛豫等性能的影响。添加ＭｎＯ２使ＰＺＮ－ＢＴ陶瓷的介电常数ε下降，室温老化率明显增大。随着ＭｎＯ２含量的增加，ＰＺＮ－ＢＴ陶瓷介电常数与温度的关系中所表现出来的频率弛豫现象逐渐减弱，直到消失，但其扩散相变现象仍然十分明显。     

羟丙基化磺酸盐及复配体系的物化性能研究

合成了新型的羟丙基化磺酸盐表面活性剂：ＲＯＥｎＰｍＳＯ３Ｎａ（Ｅ＝－ＯＣＨ２ＣＨ２－，Ｐ＝－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－；Ｒ＝Ｃ１２Ｈ２５，Ｃ１４Ｈ２９，Ｃ１６Ｈ３３，ｎ＝０，１，２，３；ｍ＝０，１；）化合物结构由元素分析，红外，核磁证实，测定了它们及其与阳离子表面活性剂复配体系的物化性质，实验结果表明，在烷基磺酸盐阴离子之引入羟丙表面活性增强，钙皂分散力大幅度提高，一个羟丙基单位的效能优于一个氧乙     

Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3系统准同型相界附近的介电、热释电和压电性能

用两步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３系陶瓷,ｘ分别为０．２８,０．３０．０．３２,０．３４,０．３６,０．３８和０．４０,研究了试样的相组成以及介电,热释电和压电性能。ＸＲＤ结果分析表明：准同型要界在ＰｂＴｉＯ３摩尔分数ｘ＝０．３４￣０．３８处,组成在准同型相界附近的试样具有最大的介电常数,热释电系数和压电系数。介电性能测试结果还表明,组成在准同型相界附近的     

金—钼酸盐—丁基罗丹明B体系显色反应研究

研究了在高氯酸和聚乙烯醇（ＰＶＡ）存在下，金与钼酸盐和丁基罗丹明Ｂ（ＢＲＢ）的显色反应。其适宜条件ＣＨＣｌＯ４＝１．５ｍｏｌ／Ｌ，ＣＭｏＯ２－４＝９．１×１０－４ｍｏｌ／Ｌ，ＣＢＲＢ＝３．８×１０－５ｍｏｌ／Ｌ及０．０８％ＰＶＡ。金钼杂多酸—丁基罗丹明Ｂ离子缔合物的最大吸收位于５７０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为３．３６×１０６Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１，金量在０～４０μｇ／Ｌ范围内服从比尔定律，测定极限（Ｓ／Ｎ＝３）０．９０μｇ／Ｌ（ｎ＝１０），对于２８μｇＡｕ（Ⅲ）／Ｌ测定的相对标准偏差２．１％（ｎ＝７）。缔合物至少可稳定５ｈ，摩尔比Ａｕ∶ＢＲＢ＝１∶３。考察了４４种共存离子的影响，大多数常见离子不干扰，用活性炭分离富集金，对砂矿和炭粉中金的测定，结果满意。     

PZN－PT－PMN电致伸缩陶瓷的介电性质

对（１－ｘ－ｙ）ＰＺＮ－ｘＰＴ－ｙＰＭＮ（０＜ｘ＜０．１，０＜ｙ＜１）陶瓷的电致伸缩与介电特性进行了系统的研究。利用ＸＲＤ定性分析了在相同工艺条件下，组成及Ｋ~＋，Ｌａ~（３＋），Ｙ~（３＋），Ｗ~（６＋）等掺杂离子对微观结构、电致伸缩及介电性质的影响。分析表明：施主、受主离子掺杂对钙钛矿相的生成有不同的作用，掺杂后的材料介电常数均减小；而电致伸缩系数增大，其中适当掺Ｋ~＋和过量ＭｇＯ可使应变量得到提高；而过量ＺｎＯ使应变量减小。ＰＺＮ－ＰＴ－ＰＭＮ的应变性质和温度特性均优于ＰＺＮ，三元系的电致伸缩特性与各组成含量有关，其中铁电相含量的增大是应变量增大的原因。