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利用水溶液降温法生长了掺杂稀土离子Nd^3+、L-赖氨酸和硫脲的TGS晶体。测试了掺杂TGS晶体的晶胞参数和热释电性能。实验表明,三掺杂的TGS晶体的热释电系数、热释电优值比和内偏压场大于纯TGS。 相似文献
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选择稀土离子Ce3+、Nd3+、Eu3+作为掺杂阳离子,采用水溶液降温法生长了7种双有机取代基TGS晶体。研究了其晶胞参数、主要的热释电和铁电性能参数。发现这几种掺杂TGS晶体的品质因子有了提高。 相似文献
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《硅酸盐学报》2017,(4)
以丙酮为溶剂,采用溶液降温法生长1,3,5-三苯基苯(TPB)晶体。在40~45℃温区下生长出尺寸为19 mm×15 mm×13 mm的透明块状晶体,生长速率约为3 mm/d。通过X射线衍射、光学显微镜观察、热分析、荧光光谱和脉冲形状鉴别(PSD)测试对晶体进行了表征。结果表明:降温法生长的TPB晶体为正交晶系,空间群为Pna21;TPB单晶各向透明度高,没有宏观缺陷,但在各面上均存在生长花纹。TPB晶体的熔点为174℃,蒸发损失发生在283℃;TPB晶体在360 nm处具有相对尖锐和强的带边发射峰。TPB晶体总品质因数(FOM)值为0.85,表明它具有优异的中子/伽马(n/γ)射线辨别能力。 相似文献
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掺杂改性TGS晶体的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文根据TGS晶体结构与自发极化同的关系,阐述了用苯胺类有机物掺杂取代甘氨酸分子、无机酸取代硫酸分子及掺杂金属离子对TGS单晶生长及性能的影响。系统测定了它们的热电、介电等性能。实验结果表明利用三元无机酸H_3PO_4和H_3AsO_4部分取代硫酸并掺入少量L-丙氨酸培育出的双掺单畴晶体——ATGSP和ATGSAs,其热释电品质因数比TGS提高近一倍。并探讨了研究改性TGS晶体的主要途径。 相似文献
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《硅酸盐学报》2016,(10)
四硼酸锂(Li_2B_4O_7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76 mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102 mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点,提出了转向生长LBO晶体的工艺方案,成功生长出60 mm×110 mm×120 mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长,侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60 mm、直径为102 mm(4 in)的[110]取向LBO晶体,生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。 相似文献
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本文报道了用来制作近代火箭推进技术中夹心件(Sandwich)的NH_4ClO_4大单晶的生长。测量了该晶体的溶解度、过溶解度和T_s-pH曲线。发现了该晶体溶液准稳区具有相对过冷度极小的特点。观察到该晶体中主要的缺陷是“云层”,分析了该缺陷产生的内因和外因;提出了排除云层的关键措施。本文还就pH对籽晶恢复和透明生长的直接影响进行了分析讨论,寻找出AP大单晶生长溶液的最佳pH范围。 我们首次在1000ml的小育晶瓶内成功地生长出40×40×20mm的透明大单晶。 相似文献
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采用溶液法合成甲胺溴铅(CH_3NH_3Pb Br_3)多晶原料,用溶液蒸发法生长了尺寸约为7 mm′7 mm′3 mm的CH_3NH_3PbBr_3晶体。测量了晶体的XRD谱,采用X射线外推法研究了晶体结构。结果表明:生长的CH_3NH_3Pb Br_3单晶为立方晶系结构,晶格参数a=0.592 76(7)nm。将微型溶液晶体生长装置与荧光共聚焦显微镜相结合,实时观测了不同生长条件下CH_3NH_3PbBr_3晶体的微观形貌和不同晶面的生长速率。得到(011)、(101)和(001)晶面的平均水平生长速率分别为0.017 57(6)、0.021 44(4)和0.018 65(7)nm/s;发达晶面簇为{110}和{100}。 相似文献
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The effects of solvent and impurity on the crystal habit of 11α-hydroxy-16α, 17α-epoxyprogesterone (HEP) grown from solution were studied by scanning electron microscope. Long prismatic crystals were produced when HEP was crystallized from pure acetone and N,N-dimethylformamide, while blocky crystals were produced from pure chloroform by cooling crystallization. One kind of isomorphic impurity, 16α, 17α-epoxyprogesterone (EP)was selected to examine its effect on the HEP crystal habit. When the content of EP in the mother liquor is very high (55.45%, solvent free basis), the habit of produced HEP crystals was greatly modified from prismatic to octahedral. The differential scanning calorimetry and X-ray powder diffraction analyses showed that the change of crystal habit was originated from the crystal structure modification. 相似文献
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NaBi(WO_4)_2晶体生长与开裂研究 总被引:1,自引:1,他引:0
钨酸铋钠 [分子式 :NaBi(WO4) 2 简称NBW ]是一种性能优良的闪烁晶体 .本工作采用提拉法生长出直径为 45mm ,高为 3 5mm的大尺寸NBW晶体 ,对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究 ,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系 .实验研究发现 ,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关 .并给出了制备无开裂优质NBW晶体的最佳生长工艺参数 相似文献
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Fe^3+,Al^3+,Mg^2+对石膏结晶习性影响的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文在MSMPR结晶器中研究了无F存在下,Fe^3+、Al^3+、Mg^2+三咱离子共存时对石膏结晶习性的影响,结果发现,无论硫酸根过量2.4%还是过量4.8%,Fe^3+、Al^3+、Mg^2+共存得到的石膏晶体几乎都是针状晶体;当硫酸另两种相应的离子浓度保持一定水平时,增大Fe^3+含量,石膏晶体变长;增长Mg^2+含量,石膏晶体变小;增长Al^3+含量,石膏晶体长大,F与Al^3+同时存在 相似文献
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采用提拉法生长了质量优异的Yb∶Ca5(PO4)3F(Yb∶FAP)晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知:晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物,且位错密度显著增加。Yb∶FAP晶体的各向异性使得晶体在(10 10)面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而(0001)面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。 相似文献
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采用提拉法生长出钨酸铋钠晶体[分子式NaBi(WO4)2, 简称NBW].生长过程中, 对影响晶体开裂的原因进行了详细的分析, 设计了合理的工艺参数 液面上下10mm内的温度梯度为0.8 ℃/mm, 径向温度梯度小于0.3 ℃/mm.拉速为2~4 mm/h, 转速为10~15 r/min, 降温速率为25 ℃/h, 生长出尺寸为45 mm×35 mm的高质量的钨酸铋钠晶体.X射线衍射分析结果表明, NBW晶体属于四方晶系,空间群为I41/a.光透射测试结果表明了NBW晶体的抗辐照损伤能力强;发射光谱分析发现它的发射峰值位于可见光绿光波段. 相似文献
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以NaF为助熔剂,BaAlBO3F2和NaF摩尔比为11.5,采用熔盐籽晶生长方法,沿[001]方向生长出尺寸为18 mm×18 mm×12 mm的BaAlBO3F2(BABF)晶体.晶体生长参数降温速率为2~4℃/d,晶体旋转速率为15 r/min.研究了BABF晶体的生长形貌,BABF晶体生长过程中,呈现出(001)和(100)晶面.测试了BABF的粉末倍频效应,其倍频系数约为KDP晶体倍频系数的0.8倍.室温下测试了BABF晶体的显微硬度,其(001)面与(100)面显微硬度分别为10.99 GPa和8.137 GPa. 相似文献
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采用提拉法生长了质量优异的Yb:Ca5(PO4)2F(Yb:FAP)晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知:晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物。且位错密度显著增加。Yb:FAP晶体的各向异性使得晶体在(10 10)面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而(0001)面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。 相似文献
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胆甾型液晶的合成及显色示温液晶组成 总被引:6,自引:2,他引:6
合成并表征了两种对正烷氧基苯甲酸胆甾醇酯液晶 ,并用于显色示温混合液晶的配制。通过胆甾型液晶的选择及不同含量的调配 ,获得变色温度范围在 1 0~ 40°C、色泽鲜艳、温度感应灵敏、变色可逆的胆甾型混合液晶组成。讨论了混合液晶组成对显色示温的影响 相似文献