Al2O3纳米线薄膜的制备及其生成机理研究

研究了一种简单新颖的制备Al2O3纳米线薄膜的电化学方法。以阳极氧化法在高纯铝片表面制备多孔阳极氧化铝的工艺为基础,在草酸电解液中通过一次阳极氧化过程,将阳极氧化铝孔壁溶解形成Al2O3纳米线,均匀覆盖在阳极氧化铝有序孔道的上方,得到一种特殊结构的纳米线薄膜。使用扫描电镜、高分辨透射电镜和X-射线能谱仪对纳米线的形貌、结构及成分进行了表征分析。并结合扫描电镜对不同反应时间长度的产物形貌来观察纳米线的生成过程。探讨了Al2O3纳米线薄膜的生成机理。     

多孔阳极氧化铝模板制备工艺的研究

以硫酸溶液为电解液,采用二次阳极氧化工艺制备高度有序的多孔阳极氧化铝模板.研究了电解液浓度、阳极氧化电压和阳极氧化温度对多孔阳极氧化铝模板形貌、孔径和孔间距的影响,并以高氯酸和丙酮的混合溶液为电解液,利用第三次阳极氧化,一步实现了多孔阳极氧化铝膜的通孔剥离,获得具有较大面积、韧性较好的通孔多孔阳极氧化铝模板.     

高度有序多孔阳极氧化铝模板制备工艺研究

在酸性电解液中,用二次阳极氧化法制备得到了高度有序的多孔阳极氧化铝(PAA)模板。采用金相显微镜观察了铝箔退火前后的表面形貌,并结合扫描电镜对多孔氧化铝薄膜的结构进行了表征。研究表明,高度有序多孔阳极氧化铝膜的制备依赖于铝箔是否经过预处理、氧化电压的大小、温度的稳定性和电解液的选择等。     

阳极氧化法制备氧化铝纳米线薄膜及其生成机理研究

研究了一种简单新颖的制备氧化铝纳米线薄膜的电化学方法.以阳极氧化法在高纯铝片表面制备多孔阳极氧化铝(AAO)的工艺为基础,在草酸电解液中将AAO孔壁溶解形成氧化铝纳米线,均匀覆盖在AAO有序孔道的上方,得到一种特殊结构的纳米线薄膜.对实验产物纳米线的形貌、结构及成分进行了表征分析,并探讨了氧化铝纳米线薄膜的生成机理.     

微孔、介孔和大孔氧化铝膜的制备及其缓蚀剂担载性能的研究

以高纯铝为基体,用2次阳极恒直流阳极氧化的方法在磷酸-草酸混酸体系中制备出大孔氧化铝薄膜;以大孔氧化铝薄膜为基体,用中性弱阳离子溶液为介质在电化学工作站在3电极体系中氧化出介孔氧化铝薄膜;再在硫酸环境下用恒电压阳极氧化法制备出微孔薄膜。通过对3种不同孔径的氧化铝薄膜的形貌及成分进行表征,运用拉曼光谱比较三种不同孔径氧化铝薄膜对不同浓度硅烷缓蚀剂的吸附担载能力,以及电化学测试检验其担载不同浓度硅烷缓蚀剂后耐腐蚀能力,得出具有最强耐蚀能力时的氧化铝膜的最佳孔径和此时担载硅烷缓蚀剂的最佳浓度,电化学测试结果表明介孔薄膜的电化学阻抗可达10~7。     

高度有序多孔阳极氧化铝制备工艺的研究

影响多孔阳极氧化铝(porous anodica lumina,PAA)形貌及结构等的因素有很多,如抛光铝片的表面粗糙度、电解液温度、氧化电压、氧化时间、搅拌速率等。本文采用二次阳极氧化法,以草酸为电解液,研究了高度有序AAO模板制备过程的主要工艺条件,并采用扫描电子显微镜对模板的形貌进行表征。结果表明,在电解液温度为12℃,氧化电压为40V能够得到高度有序的、孔径为80nm左右的多孔阳极氧化铝膜。     

纳米孔阵列结构阳极氧化铝模板的应用研究现状

对铝基材实施阳极氧化处理,可在其表面形成氧化铝多孔膜。当氧化铝多孔膜的纳米孔排列成规则的阵列结构时,氧化铝多孔膜将具有许多其它纳米材料无法比拟的优势。综述了以具有规则纳米孔阵列结构的阳极氧化铝薄膜作为模板,通过复制、沉积、吸附等技术,制备具有各种特殊用途纳米材料的制备工艺,使用这些方法制备的纳米材料已经广泛地应用于催化、气体吸收、分离膜、微电子器件等。     

溶胶-凝胶法制备氧化铝涂层的镀膜新工艺研究

用溶胶-凝胶法制得了稳定透明的氧化铝溶胶,并采用降液法镀膜工艺制备了氧化铝薄膜.对该镀膜工艺的研究表明,薄膜厚度随液面升降速度的增加而增加,并与浸渍时间的平方根成正比.当液面升降速度为62mm/min,浸渍时间为25s时,薄膜厚度达到0.20μm.此外,薄膜厚度随着镀膜次数的增加而增加,且第1次镀膜比第2次及以后镀膜的贡献大.     

草酸溶液中多孔氧化铝的制备及机理研究

以草酸溶液为电解质,采用两次电化学阳极氧化法制备氧化铝有序多孔膜,研究了不同阶段孔洞的形态结构以及孔洞的排布,发现自组织过程主要是在第一次阳极氧化的过程中实现的,第二次阳极氧化只是在第一次的基础上实现孔的有序定向生长。     

Co-氧化铝纳米阵列的结构与磁性研究

用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝膜，并以之为模板，用直流电沉积法成功地将Co金属组装入多孔氧化铝膜的纳米孔洞中，观察与测试了Co—氧化铝纳米阵列结构和磁性。结果发现，二次阳极氧化法在短时间内就能制备出较为有序的多孔氧化铝膜；Co—氧化铝纳米阵列中的Co金属纳米线有一定的结晶择优取向，并且当多孔氧化铝模板的孔径减小，择优取向发生优化；Co—氧化铝纳米阵列有明显的磁各向异性。     

阳极氧化法制备大面积双面多孔氧化铝膜及其应用

室温下,以纯铝箔为基材,采用二步阳极氧化法,在0.3 mol/L草酸溶液中制备了大面积的双面氧化铝膜.在氧化过程中,电流呈现降低、升高、平稳、再降低的变化,最后接近于零.X射线衍射结果显示,双面氧化铝膜为无定型结构.扫描电镜结果显示:每面氧化铝膜的总厚度约为50 μm,孔径分布为50～100 nm.利用制得的双面氧化铝...     

Fabrication and structural control of anodic alumina films with inverted cone porous structure using multi-step anodizing

Porous anodic alumina (PAA) film has recently attracted much attention as a key material for the fabrication of various nanostructures. In this study, a multi-step anodization and leaching process was employed to produce three-dimensional nanometer scale structured film. During the leaching process, the porous alumina film was dipped in phosphoric acid solution for pore widening. Each anodization process was followed by this leaching process. This method produced alumina film with multi-step structure. Meanwhile, with five-step film production, the structure showed inverted cone structure. We produced the low aspect ratio pores of this structure, which would be applicable for fabrications of nanomaterials. In addition, the aspect ratio was controlled by changing the anodization duration.     

Fabrication and characterization of alumina fiber by anodic oxidation and chemical dissolution processes

Alumina fiber was fabricated by an anodic oxidation process from pure aluminum or a chemical dissolution process from porous alumina. In the experiments, porous alumina layer was firstly formed on the surface of pure aluminum by anodic oxidation process in phosphoric acid electrolyte. The alumina fiber was obtained by either further anodic oxidation process or a chemical dissolution process from the porous alumina layer. The thickness of the porous alumina layer, the diameter and wall thickness of the pores in the porous alumina layer, and the length and diameter of the obtained alumina fiber were examined. The formation mechanism of the alumina fiber was discussed.     

Structure Evolution of Highly Crystallized BaWO4 Film Prepared by an Electrochemical Method at Room Temperature

Highly crystallized BaWO₄ films have been prepared on a tungsten substrate in an alkaline solution containing barium ions by an electrochemical method with a constant direct current density of 1 mA/cm² at room temperature (25°C). The average grain size was about 13 μm, and the thickness about 9 μm after a treatment time of 35 min. The dependence of cell voltage on deposition time was divided into three steps: conduction, anodic oxidation, and breakdown steps. The BaWO₄ film formed during the first step. Electrochemical dissolution of metal tungsten occurred with an accompanying positive change of overpotential in the first step. The crystallization of BaWO4 was characterized by three-dimensional nucleation. In the second step, an amorphous tungsten oxide film formed, thereby increasing the potential. An electrical breakdown occurred in the third step, and the breakdown voltage (about 90 V) was practically the same as those of anodic tungsten oxide films.     

不同Br~-浓度下铂电极上镀银层的氧化动力学

本文采用循环伏安法研究了镀银铂电极在溴化钾溶液中的成核过程及氧化动力学,结果表明:AgBr的形成包括三个步骤,首先在银表面某些吸附Br~-的特殊位置上以平面方式成核,然后经过二个三维的成核步骤。在较低浓度的KBr溶液中,AgBr的形成由溶液中的Br~-迁移控制。在较高浓度的溶液中,由于生成的AgBr膜是高度松散的,速度控制步骤转化为在膜孔内Br~-的迁移。随着AgBr的生成以及AgBr的溶解沉积作用,膜孔被堵塞,同时反应速度转化为由AgBr膜中的Ag~+迁移控制。电镜结果也支持了以上结论。