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介绍了相变光盘(PD)和磁光盘(MO)的结构及其信息记录/读出原理,并叙述了磁超分辨(MSR)、磁放大磁光系统(MAMOS)、磁畴壁移动检测(DWDD)及近场光存储等高密度光盘存储技术。 相似文献
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再生信号的急剧衰减是高密度磁光记录中不可避免的问题。作为解决这个问题的方案,提出了磁畴扩大再生技术──再生时将微小磁畴扩大,增加再生信号的幅度。例如,利用现行光头(波长680nm,物镜数值孔径NA=0.55),对0.2μm最密记录磁畴施加同一周期的交变再生磁场,可将再生信号的振幅扩大至饱和程度,实现了磁畴扩大再生。并且,即使通常的不采用交变磁场的再生,也可实现0.2μm的最密记录磁畴的扩大再生。这样,磁畴扩大再生技术可能成为利用现行光头使磁光盘的面记录密度超过10Gbit/in2。 相似文献
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MAMMOS(MagneticAmplifyingMagneto-OpticalSystem)是磁光盘高密度读出的有效方法。由于记录层的磁畴在读出层得以扩大,所以在短磁畴的读出中也能得到与长磁畴读出时同等大小的信号。确认在0.04μm磁畴的读出中也能获得足够大的信号。在0.2μm的连续记录畴(标记)读出中,其CNR在50dB以上,BER为10-4左右。应用交变磁场的MAMMOS(MFM-MAMMOS)方法实现了高分辨率及大振幅信号的读出。 相似文献
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交换耦合复合介质及研究进展 总被引:2,自引:2,他引:0
交换耦合复合介质有望解决现有磁记录材料面临的三难问题,是非常有希望的下一代高密度磁记录介质。本文介绍了交换耦合复合介质的概念、物理原理以及交换耦合复合介质研究中的一些理论问题以及研究进展。在各类交换耦合复合介质中,多层纳米线被广泛看好。本文对多层纳米线中畴壁的特性、畴壁的运动以及基于畴壁运动的畴壁辅助磁记录模式的研究进行了重点介绍。 相似文献
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MAMMOS(Magnetic Amplifying Magneto-Optical System)是磁光盘高密度读出的有效方法。由于记录层的磁畴在读出层得以扩大,所以在短磁畴的读出中也能得到与长磁畴读出同等大小的信号。确认在0.04μm磁畴的读出也能获得足够大的信号。在0.2μm的连续记录畴(标记)读出中,其CNR在50dB以上,BER为10^-4左右。应用交变磁场的MAMMOS(MFM-MAMMOS)方法实现了高分辨率及大振幅信号的读出。 相似文献
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MAMMOS(MagneticAMplifyingMagneto-OpticalSystem)是磁畴扩大读出技术之一。该技术是将记录层的微小磁畴扩大复印到读出层,可防止微小磁畴中的信号降低,实现高分辨率的读出。读出时的磁场采用DC磁场,具有利用更简易的系统即可读出的优点。记录层采用RE-rich(富含稀土)的GdFeCo(钆铁钴),读出时施加10ka/m的DC磁场,0.25μm的连续磁畴,可获得43dB的CNR。与CAD-MSR相比,最突出的是0.3μm以下的磁畴的CNR得到了极大的改善,有利于更微小磁畴的读出。 相似文献
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MAMMOS(Magnetic Amplifying Magneto- Optical System:磁畴扩大磁光系统 )是实现高密度磁光盘的有效方法。不仅能得到不依赖于磁畴长度的较大的读出信号振幅,而且还能实现超出光学系统衍射极限的分辨率。过去,为实现磁畴的复印与扩大,要对记录膜面施加垂直方向的外部磁场。而现在得知,同时施加垂直磁场和水平方向的磁场,可大幅度地提高微小磁畴的读出特性。确认采用施加水平磁场的方法,在λ =635 nm, NA=0.55的条件下, 0.15μ m的连续磁畴也能获得 BER=2× 10- 4的读出效果。 相似文献
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再生信号的急剧得高密度磁光记录中不可避免的问题。作为解决这个问题的方案,提出了磁畴扩大再生技术--再生时将微小磁畴扩大,增加再生信号的幅度。例如,利用现行光头,对0.2μm最密记录磁畴施加同一周期的交变再生磁场,可将再生信号的振幅扩大至饱和程度,实现了磁畴扩大再生。并且,即使通常的不采用交变磁场的再生,也可实现0.2μm的最密记录磁畴的扩大再生。这样,磁畴扩大再生可能成为利用现行光头使磁光盘的面记 相似文献
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为实现面记录密度10Gbit/in2以上的高密度磁光记录/读出,提出了磁超分辨和磁畴扩大盘的解决方案。这种盘需要多层结构,各层间的相互作用至关重要。研究了磁超分辨(MSR)及磁畴扩大(MAMMOS)盘因各层特性及层间相互作用而引起的读出功率、记录功率、读出信号输出、读出磁场等特性的变化。综合各层与特性的关系,提示了实际磁光盘设计所需的各层膜厚及组成等主要条件。结果得知,热流、交换结合力、静磁结合力、矫顽力及中间非磁性层的膜厚等是主要因素。 相似文献
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高分子材料在喷雾干燥塔中应用的理论分析及探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
孙国超 《硫磷设计与粉体工程》2000,(2):43-45
喷雾干燥是一个重要的单元操作,雾滴黏附于塔内壁引起结疤是普遍现象。根据高分子界面科学理论,分析了某种料液在革类材料表面是否易黏附可用表面张力来判别,固体材料的临,介表面张力越小,料液的表面张力与固体的临界表面张力之差越大,则不易黏附。聚四氟烯、聚丙烯、聚烯等高分子材料是减轻塔壁结中选用的材料,并提出用这些材料做内材层的结构。 相似文献
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铁氧体磁性材料的研究现状与展望 总被引:2,自引:0,他引:2
铁氧体磁性材料是现代电子技术中关键基础材料,它的应用越来越受到人们的重视。本文介绍了软磁、硬磁、旋磁、矩磁和压磁等5大类铁氧体磁性材料的研究现状,并根据材料设计的思想对铁氧体磁性材料的发展趋势进行了探讨。 相似文献
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针对弹塑性行为对铁磁材料磁巴克豪森噪声(MBN)效应的影响,基于准静态单轴拉伸试验,对比研究了3种典型碳钢弹塑性阶段的应力-应变关系与MBN特征值之间的关联性,并对材料损伤位置进行了快速MBN表征。试验结果表明:含碳量对MBN信号具有较大影响,随着拉伸应力增加,MBN信号显著增强,在弹性临界点达到峰值形成饱和;进入塑性变形阶段后,MBN信号变化平缓但总体下降,固溶强化可进一步提高磁畴壁运动阻力,导致MBN信号降低更快直至断裂;应力卸载后,试样表面MBN特征值最低位置与断裂部位基本一致。 相似文献
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采用硬脂酰氯对三聚氰胺进行酰胺化改性得到十七烷基链修饰的三聚氰胺衍生物(酰胺化三聚氰胺),进而与甲醛、混合醇等进行加成、缩聚反应,制备了酰胺化密胺树脂,并将其制备成膜及硬泡材料,采用FTIR、NMR、TG、SEM及EDS对酰胺化三聚氰胺、酰胺化密胺树脂以及膜层与硬泡材料进行了表征。结果表明,疏水烷基长链的引入使酰胺化三聚氰胺与水的接触角由改性前的0°升至133.5°以上;随着三聚氰胺酰胺化程度的提高,酰胺化密胺树脂的水容忍点温度逐渐降低,树脂黏度逐渐增大,不溶性颗粒逐渐增多增大。相对于常规密胺树脂制备的材料,酰胺化密胺树脂(无论是膜层材料还是硬泡材料)力学性能均未出现明显降低,样块抗压强度可达39.5 MPa,硬泡材料弯曲强度可达345.8 kPa,压缩强度可达315 k Pa,同时表现出优异的抗水和疏水效果,样块24h吸水率仅为1.1%,硬泡材料的体积吸水率降低至2.0%,膜层水接触角提高至107.5°,抗污染性能得到改善。 相似文献
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考虑到晶粒边界K'、A'、Ms'与晶粒的不同,即晶界对畴壁的钉扎作用,用矫顽力新理论探讨了CoCr合金薄膜垂直磁化的矫顽力机制。低Cr含量,低矫顿力CoCr薄膜及磁化过程为畴壁位移。随Cr含量增加,晶界的富Cr现象加剧,反磁化过程为转动反磁化,对应于高桥涵力薄膜。CoCr合金薄膜的连续模型到粒子模型是一个连续的过渡过程 相似文献