A1N陶瓷中的晶格缺陷

用透射电镜观察了不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷，这类缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处。一些晶粒中存在反相畴界。热导率不同的试样其缺陷密度明显不同，氧杂质进入Ａ１Ｎ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响。分析了抑制晶格缺陷形成、提高热导率的工艺措施。     

A1N陶瓷中的晶格缺陷

用透射电镜观察不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷。Ａ１Ｎ陶瓷中的晶格缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处，一些晶粒中存在反相畴界。热导率不同的试样其缺陷密度明显不同。氧杂质进入Ａ１Ｎ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响。     

B_2O_3－Y_2O_3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响

研究了以Ｂ_２Ｏ_３－Ｙ_２Ｏ_３作为助烧结剂的ＡｌＮ陶瓷的烧结特性及显微结构。结果表明，晶界处存在ＹＡｌＯ_３，Ｙ_４Ａｌ_２Ｏ_９及Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_（１２）等各种铝酸钇结晶物，Ｂ_２Ｏ_３可固溶到铝酸钇中形成固溶体。随烧结温度变化，第二相的种类、数量和分布不同，从而影响ＡｌＮ的热导率。在１８５０℃下，可获得热导率为１８９Ｗ／ｍ·Ｋ的ＡｌＮ陶瓷。     

无压烧结合成O＇－Sialon

探讨了Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的合成工艺及配方选择；研究了Ａｌ２Ｏ３在Ｓｉ２Ｎ２Ｏ中的固溶状况及添加剂Ｙ２Ｏ３和烧结液相的特点对Ｏ＇－Ｓｔａｌｏｎ中Ａｌ２Ｏ３固溶度的影响．结果表明；无压烧结合成Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的工艺应选用ＳｉＣ粉料作为埋粉，通Ｎ２保护；Ｘ＝０．３为Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ固溶极限的配方；Ｙ２Ｏ３的加入量增多有利于Ｋ１ｃ值的提高；Ｋ１ｃ在Ｘ＝０．３～０．４时达到最大值；配料时应避开靠近低共熔点处（Ｘ＝０．２）的配方，因其试样力学性能较差．     

钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究

研究了（Ｓｒ０．４８Ｐｂ０．４８Ｙ０．０３Ｃａ０．０１）ＴｉＯ３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ分析表明，随着ＳｉＯ２含量的增量，氧空位浓度及Ｔｉ＾３＋浓度增大，ＸＲＤ分析表明，随ＳｉＯ２含量增大，轴比ｃ／ａ增大。     

二氧化硫脲的合成

以硫脲和双氧水为原料合成二氧化硫脲工艺中，选择水为溶剂，Ａ、Ｂ、Ｃ３种物质为反应助剂，通过正交试验确定了最佳工艺条件为：硫脲：双氧水：Ａ：Ｂ：Ｃ：＝１：（１．９～２．１）：（０．０５～０．１）：（０．０５～０．１）：（０．０４～０．０８）；反应温度为５～１０℃；硫脲浓度：５％～１５％；反应时间：投料毕，保温反应０．５～１Ｌ反应平均收率达８５％以上。     

烷基多苷稀溶液的泡沫特性研究

本系统地研究了烷基多苷（ＡＰＧ）稀水溶液的泡沫特性，当ＡＰＧ的浓度大于临界胶束浓度时，起泡力与浓度的关系与Ｈ＝０．１１１Ｃ＋５４（ｍｍ）。实验研究发现ＡＰＧ与ＡＥＳ有较好的正协同效应。当０．９５（重量）ＡＥＳ与０．０５ＡＰＧ配伍时，所配制的稀水溶液具有最高的泡沫高度。ＡＰＧ的起泡能力受水溶液中无机盐浓度的影响。在同一浓度下，无机盐对ＡＰＧ起泡能力的影响大小次序为：ＣａＣｌ２〉ＭｇＣｌ２〉ＮａＣｌ     

AIN陶瓷基反在空气中的热氧化行为探讨

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）并结合Ｘ射线衍射分析ＡｌＮ陶瓷基板在８５０－１１００℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明，未退火ＡｌＮ陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火１０ｍｉｎ的条件下，随着退火温度的增加，富氧层迅速增厚。在１１００℃退火２０ｍｉｎ的条件下，ＡｌＮ陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后，结合化学热力学，探讨了ＡｌＮ陶瓷基板表面的初始氧化机理。     

镀锌炉用高强低铁隔热耐火砖的研制与生产

以漂珠、结合粘土为原料，加入膨胀剂、助熔剂和可燃加入物．可制得高强、高铝、低铁隔热耐火砖。其主要理化指标：体积密度０．４１～０．５４ｇ／ｃｍ３，常温耐压强度１．２～２．７ＭＰａ，重烧线变化－０．１％（１２５０℃）～－０．０２％（１１５０℃）．导热系数０．１３４～０．１４８Ｗ（ｍ·Ｋ）；Ａｌ２Ｏ３４３．６％～４９．５％，Ｆｅ２Ｏ３１．１６％～１．１０％。     

AIN瓷TiN－Mo金属化方法研究

以Ｍｏ，ＴｉＮ为主要原料，采用金属粉末烧结法在ＡｌＭ瓷表面实现了金属化。探讨了金属化的工艺条件，运用ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＳＥＭ等现代分析技术研究了界面现象及粘附机理。研究表明：液相的扩散、渗透，特别是ＡｌＮ瓷坯中的液相向金属化层的渗透是金属化层与ＡｌＮ瓷结合的主要原因。体积配比为７５％ＴｉＮ，２５％Ｍｏ及适量烧结助剂，烧结温度为１８００～１８５０℃，气氛为氮气（９０％）和氢气（１０％）的适宜条件下，获得了结合强度达４０ＭＰａ的良好金属化结合层。     

B2O3—Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响

研究了以Ｂ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３作为助烧结剂的ＡｌＮ陶瓷的烧结特性及显微结构。结果表明，晶界处存在ＹＡｌＯ３，Ｙ４Ａｌ２Ｏ３及Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２等各种铝酸钇结晶物，Ｂ２Ｏ３可固溶到铝酸钇中形成固溶体。     

新型聚丙烯酸丁酯（PBA）嵌入高岭土混合物／热塑性弹性体SBS混杂钠米复？…

将聚丙烯酸丁酯（ＰＢＡ）嵌入白泥（高岭土和白云母混合物）的层状混杂物，在１６０℃开炼机中与热塑性弹性体ＳＢＳ共混，制得了新型混杂钠米复合热塑性弹性体。当白泥－ＰＢＡ与ＳＢＳ的质量比为（０．５￣６．０）／１００时，复合弹性体的拉伸强度、扯断伸长度、高温玻璃化转变温度分别由１５．７ＭＰａ、５９８％及９６℃升高至２６．８ＭＰａ、８４６％及１５６℃；而低温玻璃化转变温度仍为－７５℃，复合弹性体的透明度也保     

用Sol—Gel法制备氧化铝多孔陶瓷的研究

主要研究了羟铝比（［ＯＨ－］／［Ａｌ３＋］）、铝离子浓度及成孔剂含量和温度对ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备的氧化铝多孔陶瓷气孔率、气孔分布和显微结构的影响。实验结果表明：铝溶胶的最佳组成是羟铝比为２．３８,铝离子浓度为１０ｗｔ％,成孔剂含量为５ｗｔ％。随着烧成温度由１４２０℃升至１５００℃时,８＃试样的显微结构由松散的片状向连通贯穿的整体结构转变。在１４５０℃时,２＃试样（［ＯＨ］／［Ａｌ３＋］＝２．３３）主要是单个颗粒连接的结构;８＃试样（［ＯＨ］／［Ａｌ３＋］＝２．４０）主要是相互贯穿连成一体的结构。前者气孔率小于后者,其气孔分布范围较后者更窄     

含铌钛微合金化钢连铸坯高温变形试样中碳氮化物的析出

铌、钛微合金化钢连铸坯高温变形试样中主要有三类碳、氮化合物析出：（１）高温下析出的粗大块状ＴｉＮ析出物；（２）９５０～９００℃区间沿晶界和在晶粒基体内部析出的微细Ｎｂ（Ｃ，Ｎ）动态析出物；（３）温度低于９００℃后Ｎｂ（Ｃ，Ｎ）依附在ＴｉＮ颗粒上生成的复合析出物．在９５０～９００℃区间析出的微细Ｎｂ（Ｃ，Ｎ）是造成此温度区间试样延塑性急剧降低的主要原因．由于氮优先与钛反应，减少了低温时Ｎｂ（Ｃ，Ｎ）和ＡｌＮ的析出量，使铌、钛微合金化钢在８５０℃Ｃ～Ａｒ３温度之间延塑性没有进一步降低．     

ZrO_2·Y_2O_3固体电解质及测氧探头的研制

阐述了ＺｒＯ２陶瓷的导电机理和测氧原理；测试了（ＺｒＯ２）１－ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｘ（ｘ＝０．０６~０．１２）系列试样的导电性能及力学性能；研制成功了性能优良的ＺｒＯ２·Ｙ２Ｏ３固体电解质及其测氧探头，并得到广泛应用。     

日本1993年合纤产量和出口状况

日本１９９３年合纤产量和出口状况１９９３年日本化纤总量降低５％，为１７５万ｔ，其中ＰＡ长丝２２．５２万ｔ（－１０．４％），短纤维１．４４万ｔ（－９．２％）；ＰＥＴ长丝４２．３８万ｔ（－５．０％），短纤维２９．２５万ｔ（－４．２％）；ＰＡＮ长丝０．３８...     

高效液相色谱法分析水果中的灭幼脲

本文用二氯甲烷：石油醚（３：４）混合液浸泡，经高速分散器分散后离心提取，经ＰＴ－硅镁吸附剂型色谱预处理小柱净化，用岛津ＬＣ－５Ａ高效液相色谱仪测定，以甲醇：水（７５：２５）火流动相，Ｃ１８反相柱为固定相，以岛津ＳＰＤ－２ＡＭ紫外检测器在２５４．０纳米波长下测定，水果中灭幼脲的最低检出浓度为０．０２毫克／公斤，对１８个样品的平均回收率为９２．６％。     

硫酸钠基固体电解质材料的改性研究

以固相反应法合成了Ｎａ２ＳＯ４－Ｌｎ２（ＳＯ４）３（ｌＮ－Ｌａ，Ｙ）和Ｎａ２ＷＯ４体系固体电解质。以ＸＲＤ和热分析研究了物相与化学组成的关系，以交流阻抗谱研究了电导率。发现Ｌａ摩尔含量大于６％或Ｙ含量大于１２％时，可使高电导的Ｎａ２ＳＯ４（Ｉ）相稳定到室温。而Ｌａ为４％或Ｙ为５％时，体系具有最高的电导率，经纯Ｎａ２ＳＯ４约高２个数量级。此时 高、低温度段和电导活化能分别为０．３８ｅＶ和０．８２ｅＶ     

美国1993年合纤产量

美国１９９３年合纤产量ＰＥＴ短纤维１０３．９万ｔ（－０．２％），民用长丝为４０．８万ｔ（＋０．１％），工业用丝１７．４万ｔ（＋０．４％）；ＰＡ短纤维４３．０万ｔ（＋２．９％），ＢＣＦ丝４９．６万ｔ（＋７．０％），民用丝１６．７万ｔ（－０．７％），工业...     

聚合氯化铝的表面张力与其混凝能力的关系

本文采用毛细管上升法测定了不同羟铝比（γ＝ＯＨ／Ａｌ）和不同铝含量（Ａｌｒ）的聚合氯化铝（ＰＡＣ）溶液的张力（σ），并采用ＰＡＣ溶液对造纸废水中的需氧污染物进行混凝实验。结果表明，在相同铝含量的不同γ值的ＰＡＣ溶液，γ＝１．２时，σ值最大，而且ＰＡＣ溶液的σ值与其对需氧污染物的去除率（Ｒ％）呈正相关的趋势。由此，应用ＰＡＣ溶液的σ值大小评估ＰＡＣ混凝性能并讨论对需氧污染物的混凝机理。