氧化铜为助熔剂制备硼酸铝晶须

利用H3BO3和Al(OH)3为原材料,CuO为助熔剂制备硼酸铝9Al2O3·2B2O3晶须。经研究发现,试样在1350℃煅烧6h,试样的物相为硼酸铝相。以CuO为助熔剂制备的硼酸铝晶须,其直径较均匀为1～5μm,长度为10μm。     

氧化铜为助熔剂制备硼酸铝晶须

利用H3BO3和Al（OH）3为原材料,CuO为助熔剂制备硼酸铝9Al2O3·2B2O3晶须。经研究发现,试样在1350℃煅烧6h,试样的物相为硼酸铝相。以CuO为助熔剂制备的硼酸铝晶须,其直径较均匀为1～5μm,长度为10μm。     

Cd（OH）2和CdO纳米带的制备

以Cd(NO3)2·4H2O和NH3·H2O(质量分数25%～28%)为原料,在无任何模板存在下采用常压液相法制备了Cd(OH)2纳米带,将Cd(OH)2纳米带在350℃下煅烧4 h得到形貌相似的CdO半导体纳米带材料.XRD、TEM和SAED等测试结果表明,适当的温度对于Cd(OH)2和CdO纳米带的形成是必须的;所制得的Cd(OH)2纳米带为六方单晶结构,宽度为100～200 nm,长度达1.5 μm,厚度约为30 nm;CdO纳米带为面心立方单晶结构.     

助熔剂法制备硼酸铝晶须

以Al（OH）3和H3BO3为原料,分别以MnO2、Fe2O3为助熔剂制备硼酸铝晶须,研究助熔剂对晶须形貌的影响。研究发现,在1350℃煅烧6h,试样的物相为硼酸铝（9Al2O3·2B2O3）。以MnO2为助熔剂的试样晶须的直径为1μm～6μm,长径比较小;以Fe2O3为助熔剂的试样晶须的直径为0．2μm～1μm,长径比〉10。     

Li_2SO_4-K_2SO_4及NaCl-KCl对硼酸镁晶须结构与抗压强度的影响

以硼酸和碱式碳酸镁为原料,采用原位合成法制备了硼酸镁晶须,研究了二元烧结助剂对硼酸镁晶须的结构及抗压强度的影响,并分别用TG、XRD和SEM对样品进行表征,分析得到硼酸镁晶须的过程转变机理及硼酸镁晶须的组成晶相和形貌。实验结果表明,当未添加烧结助剂时,孔隙率为62.57%,抗压强度为10.32 MPa,晶须直径为0.2～0.6μm,长度为3～5μm。添加二元烧结助剂会降低硼酸镁晶须的孔隙率并提高其抗压强度。当烧结助剂为Li_2SO_4-K_2SO_4时,孔隙率为48.37%,抗压强度为16.21 MPa;当烧结助剂为NaCl-KCl时,孔隙率为45.27%,抗压强度为16.39 MPa。     

表面活性剂CTAB辅助溶胶–凝胶法制备硼酸铝纳米棒

以仲丁醇铝(aluminum tri-sec-butoxide,ATSB)和硼酸为原料,采用阳离子表面活性剂(cetyltrimethyl ammonium bromide,CTAB)辅助溶胶–凝胶法于120℃形成白色干凝胶,再进行焙烧得到硼酸铝纳米棒。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线能量色散谱仪和Fourier变换红外光谱仪对产物结构和形貌进行表征。结果表明:750℃焙烧产物为具有单晶结构的Al4B2O9纳米棒,,其形貌及直径、长度受ATSB和硼酸摩尔比影响;当ATSB与H3BO3摩尔比为1:2时,Al4B2O9纳米棒直径约为15nm,长度为200～300nm。1200℃焙烧的产物为Al18B4O33纳米棒,其直径为200～500nm,长度约为3μm。对硼酸铝纳米棒的形成机理进行了初步探讨。     

微乳液-共沉淀-煅烧法制备不同形貌的钛酸钡纳米粒子

以Ti(OC4H9)4,H2C2O4-2H2O和BaCl2-2H2O为原料,在水溶液/辛基酚聚氧乙烯(9)醚/正己醇/环己烷反相微乳液体系中制得了前驱体BaTiO(C2O4)2-4H2O.在700℃煅烧前驱体BaTiO(C2O4)2-4H2O4h分别制得直径约为40～80nm的BaTiO3球形纳米粒子和长约180～300nm、直径为50～80nm的BaTiO3纳米棒.用X射线衍射、透射电镜、选区电子衍射、Fourier红外光谱分析和热重分析表征了所制备的BaTiO3纳米粒子的结构和性能.结果表明:所制备的BaTiO3纳米粒子大小均匀,属立方相,具有单晶结构.改变水与表面活性剂的摩尔比能控制BaTiO3纳米粒子的大小和形貌.     

助熔剂法制备硼酸铝晶须

以Al(OH)3和H3BO3为原料,分别以MnO2、Fe2O3为助熔剂制备硼酸铝晶须,研究助熔剂对晶须形貌的影响。研究发现,在1350℃煅烧6h,试样的物相为硼酸铝(9Al2O3.2B2O3)。以MnO2为助熔剂的试样晶须的直径为1～6μm,长径比较小;以Fe2O3为助熔剂的试样晶须的直径为0.2～1μm,长径比>10。     

液相微波法合成三水碳酸镁晶须的研究

以MgCl2·6HL2O和NH4HCO4为主要原料,在添加剂空白的条件下,采用液相微波法制备MgCO3·3HO晶须晶体,并分析了反应时间、微波辐照能量对晶体制备的影响.利用XRD、TEM等技术对制备产物进行表征.结果表明,MgCl2·6H2O和NH4HCO4混合物在微波辅助条件下反应6min,微波辐照能量400W时,合成的晶须结晶发育完整,晶须平均长度172 μm,长径比达16.86.在此基础上,进一步探讨了微波效应与三水碳酸镁晶须晶体的生长机理.     

以氨化碱式氯化锌为前驱体制备花状多孔氧化锌

用化学沉淀法结合后续的煅烧工艺制备了三维花状多孔氧化锌.用XRD、FE-SEM、TG-DTA和BET对产物进行分析.沉淀法制得的前驱体为花状氨化碱式氯化锌(Zn5(OH)8Cl2·xH2O·yNH3,记为ZHC-NH3),ZHC-NH3是氨分子插入到碱式氯化锌(Zn5(OH)8Cl2·H2O,记为ZHC)层状结构的层间所得的产物.通过水浴加热可以除去层间氨分子,得到ZHC纯相.ZHC-NH3前驱体花状结构的直径在80～ 150 μm之间,是由很多互相穿插的纳米片组成,纳米片的厚度为～ 100 nm,直径为～20 μm.ZHC-NH3经过煅烧,释放出H2O、NH3和HCl等挥发性气体,得到多孔的氧化锌.这些多孔氧化锌良好继承了ZHC-NH3前驱体的花状形貌.本文提出了ZHC-NH3向ZnO转变的可能的分解机制,也讨论了花状ZHC-NH3前驱体的合理的生长机理.     

格氏试剂氯乙烯镁中单质镁含量测定

建立了格氏试剂氯乙烯镁中残留单质镁含量测定方法.二溴乙烷与格氏试剂氯乙烯镁中残留单质镁在低温下完全反应.利用以联苯为内标的气相色谱法测定二溴乙烷消耗量,根据二溴乙烷的消耗量计算格氏试剂中残留单质镁含量.该方法,准确、稳定具有很好的重现性,相对标准偏差小于1.5%,可用于格氏试剂氯乙烯镁质量控制.     

镁在植物生长中的作用及镁肥

讨论了镁在植物生长过程中的作用与我国土壤缺镁的现状和对镁肥的需求,介绍了镁肥的品种,重点讨论了枸溶性含镁复合肥磷酸镁铵的性质和以盐田苦卤为原料制取磷酸镁铵的方法,认为铁肥的需求量定将大幅度增加.     

无水硫酸镁对氧化镁水热产物的影响

以轻烧菱镁矿获得的氧化镁为原料,在温度为160℃、搅拌速度为400 r/min的条件下反应,研究无水硫酸镁对氧化镁水热产物的影响.当MgO与MgSO4的摩尔比为10:1时,反应6 h的水热产物是纯度高、结晶度好的六方片状氢氧化镁;当MgO与MgSO4的摩尔比为2.5:1时,前3 h水热产物是六方片状氢氧化镁,随后出现碱式硫酸镁晶须并且其生成量越来越多;当MgO与MgSO4的摩尔比为10:7时,前50 min水热产物是六方片状氢氧化镁,然后出现碱式硫酸镁晶须,直至6 h全部生成直径约为300 nm、表面光滑的碱式硫酸镁晶须.在此过程中,小颗粒氢氧化镁出现溶解现象,形成碱式硫酸镁晶核,大颗粒氢氧化镁与溶液中的MgSO4、H2O生成大量MgSO4·5Mg(OH)2·3H2O(153型碱式硫酸镁),在其生长方向上生长基元Mg-O6进入由于螺旋位错形成的二维台阶的凹陷处促使其沿位错方向稳定生长为晶须.无水硫酸镁的浓度越大,生成碱式硫酸镁晶须越多,生成碱式硫酸镁晶须所用时间越短.     

镁的表面处理

综述了镁及其合金的表面清洗，化学处理，阳极氧化，涂敷有机物等表面处理方法。     

Hot-Pressing Magnesium Fluoride

Hot-pressing powdered magnesium fluoride resulted in a polycrystalline compact with essentially the density and transmittance of a single crystal. Compacted powdered MgF₂ was heated to 650°C and held under a pressure of 30,000 psi for 15 minutes. The starting material had to be free from impurities which would form a second phase, and the presence of water and bound hydroxyl groups had to be minimized. Overheating caused the starting material to resist hot-pressing. It is postulated that mechanical bulk decrease was followed by plastic deformation during pressing and that both solid and surface diffusion of material took place to complete the coalescence of the grains.     

高纯无水氯化镁的制备及制镁工艺

以氢氧化镁为原料与乙醇混合,通入氯化氢气体,使固体全部溶解.加热蒸馏,使其形成无水氯化镁乙醇溶液.蒸馏过程中不断搅拌,并继续通氯化氢气体使溶液中氯化氢始终处于饱和状态.蒸干得到粉末状无水氯化镁晶体.经检验制得的无水氯化镁中氧化镁的质量分数小于0.1％.氯化镁的纯度取决于原料杂质的含量.试验确定了原料的最适宜投料比,并且...     

由七水硫酸镁生产碳酸镁和氧化镁

叙述了以七水硫酸镁和碳酸氢铵为原料,制备碳酸镁和氧化镁的方法,并通过小试对合成碳酸镁的实验温度、时间及反应浓度进行了讨论,找出了正确的工艺条件,并生产出了符合标准的轻质碳酸镁和氧化镁。     

海城镁矿地区土壤镁污染评价及修复研究

对辽宁海城镁矿周边耕层土壤镁污染状况进行调查,然后采用生理酸性肥料和有机肥,利用共沉淀原理,对污染土壤进行了修复研究,得出主要结论如下:海城镁矿地区耕层土壤总镁含量较高。按照单因子污染指数进行分级,非污染(P<1)和轻度污染土壤样点(13)样点,占总采样点的62.5%;过磷酸钙和硫酸铵配合使用,可有效降低土壤中镁的浓度,取得明显的修复效果。其中,硫酸铵的影响达到极显著水平,过磷酸钙的影响达到显著性水平,而有机肥对水溶镁的去除和生物量的影响较小,没有达到显著水平;通过正交试验确定水溶镁去除的最优实验条件为硫酸铵2.7g/kg、过磷酸钙1.00g/kg,有机肥量25.0g/kg。促进作物生物量的最优实验条件为:硫酸铵2.7g/kg、过磷酸钙0.75g/kg,有机肥量25.0g/kg。     

硫酸镁一步法制备氢氧化镁阻燃剂

实验确定了由硫酸镁一步法制备阻燃型氢氧化镁较适宜的条件为：表面处理剂添加量5~10 mL(以制备5 g氢氧化镁为基准),恒温处理时间3~4 h,陈化时间4~6 h. 此工艺条件下,所制得的氢氧化镁样品XRD分析表明,(001)面对应的衍射峰强度明显高于(101)面,样品(101)方位的扭歪值h<3.0′10-3,比表面积SDET<20 m2/g,颗粒形貌为棒状,直径为25~50 nm,长径比为8~10,且分散性好,样品符合阻燃型氢氧化镁的特殊要求. 该工艺具有流程短、设备简单、操作条件温和(常压、低温操作)、成本低等特点.