渗硅碳化硅材料结构与性能关系的研究

采用低廉石油焦碳分为原料制造全碳粉生坯，通过有机添加剂来调配生坯中碳的比例，以控制烧结体中游离硅（fsi）、游离碳（fC）含量（其中fs,fc为烧结中未反应的硅和碳），研究了全碳粉反应硅碳化硅（PCRSC）材料的结构与力学性能的关系，分析了渗硅碳化硅材料中游离硅、游了碳含量对抗弯强度的影响。结果表明：渗硅碳化硅材料中随游离硅含量的增加，其抗弯速度下降，并且二者呈直线关系，符合线性复合规则，另一方面，游离碳含量较高的渗硅碳化硅材料，尽管游离硅含量低，但其抗弯强度低于等量或较多游了硅含量的渗硅碳化硅材料的抗弯强度。     

碳化硅材料中游离硅及游离碳对性能的影响

研究了全碳粉反应渗硅碳化硅（PCRBSC）材料的结构与力学性能的关系。分析了渗硅碳化硅材料中游离硅（fsi),游离碳（fc)含量对抗折强度的影响。结果表明：参硅碳化硅材料中随游离硅（fsi)含量的增加,其抗折强度下降,并且二者呈直线关系,符合线性复合规划,另一方面,游离碳（fc)含量较高的渗硅碳化硅材料,尽管游离硅（fsi)含量低,但其抗折强度低于等量或较多游离硅（fsi)含量的渗硅碳化硅材料的抗折强度。     

β-SiC微粉纯化试验研究

为避免碳化硅微粉中的杂质对其产品质量和性能产生较大影响,现对β-SiC原料中含量较多的几种杂质进行去除试验研究.通过静态煅烧和物理浮选结合法分离游离碳,采用酸碱处理法去除原料中含有的游离硅、二氧化硅、铁单质及其氧化物,借助化学分析法、激光粒度仪和扫面电镜对纯化后的碳化硅样品进行分析.通过考察反应温度,酸碱浓度以及加热时间等条件对其除杂效果的影响,最终得到β-SiC微粉最佳提纯工艺.     

电气石中游离二氧化硅的测定及不确定度评定

电气石中游离二氧化硅的含量决定了电气石在开采、加工过程中对劳动者的危害程度。先后使用焦磷酸、氢氟酸对电气石样品进行处理，用重量法对其含量进行测定，并对测定过程中的不确定度来源进行了分析和量化，不确定度来源包括实验过程的重复性、天平称量质量、样品处理过程中的影响因素。实验结果表明，当电气石中的游离二氧化硅含量为7.13%,在置信因子为95%时，取包含因子k=2,其扩展不确定度为0.76%。测量结果的主要不确定度来源于实验过程的重复性。     

渗硅碳化硅材料的研究

本文通过调整生坯结构,研究了全碳粉渗硅碳化硅（PCRBSC0的显微结构及力学性能。实验结果表明：生坯结构影响烧结体显微结构,同时显微结构、游离硅含量影响材料力学性能,渗硅碳化硅（PCRBSC0材料中随游离硅含量的增加,其抗折强度下降,并且二者呈直线关系,符合线性复合规则：P＝∑i=1^nPiVi。     

单质硅的化学分析

目前,市场上出售的硅粉,其Si含量(w)有95%与97%两种.在硅粉的生产配料中C是稍过量的,正品硅粉中很少有SiO2,因此,采用氢氟酸挥散法测得挥发掉的部分就可认为是单质Si.若硅粉中混杂了SiO2,用氢氟酸挥散法则无法将二者区分,导致硅含量的测定结果偏高.GB/T14849<工业硅化学分析方法>只能测定Ca、Fe、Al量,也解决不了SiO2存在的影响.在此,将笔者分析硅的方法加以整理,以供参考.     

硅石、萤石中二氧化硅的测定

一、前言“氢氟酸——氟硅酸钾直接滴定法测定玻璃中的二氧化硅”,首次用氢氟酸在常温常压下快速、完全地分解了钠钙硅铝硼玻璃试样并成功地在共存元素不分离的情况下直接水解滴定氟硅酸钾,准、快、省、简地测定了中碱、无碱、平板等玻璃中的二氧化硅。目前尚未见有类似的方法报导,为硅酸盐中高含量二氧化硅的测定开辟了新的途径。文献证明:CaF_2、MgF_2、BF~-_4、NaF、KF等氟化物非常稳定,并不干扰氟硅酸钾的水解滴定;氟铝酸钾的水解是微弱     

磷肥副产硅胶生产碳化硅的实验研究

磷肥副产硅胶产量可观,其主要成分是二氧化硅,是加工硅系列产品很好的原料.碳化硅属第三代半导体材料,经济价值高,应用前景好.概述了以二氧化硅为硅源制备碳化硅粉体的主要方法,并介绍利用磷肥副产硅胶碳热还原法生产碳化硅的实验研究.     

氢氟酸转化分光光度法测定水中全硅

用氢氟酸将水中的不溶性二氧化硅转化为可溶性二氧化硅,采用硅钼黄法进行测定。本法对水中高含量全硅的测定,结果令人满意。     

单质硅粉加入量对氮化硅结合碳化硅砖抗冰晶石侵蚀性能影响的研究

铝电解槽用氮化硅结合碳化硅砖的生产广泛地采用反应烧结法,即单质硅粉和碳化硅混合在氮气气氛下烧结而生产氮化硅,单质硅粉的加入量对氮化硅的含量以及氮化硅结合碳化硅砖抗冰晶石侵蚀性能有着重要的影响.模拟挪威SINTEF实验室抗冰晶石试验方法,研究了单质硅粉加入量对氮化硅结合碳化硅制品的抗冰晶石侵蚀性能的影响,为氮化硅结合碳化硅砖的生产和应用提供依据;结果表明,单质硅粉加入量为17％时试样的抗冰晶石侵蚀性能最佳;对氮化硅结合碳化硅抗冰晶石侵蚀机理研究表明,在有氩气保护的环境下,侵蚀机理方面主要是氟盐从气孔对砖的渗透,而F-和Na+的渗透力最强.     

碳化硅微粉中去除硅和二氧化硅工艺的研究

本文主要研究了除去碳化硅微粉中硅和二氧化硅的方法及最佳工艺条件.     

分析碳化硅耐火材料的新方法

本文介绍了一种分析碳化硅耐火材料的完整程序。现代仪器的发展导致了更精巧的分析步骤以及更快的分析速度。主要的改进是采用“Coulomat碳分析仪”来测定石墨和碳化硅以及利用微波溶解装置来测定氮，它代替了以前方法中的压力容器系统，并研究出一各“固体稀释”技术来制备极细的均匀样品。通过改善了的精度表明，由此所得的小样品足可代表原来的大批量材料。用直接法估计二氧化硅的含量（原先是用差减法从总硅量中求得），这个方法可与其它方法平行进行。游离硅用气体体积法测量。基于两步熔融技术测定总量硅，氧化铝、氧化钙和氧化镁的快速方法不必先除去石墨碳。所有来源的硅都能以溶液形式存在于稀释酸中，各种组份的测定用原子吸收光谱法进行。对用标准材料以及典型的碳化硅耐火材料共同研究的结果，表明了这种新方法的可行性。     

反应烧结碳化硅高温性能的研究进展

反应烧结碳化硅具有优良的力学性能、抗侵蚀性能和抗氧化性能等优点,是一种高致密度、低成本和净尺寸成型的材料.但由于反应烧结法的特殊工艺,反应烧结碳化硅中常含有较多游离硅,严重损害了材料的高温性能.主要阐述了反应烧结碳化硅高温力学性能、抗氧化性能、导热性能和抗热震性能的研究现状,并总结了近年来降低游离硅含量、提高反应烧结碳...     

反应烧结碳化硅的显微组织及其导电性的研究

研究了液态硅参与下的反应烧结碳化硅的工艺参数、显微组织对其电阻率的影响.随着烧结气氛压力和成型压力增加,反应烧结碳化硅中游离硅量减少,电阻率增加.其烧结机理以碳的溶解及碳化硅的淀析过程为主.     

氮化硅结合碳化硅耐火材料的耐磨性及锋利性研究

以高纯碳化硅、单质硅为原料,树脂为结合剂,在氮气气氛1400℃下保温5 h制备出2种高氮化硅含量的氮化硅结合碳化硅耐火材料(试样S1和试样S2的单质硅添加质量分数分别为25％、35％).与市售氮化硅结合碳化硅耐火制品S0(单质硅添加质量分数为15％)对比,研究了3种材料的物相组成、抗折强度、透气性、耐磨性、显微结构等....     

渗硅碳化硅材料的高温氧化

研究了全碳粉反应渗硅碳化硅(PCRBSC)材料,在1300℃静态空气中的高温氧化行为.研究结果表明:PCRBSC材料的氧化过程遵循直线-抛物线规律,其结构对高温氧化有很大的影响,特别是游离硅fsi和游离碳fc的含量对氧化影响更大,fsi含量高的PCRBSC材料单位面积氧化增重(Δm/s)明显,fc含量高的PCRBSC材料氧化后表现为先减重后增重,氧化层断口经扫描电镜观察有明显的气孔存在.     

对磷矿中二氧化硅测定方法的初步评价

<正> 根据资料报导,测定二氧化硅含量的方法不少,主要有盐酸脱水重量、法硫酸——氢氟酸处理酸不溶物重量法、动物胶凝聚重量法、CTAB(季胺盐)凝聚重量法、高氯酸脱水重量法、氟硅酸钾容量法以及硅钼兰比色法等等。目前我国对磷矿中二氧化硅的测定多采用     

流化床法除去微硅粉游离碳工艺研究

本文采用流化床作为反应装置,改变进入流化床反应器气体的流速使微硅粉达到最佳流化效果,通过对比空气气氛和氧气气氛下微硅粉的除碳效果,调整反应温度、反应时间选择最佳反应条件.结果表明:在氧气气氛下,反应温度700℃,反应时间3.0h,微硅粉中游离碳含量从1.25％下降到0.05％,烧失量从3.36％下降到0.92％,微硅粉中二氧化硅纯度从81.62％提高到85.92％;在空气气氛下,反应温度为700℃,反应时间为3.0h,微硅粉中游离碳含量从1.25％下降到0.027％,烧失量从3.36％下降到0.99％,微硅粉中二氧化硅纯度从81.62％提高到86.97％.本技术能够有效除去微硅粉中游离碳杂质,提高微硅粉的纯度,提高了产品的附加值.     

矿石中游离二氧化硅的快速物相分析

介绍了矿石中游离二氧化硅的快速物相分析方法。以热浓磷酸 硝酸溶解硅酸盐、氧化矿物、硫化矿物、碳酸盐等 ,使游离二氧化硅与其它矿物分离 ,直接称量测定游离二氧化硅。     

工业微硅粉除铁试验研究

微硅粉是硅铁合金和工业硅生产过程的副产品,特殊的高温生成环境使微硅粉颗粒形成致密的玻璃态表面,不溶于一般的酸(氢氟酸除外)和碱.本文采用混酸加氟法对工业微硅粉进行除铁试验研究,试验研究了酸的种类和质量分数、固液比、混酸配比、氢氟酸的加入量、酸浸温度和时间等因素的影响,结果表明:最佳的工艺条件是混酸的成分为3%HCl 17%H2SO4,液固比为1.5 g/100 mL,氢氟酸与混酸的质量体积比为0.56%,70℃下酸浸3 h,除铁率可达到67.66%.