多抛物量子阱的共振隧穿

通过求解薛定谔方程得到多抛物量子阱的变换矩阵和透射系数．利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度．最后讨论了抛物阱的个数对共振隧穿的影响     

浅施主杂质在对称GaAs/AlxGa1-xAs双量子阱中的束缚能

为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值．     

Zn1-xCdxSe/ZnSe的量子Stark效应的变分法研究

用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下，Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律，并根据所得的Ee、Eh和Eb数据，计算出激子吸收峰的Stark移动。计算结果显示，随着外电场强度和 量子阱宽度的增大，量子Stark效应变得更为显著，本文还把计算所得的Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较，当阱宽等于9nm，电场为100kV/cm时，两者符合得较好。     

阶梯型量子线中电子自旋极化输运性质的研究

采用递归格林函数法研究了含Rashba自旋轨道耦合效应的阶梯型量子线中电子自旋极化输运性质.结果表明由于多阶梯结构量子线的纵向不对称性和Rashba自旋轨道耦合效应产生的势阱导致系统中出现了准束缚态,它与连续态耦合,从而使系统电导出现了Fano共振结构.进一步研究发现,随着共振腔长度的增加,系统电导的共振峰数目会增加,幅度也会增强.与单阶结构相比,多阶结构的极化电流更大,并且在特定能量区间出现了若干条禁带.这些效应说明所研究的体系有可能能用来设计自旋电子器件.     

不同厚度氮镓铟/氮化镓量子阱的光学特性研究

针对半导体薄膜厚度对器件光学特性的影响,利用金属有机物气相外延法研究了蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN单量子阱结构,其在室温下的的光学特性.大量实验结果表明,随着样品InGaN势阱层宽度的增加,光致发光谱的发光峰值波长出现了明显的红移现象,而且发光强度下降,谱线半高全宽展宽.通过对不同样品的透射、反射光谱研究发现,量子阱层窄的样品在波长接近红外区时出现无吸收的现象,而在阱层较宽的样品中没有发现这一现象.     

超晶格中的电子谱

对多年来超晶格多量子阱中的电子谱滤波及相关研究成果进行了总结、归纳，并研究了纳米面材料的电子滤波，超晶格多量子阱中的电子谱．叙述了周期超晶格和非周期超晶格中的电子透射和反射系数，介绍了外场下超晶格中的电子谱．外界条件可引起超晶格中内建电场的变化，进而引起隧穿电流的变化．     

磁场作用下抛物量子阱线中激子的束缚能

采用差分的方法在准一维有效势模型下对抛物型量子阱线中激子性质受到磁场的影响进行了计算,分析了磁场对量子阱线中激子的束缚能以及电子和空穴之间的平均距离作用.结果表明:外加磁场会增加量子阱线中激子的束缚能,并且磁场对束缚能的作用会受到量子约束势的影响,在量子约束势较弱时磁场的影响较大,量子约束势较强时磁场的影响较小;外加磁场会减小电子和空穴间的平均距离.     

双势垒量子阱中的纵向光学声子模

本文应用具有色散的连续介质流体力学理论，研究双势垒量子阱中的纵向光学声子模。研究，当势垒层宽度大于量子阱宽度时，光学声子模是禁闭在量子阱中的，当势垒层宽度较小时（一般约为或小于量子阱宽度的十分之一），双势垒量子阱中可存在更多支纵向光学声子模，获得了这些波导光学声子模和界面光学声子模和色散关系方程，并用数值方法计算了它们的色散关系。     

强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁

选取Al0.3Ga0.7As/GaAs的非对称双量子阱结构,在有效质量近似条件下计入电子-电子相互作用所产生的Hartree势,采用转移矩阵方法研究了外加强激光场和电场作用下非对称双量子阱结构中子带间的跃迁和光吸收性质,并且详细讨论了外场对跃迁和吸收的影响。结果发现,通过调节高频激光场和电场强度,非对称双量子阱中子带间的吸收峰将发生蓝移或红移,并且吸收峰峰值也随之发生改变,高频激光场和电场对器件的光学和电学性质具有重要的影响,对电子态的进一步调控具有重要的意义。     

量子阱效应及其光电性质的表面光电压谱表征

讨论了量子阱限制效应、激子的束缚能以及激子峰的形成,分析了量子阱的光电特性及量子阱表面光电压的形成和特点。结果表明:量子阱有根本不同于体材料的光电特性。     

T-stub型低维导体中的共振隧穿效应

用格点格林函数的方法研究T-stub型低维导体中的共振隧穿效应。计算结果表明,电子能够在一 定费米能级处完全穿过整个导体,呈现共振隧穿的行为。随着费米能级的增加,参与隧穿的模数增加,透射系数的 最大值也从1变成2,3等。计算结果对量子器件的设计有一定的帮助作用。     

单阶梯和双阶梯形势垒的透射系数

通过求解薛定谔方程得到了一维多阶梯势垒的传输矩阵和粒子透射系数的计算公式,具体给出了单阶梯势垒、双阶梯势垒的透射系数结果及其透射系数随入射粒子能量变化的曲线。     

Spin injection in a ferromagnet/resonant tunneling diode heterostructure

The spin transport property of a ferromagnet (FM)/insulator (Ⅰ)/resonant tunneling diode (RTD) heterostructure was stud-ied. The transmission coefficient and spin polarization in a multilayered heterostructure was calculated by a Schrdinger wave equa-tion. An Airy function formalism approach was used to solve this equation. Based on the transfer matrix approach,the transmittivity of the structure was determined as a function of the Feimi energy and other parameters. The result shows that the spin polarizat...     

一维双量子点系统的电子隧穿及电导

研究了在量子点系统中的共振隧穿,光子辅助隧穿和自旋极化隧穿现象。根据紧束缚近似理论,给出了在稳态下双量子点系统的哈密顿量,并获得在库仑阻塞体系下双量子点系统电导率的表达式。在小功率微波体系下,得到了在单光子辅助隧穿情况的电子传输特性。双量子点的门电压将影响对应频率的光的吸收,系统的电导率将出现对频率的线性依赖性。在外加磁场条件下,发现了在库仑阻塞体系下的自旋极化现象。     

点间耦合强度对平行耦合三量子点体系电导的影响

利用非平衡格林函数方法,通过一个平行耦合三量子点系统的电导被研究。电导作为电子能级的函数被数值计算。通过调整点间隧穿耦合强度,共振峰可以转变为Fano反共振峰。此外,在电导能谱中观察到2个Fano反共振峰和一个Breit-Wigner共振峰。     

隧穿问题的方势垒逼近方法

提出了计算隧穿问题的一种新方法，即用一系列方垫垒代替给定的垫垒，然后通过求解２薛定谔方程得到变换矩阵和透射系数，该方法适用于任意形状的垫垒。数值验证表明该方法有很高的精度。     

隧穿问题的Numerov算法

提出了计算电子隧穿问题的一种新的数值方法，该方法适用于任意形状的一维势垒．在该方法中首先要用高精度的Numerov算法求解定态薛定谔方程，再利用所得结果计算电子透射系数．为检验算法精度，计算了电子对矩形双势垒及三角形势垒的透射系数，数值计算结果与相应的精确解对比表明，文中提出的算法具有很高的精度．     

WSN能耗平衡变长传输研究

WSN中的能量空洞问题影响网络的生存寿命,能量均匀消耗被认为是解决该问题的有效方法.提出了变长传输的策略,将圆形无线传感器网络划分成不同宽度的同心圆环,圆环中的传感器节点采用相同的传输距离,以保证能将数据通过一跳传输到下一环.在已知环数和传感器网络半径的情况下,设计了二分搜索算法计算能耗平衡时环的宽度.数值计算证实能实现传感器能量消耗的平衡,并能求得各环的宽度配置,获得能耗均衡时总能量消耗最小时的环数.     

中继式传能绝缘子温度特性研究

磁谐振耦合式无线电能传输线圈嵌附在绝缘子上可为输电线路监控系统供电。这是一种可应用于电力系统的新型供电方式。在具有无线电能传输能力的绝缘子（传能绝缘子）长期运行过程中产生的温度升高现象影响着电力系统的安全运行。针对传能绝缘子的温升问题,文章讨论了中继式磁耦合谐振式无线能量传输（MCR-WPT）系统电能传输特性;利用多物理场计算软件,研究了传能绝缘子的电能传输效率及传能绝缘子在不同电输入功率和不同气象环境中的温度变化特性。仿真结果表明,在环境1和环境2中,系统的电输入功率可达到30 W,传能绝缘子传输性能仍保持在65%左右。实验结果表明:实验结果和仿真结果基本一致;实验温度为25.2 ℃、输出功率为6.5 W时,传能绝缘子连续运行25 min,表面最高温度升高约3 ℃。     

机械球磨对Sr2FeMoO6磁电阻性能的影响

利用固相反应方法合成了纯相的Sr2FeMoO6多晶块状陶瓷材料,并通过机械球磨方法改变了其晶界状态,研究了晶界状态对Sr2FeMoO6粉末磁电阻性能的影响．X射线衍射分析表明,机械球磨并没有改变材料的晶体结构,但却在晶粒间界处引入了SrMoO4绝缘相．而且其含量随着球磨时间的增加而增加．不同磁场下的磁电阻测量结果显示,由于一定量SrMoO4绝缘相的存在,使晶粒间的绝缘隧穿势垒得到加强,有利于自旋极化电子在晶粒间的隧穿,提高了Sr2FeMoO6多晶粉末材料低温时的磁电阻值．随着温度的升高,磁电阻值迅速下降,表现出较强的温度依赖关系．分析结果表明：晶界状态对Sr2FeMoO6多晶粉末磁电阻的性能有十分重要的影响．