小直径金属线材单晶化技术原理及工艺

在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．理论和工艺实验结果表明，小直径线材单晶化技术满足制备单晶线材对固液界面的要求，可将直径较粗的多晶金属线材直接拉制成长度不受限制、直径较细的单晶金属线材，功率和连铸速度适当配合时，可在较大范围内获得表面光滑的单晶铜线材。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术，理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术，理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术，理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题，近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

简讯

金属线材单晶化方法与设备单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防“十五”项目等多项基金项目资助。     

金属线材单晶化方法与设备

单晶制备技术是西安工业大学一个重要研究方向。1994年已在单晶金属线材的制备技术方面在国内率先展开研究。早期阶段开发出单晶连铸技术,理论上解决了固液界面形状位置的控制等关键性问题,近3年内获得国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、国防"十五"项目等多项基金项目资助。     

塑性变形单晶铜线材织构的研究

将单晶连铸技术制备的直径Φ8 mm工业单晶铜线材,在C733-4/ZF型工业拉丝机上按同一方向冷拔至直径分别为Φ4 mm、Φ2 mm和Φ1 mm的铜线材,应用极图分析和织构定量计算的方法研究了变形量与织构的关系.结果表明:变形单晶铜线材中的形变织构主要为<100>丝织构,也有少量<110>丝织构;随着变形量的增加,<100>丝织构的体积百分数先减小后增加,而<110>丝织构先增加后减小.     

单晶连铸小直径铜线材的静拉伸力学性能研究

采用单晶连铸技术生产的单晶铜线材不仅具有优美的外观和内部质量，也具有非常优异的塑性加工性能．单晶铜线材在实际应用时，一般需要进行数次冷拔变形，因此，研究其力学性能，对单晶线材获得广泛应用具有实际意义．采用自制的单晶连铸设备，制备出直径为2．6mm的单晶铜线材和多晶铜线材．对两种线材的力学性能进行测试分析，并与普通铜线材进行对比．结果表明：采用单晶连铸技术生产的铜线材的抗拉强度和屈服强度均比普通铜线材低的多，而延伸率却有大幅度提升．同种技术生产的单晶和多晶两种线材相比，单晶铜线材的塑性更为优异．对拉伸断口进行扫描发现：单晶连铸多晶铜线材和普通铜线材的断裂为典型的微孔聚集型断裂，而单晶铜线材的断裂属于滑移延伸断裂．     

单晶铜线材在制备过程中的晶粒演化

采用了热型连续铸造方法,选用相同的工艺参数制备出不同直径的铜线材,用光学显微镜分析了线材晶粒形成及生长过程.结果表明:在一定的牵引速度下,纯铜线材晶粒生长的特征是从引晶开始阶段的等轴多晶体渐渐演化为柱状多晶体,最终形成单晶体;随着线材直径的增大,起始晶粒个数在增加;生长成单晶的时间也在增加,经X射线衍射和透射电镜分析能够确定,单晶铜线材晶体择优生长方向为<100>.     

金属线材在拉伸过程中的温升分析与计算

在深入分析金属线材拉伸过程中线材产生温升的原因及影响因素的基础上，从能量守恒的观点出发，总结了两种计算线材发热量的方法，并推导出了计算线材温度的递推公式。     

区熔连铸法制备单晶铜的铸型温度场分布

利用区域熔化-热型连铸法制备单晶铜线材这项新技术中,能否通过控制不同的加热功率和牵引速度来控制铸型温度场的合理分布是成功生产单晶线材的关键.本实验在加热功率为7 kw,8 kw和9 kw,牵引速度为40 r/min,60 r/min,80 r/min和100 r/min,对金属钼丝牵引的铸型温度和型口温度进行了测量,并对每组线材的组织演化过程及单晶的生长方向进行观察、分析和标定. 结果显示,铸型温度主要受加热功率控制,而型口温度主要受牵引速度的影响;当加热功率与牵引速度在一定范围内匹配时,铸型温度场分布合理,可在一个较大的工艺控制范围内生产出无限长小直径单晶铜线材.     

塑性变形对单晶铜线材导电性影响的研究

为了研究塑性变形对单晶铜线材导电性的影响，以及电阻率与塑性变形量之间的定量关系，将Φ8mm的工业单晶铜线材冷拔后，得到塑性变形量不同的试样，用四端引线法精确测量其电阻率、结果表明，单晶铜线材的电阻率随塑性变形量的增加而上升，其原因是由于单晶铜线材的微观组织畸变程度随塑性变形量的增加而加剧。     

核辐射探测器用溴化铊材料的真空蒸馏提纯及其单晶特性研究

报道了溴化铊多晶材料的真空蒸馏提纯工艺对溴化铊(TlBr)单晶性能的影响。先以硝酸铊(TlNO3)和氢溴酸(HBr)为原料,采用化学共沉淀法合成了TlBr多晶粉体,然后采用真空蒸馏法(VD)在不同的温度(520~640℃)下对TlBr多晶粉体进行提纯,用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)研究不同的提纯温度对多晶粉体纯度及杂质含量的影响。接着选用纯度较高的TlBr多晶粉体采用垂直布里奇曼法生长了直径为8 mm的TlBr单晶。ICP-MS测试结果表明,真空蒸馏提纯后,TlBr多晶粉体杂质含量均减小一个数量级;单晶的X射线衍射(XRD)测试表明,生长出的TlBr单晶其主要生长方向为[110];晶体的电阻率提高1个数量级以上,达到109W.cm,光学特性也明显改善,适合于探测器的制备。     

不同初始取向铜单晶制备技术的研究

为了获得制备确定初始取向铜单晶的最优工艺参数,采用不同的抽拉速度、坩埚材料以及单晶体生长通道参数值制备出铜单晶体试棒.并应用TEM,XRD衍射分析对其进行取向标定.结果表明:采用高纯石墨坩埚,单晶体生长通道直径为2 mm,在(1 450±5)℃下保温2 h,运动距离在30 mm以下时抽拉速度为2μm/s,运动距离超过30 mm时抽拉速度为8μm/s,所制备出的铜单晶体表面光洁均匀,且试棒的初始取向的偏差与设计值在3°以内.     

单晶铝线材实时动态拉伸试验研究

单晶铝线材除了具有健全的内部质量外,还具有非常优异的塑性加工性能．本文通过用自制的水平式单晶连铸设备制造出直径为８ｍｍ的纯铝金属单晶线材,对其进行实时动态拉伸试验和扫描电镜断口分析．结果表明：单晶连铸铝线材在变形量小于３９５％时,其塑性变形具有明显的单系滑移特征,当变形量大于３９５％时,才出现多系滑移特征．其断口分析表明：单晶材料为延性断口;而多晶材料的断口为典型的混合断口,除有少量的韧窝外,还有不少显微孔洞、二次裂纹     

氮化铝体单晶生长技术研究进展(英文)

评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶方法.介绍本课题组对物理气相传输法的一些改进.认为生长大尺寸氮化铝单晶体的研究将集中在精确控制生长条件、选择合适的坩埚材料、优化制备工艺和制备优质氮化铝籽晶等方面.     

后向线材直径测量系统的研究

基于后向测量法设计了线材直径测量系统,用2片光电池分别测量光源光强和信号光强,经过适当处理后做除法运算,可较好地消除光源光强波动的影响．利用光电池的积分效应能克服线材表面各处反射率不同的影响．在线材直径为1～6 mm时,实验结果的最大相对误差为1．1％．     

NiAl金属间化合物的制备技术

综述了NiAl金属间化合物的制备技术，包括熔模铸造、单晶制备、定向凝固、热压和热等静压、热挤压、扩散结合、机械合金化和燃烧合成等，并分析了这些制备技术的研究现状、优缺点、存在的问题及可能的解决方法。     

助熔剂法生长二钛酸钡单晶

针对二钛酸钡仅在一窄小的温度区间热力学稳定,其单晶制备比较困难的问题,首次利用助熔剂法生长二钛酸钡单晶.以合成的二钛酸钡粉末为前躯体,以偏硼酸钡为助熔剂,以少量氧化硼为相稳定剂,二钛酸钡和偏硼酸钡的摩尔比为2∶3,二钛酸钡和氧化硼的摩尔比为1∶0.25,泡料温度为1 180℃,降温速率为3.3℃/h.温度降至1 080℃时,终止温度程序,使其自然降至室温.成功地生长出了二钛酸钡单晶,晶体尺寸大约为2.5 mm×0.3 mm×0.3 mm.