Environmental Effects on Microstructural Stability of SiC/SiC Composites

LowZmaterialshavemanyadvantagesinnuclearenvirOInnellts,suchaslessProductionofradioactivewastesduetosubstantiallylowactivation,andhigherconVergentefficiencyduetothecapabilityofhightemp~OPeration.HopkinhasdiscussedSiC-basedmaterialsforfhaionreactorsfor...     

SiC／Cu粉团聚状态对SiC沉积率的影响

采用亚音速火焰喷涂技术制备了SiC／Cu金属基复合材料,研究了碳化硅与铜喷涂前团聚状态对碳化硅沉积率的影响．与未经团聚处理粉相比,SiC／Cu经团聚处理后沉积层中碳化硅沉积率高出1倍多．     

激光照射下SiC纳米颗粒原位生成晶须的试验

以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,进行了激光照射下SiC纳米颗粒原位生长晶须的试验,探索S iC晶须在激光照射下稳定生长的工艺参数及其生长过程。研究了所得三种晶须的生长过程,分析了PVB、PVA和CMC三种粘结剂以及激光参数对晶须生长的影响。     

碳化硅凝胶注模浆料的研究进展

在分析陶瓷浆料稳定分散机制的基础上,从碳化硅(SiC)粉体表面改性和分散剂处理两方面探讨了凝胶注模工艺中高固相含量、低黏度的SiC陶瓷浆料的制备问题.综述了SiC表面改性及其几种常见分散剂的研究进展,并指出今后研究中需要解决的问题.     

SiC抗辐照特性的分析

用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性,实验数据的对比表明,ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ）,结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感。从原理上预测了ＳｉＣ集成电路的单粒子反转（ＳＥＵ）截面,结果说明ＳｉＣ集成电路具有好的抗ＳＥＵ能力。     

Si对热压法制备Ti3SiC2/SiC复合材料的影响

通过热压法制备了Ti3SiC2／SiC复合材料，并通过扩散偶实验及组织观察，探讨了Si元素对热压制备Ti3SiC2／SiC复合材料的反应过程及组织的影响．结果表明，Si元素在反应过程中起主要作用，决定着反应进行的速度与方向．而且随着反应物中Si量的增加，更有利于Ti3SiC2／SiC复合材料的形成．     

热丝化学气相沉积(HFCVD)制备纳米晶态SiC紫外发光特性研究

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术在Si(111)衬底上生长了SiC薄膜.通过电子能谱(EDX)、X射线衍射(XRD)和时间分辨光谱等分析手段对样品结构、组分进行了分析.实验结果表明所制备的样品为纳米晶态SiC,并通过计算得到验证,对所制备样品进行光致发光特性测试,观察到其在室温下有较强的紫外发光.     

Ti3SiC2及Ti3SiC2基复合材料的研究现状及发展

介绍了Ti3SiC2陶瓷材料的微观结构与性能，认为该材料良好的综合性能有望解决陶瓷材料的脆性问题．并概述了Ti3SiC2及Ti3SiC2基复合材料各种制备方法的特点和研究状况、应用前景和发展趋势．     

碳化硅MOSFET电路模型及其应用

建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型．在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上,引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏电流模型,并用能够反映碳化硅／氧化层界面特性的迁移率模型替换常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型中的常数迁移率．有关文献的实验数据验证了所建立的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型的准确性．与常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型相比,文中的电路模型能较为准确地模拟出碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层泄漏电流和短路失效现象．另外,该模型还可以用于讨论碳化硅／氧化层界面陷阱对工作在短路状态下的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的影响．     

SiC纳米线的合成与表征

以葡萄糖、硅粉为原料,采用水热法与焙烧结合成功地制备出一维SiC-SiO2纳米线,与常规SiC纳米线的制备方法相比,该法焙烧温度低,操作简单.运用红外特征光谱、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)对其研究.结果表明:所制得的纳米线为SiC-SiO2复合的核-壳结构,SiC纳米线的外层均匀地包覆上了一薄层SiO2.纳米线长度几到几十微米不等,直径200 nm左右,球形纳米颗粒生长在纳米线上,这些球形颗粒为碳化硅和无定形硅氧化物.根据试验结果,分析了该方法制备SiC纳米线的生长机理为气-液-固反应.     

SiC薄膜生长过程中的偏压作用

采用分步偏压溅射法,在Si(100)衬底上制备了高质量的SiC薄膜. 傅里叶红外(FTIR)光谱测试表明,分步偏压法不仅有利于提高SiC薄膜的生长速率,同时也有利于SiC薄膜的成核生长. 通过原子力显微镜(AFM)观察到,单一偏压法制备的样品表面有许多的凹坑,而分步偏压法制备的样品表面则没有出现明显的凹坑. 因此,采用分步偏压溅射法不仅可以提高薄膜的生长速率,同时也可以减小对薄膜的离子刻蚀作用,改善薄膜的质量.     

SiC(N)纳米粉体的吸波性能研究

采用CVD法合成了SiC(N)纳米粉体。在NH3流量为0－480ml/min范围内，合成了氮原子百分含量随NH3流量逐渐增大的一系列SiC(N)纳米粉体。研究了SiC(N)纳米粉体的介电常数和介电损耗角正切与粉体组成的关系，发现介电常数的实部、瞄部和介电损耗角正切均随粉体中氮原子摩尔分数的升高而降低，依据粉体的介电常数设计了双层吸波涂层，涂层的吸波效果随粉体氮含量的升高而降低。N原子取代SiC晶格中C产生的带电缺陷在电磁场作用下的极化驰豫是SiC(N）纳米粉体吸波的主要机理。     

Thermodynamic analysis of the preparation process of EB-PVD SiC coating

The process of preparing SiC coating by electron beam-physical vapor deposition (EB-PVD) was discussed from viewpoint of thermodynamis. Results show that within the temperature range of 2 700–3 300 K, the ratio of SiC in the SiC coating doesn’t change much and keeps around 0.7. Purity of the as-deposited SiC coating is not high. To improve the purity of the SiC coating, the SiC ingot is required to not be, necessary in full density but be fine-grained.     

金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长

以过渡族金属硅化物为溶剂，采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征，利用X射线衍射仪（XRD）对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征，并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明，Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶，FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须，而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后，仅有石墨相析出.     

SiC/SiO2界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究

碳化硅/二氧化硅（SiC/SiO₂）界面态电荷数量的减少有利于降低碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的通态电阻和开关损耗,然而沟道电流的提升会给遭遇短路故障的SiC MOSFET带来更大的电流应力。在传统的SiCMOSFET等效电路模型的基础上建立了SiC MOSFET的短路失效模型,该模型考虑了强电流应力下器件内的泄漏电流,并引入了包含界面态电荷的沟道载流子迁移率。利用该模型讨论了SiC/SiO₂界面态电荷对SiC MOSFET短路特性的影响,结果显示界面态电荷的减少缩短了SiC MOSFET短路耐受时间。随后通过从失效电流中分离出不同产生机制下的泄漏电流分量,讨论了界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的机理。     

碳化硅添加剂对紫色页岩陶粒烧胀性的影响

利用碳化硅为膨胀成份,紫色页岩为主要原料制作陶粒,研究碳化硅掺加量和焙烧温度对紫色页岩烧胀性的影响,探讨碳化硅引起紫色页岩陶粒膨胀的机理。试验结果表明外加碳化硅0.3wt%可使紫色页岩在1 120℃时膨胀;当碳化硅掺加量提高时,紫色页岩起始烧胀温度下降,添加量为1.2wt%时,起始烧胀温度为1 100℃。     

SiC新型半导体器件及其应用

给出SiC半导体分立器件与集成电路的研究现状，分析了制约SiC半导体器件发展的主要问题，同时给出了SiC分立器件与集成电路的应用现状，并对其应用前景进行了展望。     

Properties of SiC particulate preforms based on different pore-forming agents and bonding methods for making SiC/Al composites

The preforms with high SiC volume fraction (>50%) were successfully fabricated by two bonding methods. Moreover, the dimensional change, compressive strength, and microstructure of SiC preforms were investigated, and the bonding mechanism among SiC particulates in preforms was also discussed. Results show that, after heating to 1 100 °C and holding for 2 h, a uniform and interconnected structure in the SiC preforms can be obtained by using starch, stearic acid, and graphite respectively as the pore-forming agents, which benefits the subsequent infiltration by the molten metals. More neck-like-jointing among SiC particulate by using graphite as the pore-forming agent improves the dimensional accuracy and compressive strength of the preform. Besides, the properties of the preforms by the binder bonding are better than those by the oxidation bonding, which is mainly because the mixed neck-like-jointing and binder at high temperature provide effective bonding together.     

不同粒径碳化硅粉体的复合烧结与表征

以氮化硅为烧结助剂,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为黏结剂,通过重结晶烧结法制备了纯碳化硅（SiC）陶瓷。采用X射线衍射、扫描电子显微镜和阿基米德定律对产物的结构、形貌和相对密度进行了表征,主要研究了SiC细粉的质量分数对SiC晶粒形貌的影响。结果表明,SiC细粉质量分数的变化对烧结样品的晶粒尺寸与形貌及其相对密度有较大影响。细粉质量分数由0%增加至60%,SiC晶粒的形貌由等轴状晶粒过渡为六方片状晶粒,晶粒尺寸非线性增加,样品的相对密度则呈先增加后降低的趋势,当细粉的质量分数为40%时,SiC陶瓷的相对密度最高。因SiC高温（2 000 ℃以上）蒸发与凝聚的烧结作用,当SiC细粉的质量分数为60%时,重结晶普遍发生,且SiC粗粉晶粒尺寸急剧增大,形成六方片状。     

SiC纳米线光催化降解罗丹明B

采用碳热还原法合成了纯度较高的单晶SiC纳米线,并对其光催化性能进行了研究。以罗丹明B为目标降解物,20 W紫外灯（λ=253.7 nm）为光源,探讨了不同条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果。结果表明,催化剂用量为0.04 g、pH值为1的条件下SiC纳米线对罗丹明B的光催化降解效果最好。光照6 h,罗丹明B的降解率达到67.63%。罗丹明B的降解符合一级动力学模型。