晶闸管长基区结构的线性优化设计法与λ因子的潜协调

本文以转折电压V_(BO)为唯一变量,引入电导调制因子λ,并作为V_(BO)的函数。依据λ随V_(BO)线性缓慢变化的事实,应用最薄基区公式和最佳电阻率公式,给出晶闸管长基区结构的优化设计。讨论了λ因子的潜协调作用。给出了计算结果。通过“数表”和“图表”转化成基区结构的线性优化设计法。通过V-λ变换,将诸N-基区参数表示式从V表象中转换成λ表象中的表示式。     

关于Neveu算子的遍历性质

设△是散逸型算子(例如Laplace算子)设u=V_hφ是方程hu-△u=φ的解。当φ∈L~1时,V_h定义如下: V_h=sum from n≥0 (V_aI_(a-h))~nV_a (α是满足条件α≥h的任一常数)则V_h被称作是Neveu算子。本文讨论了当λ趋于0时,比值V_(λh)f/V_λf的极限性状。这是著名的Birkhoff定理,Chacon-Ornstein定理等遍历定理的自然延续,在自然的紧性假设条件下,证明了几乎处处存在有穷极限,并具体找到了这一极限。设( Ω,β,τ)是可测空间,其中τ是σ-有穷测度。设(V_λ)_(λ>0)是L~1(Ω)中适当正压缩预解式。设(V_λ)_(λ>0)满足下述条件:存在严格正函数f_0∈L~1(Ω),使得{_λV_f_0/λ≤1}是弱紧集,我们得到定理任给0相似文献   

关于分数次幂算子的遍历性质

当{V_λ}_(λ>0)是L~1中正压缩预解式而f∈L~1时,如下定义分数次幂算子V~af=(sin πa)/π(integral from n=0 to ∞(dx/x))λ~(-a)V_λfdλ本文第一部分讨论了分数次幂算子的遍历性质,得知当a→1~-时,比值V~af/V~ag收敛于Chacon-Ornstein极限,当a→0~+时,V~af具有某种与预解式有关的有界性及收敛性;并讨论了阿贝耳过程与过程。本文第二部分将上述结论推广到复预解式的情形;并讨论了n-维布朗运动与a-阶M.Riesz位势的关系,得到更精确的结果。     

关于V_(os)、I_(os)的统计分布

失调电压V_(os)、失调电流I_(os)是线性集成电路的主要参数。它们从不同角度描述产品内部对称元件的失配程度。我们知道,电阻、晶体管等元件的失配程度是随机变量,所以失调电压V_o和失调电流I_(os)也是随机变量。显然,它们不仅与各厂家生产工艺水平有很大关系,而且与输入级差分电路的结构形式也有关系。一般的分析V_(os)、I_(os)的资料很多,但从统计分布的角度分析V_(os)、I_(os)的资料却很少。本文试图从理论上分析V_(os)、I_(os)的统计分布特性,并给出了查阅方便的概率与m倍均方差之间的数值表和曲线。因为V_(os)、I_(os)的统计特性服从正态分布,最终将归结于计算电路的V_(os)、I_(os)的均方差,所以本文还分析了几种典型电路的V_(os)、I_(os)的均方差     

五种豆科野菜的营养成分和烹饪运用

对采于扬州市郊的5种豆科野菜紫苜蓿、南苜蓿、鸡眼草、大巢莱和歪头菜的水分、蛋白质、糖类、V_(B1)、V_(B2)、V_C进行分析测定,结果表明,这5种野菜的V_(B2)和V_C的含量高于一般食物原料.     

C^2连续的4次插值样条曲线

通过引入1组新的插值样条基函数：B0（t)=-λt 3λt^2-3λt^3 λt^4,B1(t)=1 (2λ-1)t-3t^2 5(1-λ)t^3 (3λ-2)t^4,B2(t)=(1-λ）t 3(1-λ）t^2 (7λ-4)t^3 (1-3λ）t^4,B3(t)=（λ-1)t^3 (1-λ）t^4,构造了4次插值样条函数,讨论了可调参数对曲线段端点切矢的影响和曲线的拐点性质。结果表明：这些曲线是整体C^2连续的,是局部可个性修改和可调的。     

青海省唐古拉山中段地区的(竹蜓)类

本文所描述的(竹蜒)类,是赵宗溥先生等于1956年在青海省西南部唐古拉山中段开心岭地区(东经92°18′,北纬33°40′)采集的。这些(竹蜒)类均产于灰白色块状石灰岩中。标本编号分别是V_3、V_(3b)和K_(5O) V_3和V_(3b)号标本位于开心岭西侧,K_5号标本位于开心岭东侧;中间被一断层切断。这些标本经笔者研究共得6属2种,有7个标本不能确定种名。化石名单如下:     

钒基材料催化固体推进剂中AP的研究进展

介绍了钒基材料如五氧化二钒(V_2O_5)、水合七氧化三钒(V_3O_7·H_2O)、十三氧化六钒(V_6O_(13))、二氧化钒(VO_2)、三氧化二钒(V_2O_3)及一些特殊的钒基材料等催化高氯酸氨(ammonium perchlorate,AP)的研究进展,分析了不同钒基化物对AP催化效果的影响,得出钒基材料在催化AP上表现出良好的催化性能。通过对钒氧化物和碳包覆钒氧化物(如碳包覆V_3O_7·H_2O,简写V_7O_7·H_2O@C)对AP催化性能的影响分析,得出通过碳包覆能够大大提高其对AP的催化性能。介绍了钒基材料对AP的催化机理,钒原子中的3d轨道可在电子转移过程中提供帮助,钒原子中的空穴可得到来自AP离子和其中间产物的电子,从而加速AP的热分解。     

An analytical model to explore open-circuit voltage of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

The effect of the parameters on the open-circuit voltage, V_(OC) of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells was explored by an analytical model. The analytical results show that V_(OC) increases linearly with the logarithm of illumination intensity under usual illumination. There are two critical values of the interface state density(D_(it)) for the open-circuit voltage(V_(OC)), D_(it)~(crit,1) and D_(it)crit,2(a few 1010 cm~(-2)·e V~(-1)). V_(OC) decreases remarkably when D_(it) is higher than D_(it)~(crit,1). To achieve high V_(OC), the interface states should reduce down to a few 1010 cm~(-2)·e V~(-1). Due to the difference between the effective density of states in the conduction and valence band edges of c-Si, the open-circuit voltage of a-Si:H/c-Si heterojunction cells fabricated on n-type c-Si wafers is about 22 mV higher than that fabricated on p-type c-Si wafers at the same case. V_(OC) decreases with decreasing the a-Si:H doping concentration at low doping level since the electric field over the c-Si depletion region is reduced at low doping level. Therefore, the a-Si:H layer should be doped higher than a critical value of 5×10~(18) cm~(-3) to achieve high V_(OC).     

混合气体对煤中CH4置换效率的影响研究

为了揭示混合气体对不同变质程度煤中CH_4的置换效率及其影响因素,利用自建的多元气体置换吸附试验装置,在不同的环境温度、平衡压力、注入压力和注入气体组成比例等4个条件下,分别对无烟煤、瘦煤和气肥煤等3个典型煤种进行混合气体置换煤中CH_4试验。结果表明:恒温条件下,随着平衡压力增加,混合气体的吸附/解吸能力呈现单调增加的变化,且混合气体的吸附/解吸能力表现出随置换气体的吸附能力和煤的变质程度的增加而增加,即V_(CO_2)V_(CH_4)V_(N_2)V_(He)和V_(无烟煤)V_(瘦煤)V_(气肥煤);在一定平衡压力条件下,温度越高混合气体的吸附/解吸能力越小;在平衡压力和温度保持恒定时,随着注入压力的增加,纯CO_2气体对CH_4的置换效率会有所降低。与仅注入CO_2相比,混合气体的置换效率则表现更好,即混合气体中含N_2比例越高,对CH_4的置换效率越好。该试验得出的启示是:井下煤层注气置换煤层CH_4不一定追求高的注入压力,只要注气源配比合适,低注入压力也能获得更好的煤层瓦斯抽采率。     

三轴应力状态与断裂应变的关系——建议一个新的延性断裂判据及相关的材料延性断裂参数

对于金属材料延性破断(韧窝型)情况,本文提出了一个新的断裂判据——空穴临界扩展 V_(G(?))判据。叙述了 V_(G(?))的实验测定方法。给出了若干材料的 V_(G(?))的初步值。有希望利用 V_(G(?))这个材料延性断裂参数进行一些材料筛选与热处理工艺的评价甚至设计、安全评定工作。关于这个问题,我们将从宏观与微观相结合的角度,把它放在更广泛的范围内来进行考察。本文要点如下:(一)宏观背景,一个取决于应力状态的延性断裂判据;(二)与微观机制相联系的一个新的延性断裂判据;(三)一个新的材料延性断裂参数及其测定。若干实验结果;(四)结论。     

二阶非线性差分方程正解的多重性

得到了一类带参数的二阶非线性差分方程(Pλ)的变分结构,证明了问题(Pλ)的解等价于泛函Jλ在Banach空间H上的临界点.应用有限维Banach空间上的临界点理论和抽象的临界点定理研究了(Pλ)解的多重性,证明了当参数在某个开区间上时,(Pλ)至少存在3个不同的正解.     

一类超越方程稳定性分析的螺线法

借助螺线的特性对方程λp+c=d(1+λT)-n-1e-αλT的稳定性随T变化而改变的情况作了完整地分析讨论,发现了诸如多次开关现象等稳定性的不同表现.同时把所得的结果与文献[4]对λ+c=d(1+λT)-n-1e-αλT和文献[3]对P(λ)+Q(λ)e-λT=0的研究结果作了全面的比较,纠正了文献[4]中一些错误的说法.进一步拓宽了螺线法研究稳定性的范围,将其推广到形如f(λ)+c=d(1+λT)-n-1e-αλT的一类特征方程.     

Dirac算子的迹恒等式与微扰展式的一个关系

经典Dirac算子在微扰因子μ的扰动下,如果特征值能展为微扰参数的幂级数λn(μ)=λn(0)+μλn1+μ2λn2+…,利用Green函数的微扰展开式和一个积分恒等式,可得到迹恒等式的正则部分就是此展式的前3项,即∑∞(λn(μ)-λn(0)-μλn1-μ2λn2)=0,并且对特征值的正整幂λnσ也有类似现象.     

满足一定条件的正则图的k-消去性质

设n和r为偶数,k为奇数,n＞r＞k＞0,λ≥2为整数.G是有n个顶点、边连通度为λ的r-正则图.若λ和n满足下列条件(1)当r≥2k时,r-λk＞0且n＜1十(1+r)k;(2)当r＜2k时,r+λk-λr＞0且n＜1+(1+r)(r-k),则G是k-消去的.     

半群中诱导(λ,μ)-模糊双理想与(λ,μ)-模糊内理想

在(λ,μ)-模糊子半群概念的基础上,引入由一个模糊子集诱导出的(λ,μ)-模糊双理想与(λ,μ)-模糊内理想,并研究了这两种(λ,μ)-模糊理想的性质。     

(μ+λ)EA算法关于最多叶子生成树问题的近似性能

为了更好地理解演化算法的运行机制及其在求解NP难问题上的性能,研究了基于种群的(μ+λ)演化算法((μ+λ)EA)在NP难的最多叶子生成树问题(MLST)上的近似性能,证明了对于最多叶子生成树问题,(μ+λ)EA算法从任意初始解出发,能够分别在期望多项式时间O((μ/λ)nm~2+μmlogn+n)和O((μ/λ)nm~4+μmlogn+n)内获得5和3近似比.并证明了如果选取λ2μ,基于种群的(μ+λ)EA算法要优于基于单个个体的(1+1)EA算法.     

细观力学初探——可锻铸铁V_(GC)测试

概要介绍可锻铸铁的新的韧断特性参数—V_(GC)宏观形式与细观形式参数间的关系,并作了宏观V_(GC)的测试.初步得到了可锻铸铁临界空穴扩张比的数据,并作了一些分析。     

In Situ Growth of Vanadium Oxide on Reduced Graphene Oxide for the Low-Temperature NO-SCR by NH_3

The vanadium oxide/reduced graphene oxide(V_2 O_5/rGO) composite catalyst which determined the selective catalytic reduction activity(SCR) of NO with NH_3 was prepared by a simple solvothermal method. The physicochemical properties of the catalysts were characterized by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM), Raman, X-ray energy spectrometer(XPS) and N_2 sorption isotherm measurement(BET). Results of NH_3-SCR showed that the NO conversion of V_2 O_5/rGO catalyst could reach 54.3% at 100 ℃. And the removal of NO increased to 74.6% when the temperature was up to 220 ℃. By characterizing the microstructure and morphology of the V_2 O_5/rGO catalysts prepared by in-situ growth and mechanical mixing methods, it was further shown that V_2 O_5 nanoparticles were highly dispersed and in situ growth on the rGO surface. Based on X-ray energy spectrometer, V_2 O_5/r GO catalyst had good low temperature denitrification performance due to the chemical adsorption oxygen and low-valent vanadium oxide contained in V_2 O_5/rGO catalyst, which was beneficial to the redox reaction between V_2 O_5 and graphene.     

钥钒硅杂多配合物的研究

本文对钼钒硅杂多配合物进行了系统的研究,指认了振动光谱中某些特征谱带.对振动光谱,UV光谱,~(51)V NMR谱的特性进行了探讨,同时利用X-射线粉末衍射,IR光谱、差热-热重分析等手段研究这一系列钼钒硅杂多配合物的热解性质,其热稳定顺序为: K_5SiMo_(11)VO_(40)·mH_2O>H_5SiMo_(11)V_(40)·mH_2O>K_6SiMo_(10)V_2O_(40)·mH_2O>K_7SiMo_9V_3O_(40)·mH_2O