面向语义Web的Expressive格值描述逻辑

提出了一种基于可信度格的Expressive模糊描述逻辑框架,对描述逻辑SROIQ(D)进行了模糊化扩充,建立了一种面向语义Web的基于格的模糊描述逻辑L-SROIQ(D),给出了L-SROIQ(D)的语法、语义和逻辑性质,以及建立了一个线序格下的将模糊描述逻辑L-SROIQ(D)转换为经典描述逻辑SROIQ(D)的推理算法,从而证明了线序格下L-SROIQ(D)的可满足性推理是可判定的。     

基于STDP规则的忆阻神经网络在图像存储中的应用

忆阻器是具有记忆和类突触特性的非线性电路元件,将忆阻器与STDP学习规则相结合,提出了基于STDP学习规则的忆阻神经网络,并将它应用于二值图像的叠加和灰度图像的存储与输出。首先将忆阻器作突触,通过实验证实在特定形状动作电位下,可实现STDP学习规则;构建了4×4的忆阻交叉阵列神经网络;用16×16的忆阻交叉阵列神经网络实现二值图像的叠加。最后用N×N的忆阻神经网络实现了灰度图像的存储与输出。通过MATLAB仿真实验证实了该方案的有效性,该忆阻神经网络具有仿生特性,有望解决模式识别、人工智能中出现的复杂问题。     

一种忆阻器离散混沌映射的设计及FPGA实现

忆阻器是一个无源二端口电子器件,在非线性应用领域具有巨大潜力。忆阻器具有的非线性电压电流特性,可以应用在混沌领域。 Cubic映射是一个比较简单的混沌映射,该文使用忆阻器的非线性特性对Cubic映射进行修改,得到一个新的忆阻器混沌映射,使用DSP Builder 对其进行图形化设计,并研究该混沌映射的基本性能,用FPGA实现该混沌映射。     

无参数忆阻系统的平面偏置控制共存分岔研究

初值依赖的超级多稳定性和偏置控制的共存吸引子近年来得到学者们的广泛关注.通过在三维线性耗散系统中引入2个具有正弦忆导的忆阻元件,构建了一种新颖的、有着平面平衡点的五维忆阻动力学系统.借助理论分析和数值计算,发现忆阻初值控制的平面共存分岔现象,并揭示了忆阻初值依赖的超级多稳定性.设计了该忆阻动力学系统的模拟电路,并由PSIM电路仿真验证了平面偏置控制的共存行为.     

有源荷控忆阻系统的多稳态分析及电路实现

采用有源荷控忆阻替换蔡氏电路中的非线性电阻,实现一个五维忆阻非线性电路系统. 建立了该系统的无量纲方程,分析了系统的平衡点集与稳定性. 利用分岔图、Lyapunov指数谱和相轨迹图等分析方法,从多角度研究了随系统参数与初始状态变化而产生的多稳态动力学行为. 研究表明,当系统参数、初始状态变化时,都会出现不同拓扑结构的混沌吸引子共存、不同吸引域的多周期极限环共存、不同周期数的极限环与不同拓扑结构的混沌吸引子等共存行为. 最后,设计了五维忆阻混沌系统的模拟电路模型,电路仿真实验与数值仿真结果相一致,观测到不同的多稳态共存运动. 这表明动力学分析的正确性和系统的物理可实现性,为进一步拓展系统加密应用奠定基础.     

混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用

针对级联型运算单元的延迟问题，设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先，采用阈值型压控忆阻器模型，以忆阻器和CMOS晶体管为核心，设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元，有效减小了延迟时间；然后，将混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元应用到了八线三线编码器电路的设计中，通过控制不同的输入信号能得到对应的二进制编码信号；最后，通过PSPICE仿真验证了设计电路的正确性。     

忆容器的Simulink模型及其主要特性分析

针对忆容器在数据读写与存储方面可能会更少丢失数据的优势,介绍了一种忆容器的数学模型,为便于对该忆容器的研究,根据其数学模型,搭建了忆容器的Simulink仿真模型,对该模型进行仿真研究,得到了关于忆容器的典型特性,验证了其有效性,同时,基于忆容器的数学模型,应用matlab研究了输入激励和忆容器的各项参数对忆容器的影响...     

忆阻感知器在逻辑分类中的应用

基于传统感知器在分类中的优势,结合新型的电路元件——忆阻器作突触,提出新型的忆阻感知器。推导了忆导变化与权值更新的关系,构建了单层忆阻感知器和多层忆阻感知器模型,提出了忆阻突触的权值更新规则。通过Matlab仿真,用单层忆阻感知器实现了线性可分逻辑"与"和逻辑"或"分类问题,用多层忆阻感知器实现了线性不可分的逻辑"异或"和"同或"分类问题,从而证实了该方案的有效性。     

负阻态忆阻Hopfield神经网络动力学

人类大脑是一个高度复杂且规模庞大的非线性动力学系统，其动力学行为与人类智能活动密切相关。基于忆阻器的人工神经网络不仅可以很好地模拟人脑工作机制，而且其非线性特性可以为神经网络带来更为丰富的动力学行为。为了进一步发挥神经网络的优势，引入一种新的具有负阻态功能的忆阻器模型，该模型打破了原有忆阻器的阻态极性限制，为忆阻器扮演神经网络突触仿生器件提供了更加丰富的变化性能。在对忆阻器模型分析的基础上，提出了一种新的忆阻Hopfield神经网络(HNN)，进一步加强了HNN的负反馈功能，使之表现出更加丰富和复杂的动力学行为。实验结果表明，新忆阻HNN拥有较为丰富的动力学行为，具有一定的混沌特性。在不同的忆阻器参数以及权值矩阵取值条件下，观察系统的相位轨迹图、Lyapunov指数的变化情况，并与同类型网络进行对比，进一步证明提出的神经网络的有效性，同时复杂的动力学特性也为在数据处理、图像加密等方面的应用提供了研究支撑。     

基于TiO_2忆阻器的混沌振荡电路

忆阻器是一种具有记忆性的新型非线性电阻,是继电阻器、电容器和电感器之后的第4种基本电路元件。该文根据惠普实验室提出的荷控型TiO2忆阻器模型,构建了一个磁控TiO2忆阻器模型,采用该磁控忆阻器模型设计了一个新的混沌振荡电路,以期产生复杂的伪随机混沌信号。对该振荡电路的基本动力学特性进行了理论和仿真分析,并进行了DSP芯片实验验证。仿真结果、理论分析和实验观察具有一致性,表明该混沌系统具有与一般混沌系统不同的特性。     

HPTiO2忆阻线性和非线性模型及其特征分析

为了分析HP TiO2忆阻模型的本质特征,比较基本模型与非线性窗函数模型之间本质特征的差异,概述了几种典型的HP TiO2忆阻非线性窗函数模型的特点,开展了HP TiO2忆阻基本模型的本质特征分析,并对几种非线性窗函数模型的本质特征进行了比较。结果表明,对于任意忆阻初始状态和任意振幅与频率的正弦电流激励,HP TiO2忆阻模型都能呈现出紧磁滞回线特征;不同的非线性窗函数模型的特征受其非线性漂移的影响,所产生的输出电压和忆阻值有着不同的瞬态过渡过程,且忆阻初始状态值越大,非线性漂移影响就越严重,导致部分HP TiO2忆阻模型性能失效。     

气体放电灯的电压电流函数

本文主要研究气放电灯在音频至射频段的电压电流函数。为此，我们采用新型电子仪器设备，对气体放电灯在该频段的动态特性进行了实验测试。得到了一些新的实验结果，此结果说明气体放电灯的电路模型是不能用Ｒ、Ｌ、Ｃ及其组合描述的，它应该属于第四类电路元件－流控忆阻器。     

基于忆阻时滞神经网络的耗散研究

针对一类基于忆阻时滞神经网络的耗散问题,提出一种结合倒凸技术和Wirtinger积分不等式的耗散方法。首先,应用微分包含和集值映射理论,将忆阻时滞神经网络转化成传统的时滞神经网络;接着,构造含有时滞系数的状态向量2次项和3重积分项的Lyapunov-Krasovskii泛函（LKF）,应用倒凸技术和Wirtinger积分不等式估计LKF微分,得到了确保时滞神经网络严格耗散的时滞依赖条件,这些条件可以用线性矩阵不等式形式表示并且易于用Matlab软件实现。将该方法推广到研究时滞神经网络无缘分析问题中。在数值例子中,针对不同的时滞变化率上界,与现有文献的最优耗散性能指标进行比较,实验结果表明,本文方法将其提高了5%。另外,在相同时滞条件下,仿真分别给出了神经网络系统有外部输入和无外部输入的状态轨迹,由仿真结果可以看出外部输入的存在的确破坏系统稳定性。     

时滞忆阻Cohen-Grossberg神经网络周期解的存在性

研究了一类具有时变时滞的忆阻Cohen-Grossberg神经网络的周期动力行为。借助M-矩阵理论, 微分包含理论和Mawhin-like收敛定理, 证明了网络系统周期解的存在性。最后，用一个数值算例验证了本文结论的正确性和可行性，并通过图形模拟直观地描述了周期解和平衡点的存在性。     

忆阻电路系统事件触发脉冲稳定性研究

针对忆阻电路系统,利用Takagi-Sugeno（T-S）模糊模型,提出了一种新的事件触发脉冲控制方法,并利用Lyapunov稳定性理论,得到事件触发函数及稳定性条件,且排除了Zeno行为的发生。最后,通过数值仿真验证了理论结果的有效性。     

基于忆阻器的SRAM存储单元设计

为了突破冯?诺依曼架构瓶颈,实现存算一体的存储功能,利用D锁存器设计了一种忆阻器存储单元.该忆阻器存储单元由忆阻器基本逻辑与门、或门和MeMOS电路组成.PSpice仿真显示,该忆阻器存储单元不仅可以实现非易失性存储功能,而且具有体积小、功耗低、结构简单等优点,可为实现非易失性存储单元提供良好参考.     

PID参数性能分析及改进

PID控制器在工业过程控制中得到广泛的应用.但传统PID控制器对大滞后、时变和非线性等被控对象的控制性能不够理想.而模糊集理论在处理不确定复杂化的决定或不明确过程时起着重要的作用.忆阻器可以根据电压的改变自动调整,所以忆阻器被作为可调整增量,可以代替PID控制器电路中的电阻,构成M-PID控制器.     

基于Chua电路的一种新型忆阻电路的混沌动力学分析

基于Chua混沌电路和三次光滑忆阻器模型,提出了一种新型忆阻混沌电路.该电路由2个电感、 2个电容、1个忆阻器和1个电阻组成.利用分岔图、Lyapunov指数、相图、Poincaré截面图和Simulink仿真对电路进行分析表明,该电路具有混沌特性.该研究结果可为混沌动力学的研究和混沌保密通信的应用提供理论参考.     

有源忆阻器伏安曲线与电路频率之间的关系

忆阻器是具有记忆特性非线性电阻器,是现实的第四种基本二端电路元件。文章以光滑三次型非线型函数描述的有源磁控忆阻器模型为例,利用Multisim计算机仿真软件,进一步研究有源忆阻器伏安曲线与电路频率之间关系,讨论有源忆阻器输入电流的突变特性。结果表明:由光滑三次型非线型函数的有源磁控忆阻器模型构成的电路具有边界效应,电流具有突变特性。     

一种新型三阶磁控忆阻器模型及其滤波器研究

该文基于电荷量q与磁通量φ的三次多项式关系,提出一种新型的三阶磁控忆阻器模型,并利用MATLAB进行了仿真验证。利用“浮地”二端口等效电路原理,设计实现三阶磁控忆阻器及其低通与高通滤波器的等效电路,并在PSPICE上进行了仿真分析。最后,搭建出三阶磁控忆阻器及其低通与高通滤波器的实际电路,并利用示波器进行了测试。实验与仿真结果表明:基于该新型三阶磁控忆阻器的低通滤波器较基于电阻的输出增益低;而基于该新型三阶磁控忆阻器的高通滤波器与基于电阻的输出增益基本一致。