新型电力半导体器件BSIT的基本特性及部分应用

介绍了一种我国首创的新型电力半导体器件ＢＳＩＴ的基本结构和特性；讨论了ＢＳＩＴ的驱动问题；给出了它在直流变换系统中的一种应用电路。实验表明，ＢＳＩＴ具有其它同容量半导体器件所不具备的优良特性。     

超快速IGBT电路仿真模型及其参数灵敏度分析

以ＰＳｐｉｃｅ通用电路仿真软件中的器件模型为基础，采用复合模型原理建立超快束ＩＧＢＴ模型，并对其动态特性和稳态特性进行了仿真，其结果与实验结果相当一致，文中给出了该模型的参数灵敏度分析结果；讨论了复合模型的正确性。     

用于三相桥式电路的600V驱动集成电路

介绍了一种６００Ｖ单片式智能驱动集成电路，它可连接ＴＴＬ，ＣＭＯＳ逻辑电路与三相桥式电路之间，用以驱动ＭＯＳ栅极器件。本文给出了该驱动电路在步进电机，高频镇流器中的应用电路。     

MOS功率器件的新成员—MBSIT

介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件－ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生成ｎ＾－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹断，当外加一个正向栅压时，器件可通过阳极电流。该器件具有低的导通电阻，高速和大的导通电流密度，是一种很有发展前任的大电流，高速度，高效率开关器件。     

用于电机的VMOSFET低压驱动电源

论述了开关管采用ｎ沟道ＶＭＯＳＦＥＴ构成中功率步进电机低压驱动电源的设计；给出了斩波开关控制电路，运行或锁定稳态电流自调节电路，边沿加速电路及电机驱动用功率半导体器件的选择。     

采用BSIT（或SITH）的高载波SPWM变频器

介绍一种电压型ＰＷＭ静音式变频器，其主电路选用新型全控型器件－－双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）和静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）。系统采用高载波（２０ｋＨｚ）ＳＰＷＭ结构，提高了变频器的性能。文中还提出了一种对两种新器件都实用的驱动电路和高载波ＳＰＷＭ波形生成法，最后给出了试验结果。     

大功率复合器件的PSPICE模拟

在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟软件中，采用简单易行的等效电路模拟法，建立了改进型等效电路模型，实现了对功率开关器件特性的模拟。通过与实验结果比较，主宰了改进模型的可靠性。     

静电感应晶体管作用机制的理论研究

针对静电感应晶体管的小电流工作区，从电势方程出发，利用设定的边界条件，导出了二维势函数的近似解析表达式，并以此为据对ＳＩＴ的作用机制进行了系统分析，进而对ＳＩＴ的中，大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论。指出大电流时，ＳＩＴ的电流－电压特性与空间电荷限制效应密切相关。     

SILCON NIFE UPS—100系列的原理和应用

本文介绍了世界上先进的ＳＩＬＣＯＮ ＦＩＦＥ ＵＰＳ－ＳＹＳＴＥＭ１００系列的整机工作原理，线路结构及特点，并介绍了几种ＵＰＳ系统的具体应用。     

GTR和IGBT吸收电路参数的选择

ＧＴＲ和ＩＧＢＴ吸收电路参数的选择成都佳灵电气制造公司吴忠智，吴加林ＴｈｅＳｅｌｅｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅＧＴＲａｎｄＩＧＢＴＳｎｕｂｂｅｒ＇ｓＰａｒａｍｅｔｅｒｓＧＴＲ和ＩＧＢＴ组装的逆变器，主电路线路和吸收电路的引线均有电感，负载大多为感性负载，且这...