电子镇流器可靠性与安全性设计(下)

电子镇流器可靠性与安全性设计（下）毛兴武王兴武毛元山东临沂市电子工业局（２７６００４）２开关振荡电路目前，国产电子镇流器全部采用变压器耦合的振荡电路。功率晶体管不仅用作开关，同时又是振荡电路中的重要元件。输出负载电路因是振荡器闭合环路的一部分，灯不接...     

微波Colpitts混沌电路在无线传输系统中的应用

Colpitts混沌振荡电路由单一的晶体三级管及其它线性元器件构成,是研究及应用非常广泛的三点式振荡电路。Colpitts混沌振荡电路能够产生各种不同频率的混沌信号,可以应用于无线传输、通信加密、信号检测等多个领域。介绍了两种类型的Colpitts混沌振荡器电路,并分析了其电路模型。同时将所产生的混沌振荡信号进行了对比、分析,并将其产生的混沌信号作为无线传输系统的激励信号。此外,互补累积分布函数曲线表明,以改进型的Colpitts混沌振荡电路所产生的混沌信号作为激励信号的无线电力传输系统具有更好的整流电路转换效率。最后,这些电路的转换效率的详图已被证明。     

用晶体管阻塞振荡器制成简单宽量程的电容测量仪

由于脉冲频率和电容间的线性对数关系,可用晶体管阻塞振荡器来测量电容,本仪器能在直流表头上读出10_PF至1.0μF的电容量。引言晶体管阻塞振荡器具有这样一种特性,振荡器的振荡频率与振荡电路中使用的电容直接有关。本文在实验里考虑到频率和电容间的关系(F～C),并且把它应用于制造一只简单又宽量程的电容测量仪。这种改进的测量仪能     

1GHz晶体管电调振荡器的分析

这里论述的超高频晶体管振荡器,实际上接近于大信号状态下的超高频晶体管放大器。工作在1GHz附近的晶体管,现代多数是用S参数来进行分析和计算的。用S参数分析小讯号放大器在国内已做了许多工作,但迄今尚未见到有关大讯号放大或振荡电路用S参数来设计的完整资料,我们对此知之甚少,且国内超     

动态电容器的性能测试

动态电容器在加工装配后,须进行多次测试及老化试验,以考核其是否能达到设计的指标及符合高性能的要求。 交流毫伏表:是一灵敏的电子管或晶体管音频毫伏表,需能测出10微伏的交流电压。 音频振荡器:是一有功率输出,频率为20Hz—20KHz可调音频振荡器。 E_1、E_2为105伏干电池。其他电池亦可。 1.测试电路 图一为测试电路方框图,被测的电容器以及输入回路均置于屏蔽箱内进行。     

微波脉冲通断比的测试

(一)引言用窄脉冲调制微波振荡器时,通常要求在脉冲持续时间内,振荡器有微波脉冲输出,在脉冲间隙时间,振荡器应停止振荡,如图1a所示。但是有些振荡器在脉冲间隙时间内,仍有高频能量输出,如图1b所示。这种不希望的输出,不仅使发射机的效率降低,有时还给测量工作带来很大的麻烦。所以必须对脉冲调制振荡器的通断比进行测量。微波脉冲通断比的定义是:在脉冲持续时间中振荡器的峰值输出功率P_r对脉冲间隙时间中振荡器的连续     

国外产品介绍

1.具有-40dBc谐波的YIG调谐振荡器/滤波器基频输出YIG调谐的晶体管振荡器,有砷化镓场效应晶体管缓冲放大器和积分跟踪YIG滤波器。2～8GHz的AV-7248型器件,可提供最大-40dBc的滑波输出。振荡器/滤波器,可给     

正弦波振荡器非线性效应的简单分析

用电感耦合晶体管振荡电路作为例子推导出非线性振荡器的简化数学模型,即范德波尔方程。方程的二阶近似解显示出非线性效应对振荡频率稳定度、振幅稳定度及波形正弦纯度的影响。     

一个简单的频率表

在工业中,经常需要进行频率测量。例如测试振荡器的输出频率或是监视由变换器反映的机械振动频率。商业上有各种类型的频率表可用。但是在这里我们为那些希望建立自己实验手段的读者们介绍一个简单的线路。(该线路是由SGS—Fairchild发明的)。线路是由一个由晶体管Tr1和Tr2组成的放大器,及晶体管Tr3和Tr4组成的单稳多谐振荡器组成,如图所示。在工作时,待测信号馈给Tr1的基极,被     

微波着陆信号模拟器设计与实现

为对某型机微波着陆设备进行测试与维修,提出了一种微波着陆信号模拟器的设计方法。首先简要介绍了微波着陆系统的基本原理和信号格式,并讨论了DPSK调制的具体实现方法。然后采用FPGA根据上位机参数设置合成微波着陆基带数字信号,经D/A转换后输出到IQ调制模块与载波混频,上变频为射频信号。最后对射频信号进行滤波和增益控制后输出。为方便对信号模拟的控制,在Lab Windows/CVI平台上开发了上位机软件,可灵活地对模拟信号类型、频率通道、模拟方位角和输出功率等进行设置。采用示波器和频谱仪对输出信号进行了测试,测试结果表明其各项参数都能达到设计要求。同时该设计方法减少了模拟环节、精简了硬件结构,且控制更加灵活。     

Suppression of overtone oscillation and low‐current operation using novel‐design scheme for quartz crystal oscillators

A novel design is proposed for a low‐frequency quartz crystal oscillator circuit. Negative resistance in a low‐frequency CMOS‐inverter quartz oscillator was reviewed for the fundamental mode at 32 kHz and the overtone oscillation at 200 kHz. Suppression of the overtone oscillation, appropriate gain, and drive current reduction are realized by adding only three circuit components. Experimental results and an estimate of the absolute value of the negative resistance are presented for the conventional Colpitts circuit and two types of the quartz crystal oscillator circuit. © 2011 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by John Wiley & Sons, Inc.     

Truly random number generators based on non‐autonomous continuous‐time chaos

A novel non‐autonomous continuous‐time chaotic oscillator suitable for high‐frequency integrated circuit realization is presented. Simulation and experimental results, verifying the circuit feasibility, are given. Two methods for using this oscillator as the core of a random number generator are also proposed. Numerical binary data obtained according to the proposed methods pass the four basic tests of FIPS‐140‐2, while experimental data pass the full NIST‐800‐22 random number test suite. Copyright © 2008 John Wiley & Sons, Ltd.     

采用混沌振子和新相态判别法的局部放电检测

为了降低信号检测的信噪比,利用新型混沌振子作为检测工具,采用Lyapunov指数法分析动力学特性,通过提升临界混沌阈值精度减少在覆盖初始相位差方面混沌振子的使用数量。针对各主要相态判别方法的局限性,利用系统周期特点提出新相态判别法并设计仿真电路,实现相态的自动识别并记录间歇混沌状态周期。最后对单指数衰减振荡型局部放电信号进行检测。仿真结果表明,新型混沌振子动力学特性丰富,抗噪性能优越,能够实现更低的信噪比检测,新相态判别法不受过渡过程的影响,适用于任何混沌振子且具备电路实现的可行性,配合超高频传感器可以检测超高频毫伏级的变压器局部放电信号。     

振荡电路式 LVDT 测量系统设计

针对传统 LVDT 测量电路中高成本模块较多且性能不足的问题,提出并设计了一种基于振荡电路的 LVDT 测量系统。 测量系统将 LVDT 线圈作为谐振电感接入高性能 LC 振荡器,利用其谐振信号的频移获得待测位移,借助谐振器数学模型及理 论分析改善测量系统线性度。 样机实验结果显示,在满位移状态下频率范围可达到 73 ~ 122 kHz,采样速率和分辨率可根据实 际需求进行调整,其最高分辨率可达到 16. 7 bits,实现亚微米级测量,此时采样速率为 200 Sps,非线性误差为 0. 14%FS。 与传 统电桥方法相比,该测量系统综合性能更优,且无需低失真激励及高精度解调模块,在电路成本和尺寸方面具有显著优势。     

Analyses and techniques for phase noise reduction in CMOS Colpitts oscillator topology

This paper reports the analyses of three techniques for phase noise reduction in the complementary metal‐oxide semiconductor (CMOS) Colpitts oscillator circuit topology. Namely, the three techniques are inductive degeneration, noise filter, and optimum current density. The design of the circuit topology is carried out in 28‐nm bulk CMOS technology. The analytical expression of the oscillation frequency is derived and validated through circuit simulations. Moreover, the theoretical analyses of the three techniques are carried out and verified by means of circuit simulations within a commercial design environment. The results obtained for the inductive degeneration and noise filter show the existence of an optimum inductance for minimum phase noise. The results obtained for the optimum bias current density technique applied to a Colpitts oscillator circuit topology incorporating either inductive degeneration or noise filter show the existence of an optimum bias current density for minimum phase noise. Overall, the analyses show that the adoption of these techniques may lead to a potential phase noise reduction up to 19 dB at a 1‐MHz frequency offset for an oscillation frequency of 10 GHz. © 2015 The Authors International Journal of Circuit Theory and Applications Published by John Wiley & Sons Ltd.     

基于混沌理论的蓄电池内阻检测的研究

研究了一种运用混沌振子来检测蓄电池内阻的方法。运用混沌振子检测系统对初始值敏感,而对噪声具有很强抑制作用的原理,结合交流法测量蓄电池内阻的原理,实现蓄电池内阻在线检测,可以忽略抗干扰电路的设计,简化测量电路。实验证明了利用本系统进行蓄电池检测是可行的。     

电磁式电压互感器励磁特性对铁磁混沌电路的影响分析

电力系统中,含电磁式电压互感器（TV）的电路在某些情况下可能产生混沌振荡想象,其主要原因是TV铁芯的磁饱和效应导致铁芯电感非线性变化,在实际研究中常用励磁特性曲线描述TV铁芯电感的非线性变化。引用一个含TV的四阶自治铁磁电路模型,研究了TV励磁特性对铁磁电路的影响。理论分析与仿真结果表明：铁磁电路系统中存在混沌振荡现象,电磁式电压互感器非线性励磁特性是影响该电路混沌动力学行为的重要因素。     

Four‐segment oscillator circuit for piezoelectric sensing devices

Novel circuit design is proposed for a low‐frequency quartz crystal oscillator circuit that consists of four segments. The characteristics of the negative resistance in a low‐frequency Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS)‐inverter quartz oscillator were reviewed for the two modes of SC (stress‐compensated) cut mode and the overtone of low‐frequency mode; separation of two modes and suppression of overtone oscillation were demonstrated successfully. Experimental results and an estimate of the absolute value of the negative resistance are presented for the four‐segment oscillator circuit and the conventional Colpitts circuit and two new types of oscillator circuits. © 2011 Institute of Electrical Engineers of Japan. Published by John Wiley & Sons, Inc.     

振荡回路元件参数分析与计算

本文介绍了大容量试验室振荡回路的试验参数计算方法,并在此基础上利用Atp软件模拟了试验成功和试验失败工况下振荡回路各元件承受的耐受电压、耐受电流和热容量,最后以电容器组和电阻器组为例,给出了振荡回路元件参数的确定步骤。分析结果表明,本文所提方法对大容量实验室振荡回路元件参数的确定具有一定的适用性。