半导体薄膜型NO_x气敏元件及应用装置

本文讨论了半导体薄膜型气敏元件的导电机理,介绍了为探测NOx(NO_2、NO)有害气体而研制的SnO_2薄膜型气敏元件的结构、气敏特性及应用气敏元件制成的报警、测量两用仪的原理和结构。     

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

常温下氧化钨基NO2传感器气敏特性的光照强度依赖研究

为了研究WO3的常温气敏性能,以热氧化钨丝的方法制备WQ3纳米材料并制作厚膜气敏元件,通过XRD对材料的晶体结构进行表征,对敏感元件进行了气敏性能测试,测得该元件在常温、0.4W/cm2紫外光(波长:300～450nm)辐照条件下对50ppm的NO2的灵敏度S=15.4,响应时间τres=2.5s,恢复时间τrec=18.1s;在加热功率为0.81W条件下,元件对50ppm NO2的灵敏度为S=22.5,响应时间τres=1.5s,恢复时间τrec=10.7s,研究了灵敏度对光功率密度和加热功率的依赖关系,实验结果表明WO3纳米材料在常温、紫外光照条件下对NO2具有较好的气敏性能.     

补偿式气敏元件的研究

提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性.     

硅胶基催化涂层对Ag-SnO_2气敏性能的影响

采用不同的硅胶基催化涂层对广谱敏感型Ag-SnO2气敏元件进行了表面修饰,改善了Ag-SnO2气敏元件的气体灵敏度和气体选择性,提高了Ag-SnO2气敏元件对H2的选择性     

常温CaO烟敏元件的研究

本文研究了以 SnO_2为基质材料,加入微量 CaO 的常温气敏元件(简称常温 CaO 元件)。该元件对10%～30%的烟有很好的选择性,并且灵敏,对丁烷、煤气、液化石油气、乙醇、氢气等不灵敏.本文讨论了 Sb_2O_3对常温 CaO 元件性能的影响。     

希土元素在气敏半导体中的作用

<正> 国内外对气敏半导体的研究已作了很多工作,也取得了一定的应用。但气敏元件的选择性不好使它的广泛应用受到了限制。所以提高气敏元件的选择性是当前气敏半导体研究的重要课题。 国外主要研究Sno_2、Zno为基体的气敏半导体元件。从七十年代开始研究希土的ABO_3型和A_2BO_4型化合物的气敏性。认为希土和镍或钴的复合氧化物有可能定量检测乙醇或氧气。还研究了     

n+n组合结构半导体丙酮气敏元件研究

n n组合结构半导体气敏元件是基于气敏元件互补反馈原理的一种新结构半导体气敏元件.该元件是由2种传导类型相同的敏感体A和B构成,A和B都是n型半导体材料.理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该元件具有高的选择性,同时,还具有好的热稳定性和高的灵敏度.通过试验,获得了性能较好的n n组合结构丙酮气敏元件.     

稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。     

气敏元件性能检测装置的研究

为了促进气敏元件的研究与开发，本文介绍了一种气敏元件性能检测装置。该装置克服了以往气敏元件测试系统的结构复杂，操作繁琐等诸多不足，具有简单易行，功能齐备等优点，适用于气敏元件的参数测试及可靠性试验过程中的监测。     

半导体气敏元件的新进展

(一)引言 七十年代以来,半导体气敏元件获得了引人注目的新进展。有些产品已从研制阶段跨入了大量生产的阶段。例如日本()技研公司生产的SnO_2烧结型TGS气敏元件,年产量已超过100万只,累计产量已超过1000万只,寿命已超过10年,其它气敏元件、湿敏元件的新品种也在不断出现。引起这种蓬勃发展现象     

常温振荡式CO气敏元件的研制

采用掺有Ｐｄ的活性ＳｎＯ２—Ｉｎ２Ｏ３敏感材料，再掺入ＭｇＯ等金属氧化物，制成复合基本材料，采用直热式气敏元件制造工艺，经表面修饰改性，研制成功常温振荡式ＣＯ气敏元件，给出了常温下的气敏特性，并探讨其振荡机理。     

气敏元件多功能测试系统

介绍了气敏元件多功能测试系统的工作原理及功能，并对其在气敏元件生产及研究的应用进行了介绍．     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

一种新型的SnO_2半导体气体传感器

本文提出了一种制作SnO_2气敏元件的新方法。通常,检测还原性(或可燃性)气体的气敏元件是由N型金属氧化物半导体所构成。当这种半导体与还原性气体接触时,其电阻值下降。相反,与氧化性气体接触,而电阻则升高。由此可知,气敏元件的导电率受到所吸附的气体影响。     

有限元方法在微结构气敏传感器设计中的应用

微结构气敏传感器是利用微电子,微机械和薄膜等技术制作的新一代的气敏元件。本文报道有凶方法在膜片型微结构气敏传感器设计中的应用。结果表明,有限元方法可用于模拟膜片上的温度分布和器件功耗,对器件结构有很好的指导作用。     

气敏元件的制作方法

就气敏元件来说，目前已有接触燃烧式气敏元件和半导体式气敏元件。     

超微粒氧化铁的制备与气敏性能的研究

本文采用PCVD法制备了纳米级的超微粒氧化铁气敏材料.用这种材料制备的气敏元件具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、稳定性好等优点.不需掺杂,改变工作温度和热处理温度便可获得对酒精蒸汽和C_2H_2气体具有选择性的气敏元件.这种材料像SnO_2,ZnO气敏材料一样,在205℃左右出现电导极值.超微粒α-Fe_2O_3的气敏机制属表面控制型.     

SnO2基半导体气敏元件低温特性研究

通过对某厂生产的SnO2基烧结型旁热式半导体气敏元件在-10～-40℃时气敏性能进行的实验研究,得到了其低温时的一些特性.实验结果拓展了其在低温情况下的应用,为进一步开发利用SnO2基气敏元件提供了条件.     

纳米ZrO2 基烧结型双敏元件的研究􀀂

纳米ZrO2作为一种新型的陶瓷材料已被应用于许多领域.本文主要介绍了低温强碱法制备纳米ZrO2材料,利用纳米ZrO2进行掺杂制作的元件有较好的气、湿敏特性.元件具有响应恢复快、结构简单等特点.作为湿敏元件时元件电容随湿度变化大,温度影响较小.作为电阻型气敏元件时,元件对NH3的选择性高.