聚酰亚胺悬臂MOEMS电磁光开关的优化设计

利用聚酰亚胺(PI)优良的机械、绝缘、耐热等性能,设计出基于PI膜的磁控光开关.给出合理的线圈宽度与间隙宽度,提出了八边形的线圈绕组结构,计算得出PI膜悬臂梁光开关驱动电压与工作距离的关系,并对悬臂梁长度、宽度、厚度进行优化.在驱动电压为2V时,自由端位移达到2mm.     

RF MEMS电容式开关结构层释放技术

研究了RF MEMS开关的制造工艺流程和聚酰亚胺牺牲层的去除工艺。在开关的设计和加工中采用在信号线两侧的地线上生长一层绝缘介质层,直流偏置线生成在绝缘介质层之上,与桥的锚点相连接,实现了交直流隔离。讨论了干法刻蚀和湿法刻蚀牺牲层技术。干法刻蚀容易造成绝缘介质层的刻蚀和损伤。采用湿法刻蚀结合临界点干燥技术,可以获得理想的微梁结构。通过测试,开关样品的下拉电压为34 V～40 V,下拉距离为(1.7±0.2)μm,满足设计要求。     

康铜薄膜电阻应变传感器的制作

在应变元件与应变膜之间允许直接形成一体的场合下,把应变电阻元件沉积在接受应变的弹性元件上,将使应变传递性能大大改善,这是不言而喻的.但需解决应变电阻膜与接受应变的金属弹性片间的绝缘层问题.本文介绍作者研制的康铜薄膜电阻应变传感器的制造工艺和测试结果,证实了采用双层介质膜是解决绝缘隔离这一技术难点的良好途径.     

双层厚膜结构改善气敏元件灵敏度和选择性研究

研究了厚膜印刷技术制备的双层膜结构气敏元件的灵敏度和选择性.测量结果表明:在二氧化锡(SnO2)单层膜下再添加一层纳米三氧化钨(WO3)材料厚膜,可以提高气敏元件对酒精、丙酮、甲醛、甲苯还原气体的灵敏度和选择性.当浓度为900×10-6时,将SnO2覆盖在WO3之上形成双层膜时,较两种材料对应的单层膜灵敏度均有所提升.因此,双层厚膜结构为改善元件的灵敏度和选择性提供了一种可行的方法.初步认为,双层膜的作用与膜的上、下排列顺序有很大的关系,也与双层界面间由于扩散效应所形成的过渡层有关.     

化学气相淀积在大规模集成电路中的应用

集成电路的制作工艺主要是薄膜工艺,是以半导体材料为衬底,在其上淀极多层不同的薄膜。用来作隔离介质膜、电容介质膜、掩蔽杂质扩散的阻挡膜、多层布线的绝缘膜、表面保护膜、互连线的导电膜等。形成薄膜的方式也是多种多样的。有化学气相淀积成膜、蒸发成膜、溅射成膜等。由于化学气相淀积工艺的不断改进,反应温度不断降低、克服了化学气相淀积的不足之处(如     

发明与专利

一种采用复合固体电解质膜的CO传感器 【摘要】CO传感器包括：气体过滤器、CO进气隔板、上气体扩散层、绝缘密封圈、密封胶圈、电解质膜组件、下气体扩散层、空气进气隔板和传感器壳体;电解质膜组件是质子交换膜燃料电池用的复合固体电解质膜电极组件,膜电极组件由复合固体电解质膜和催化剂层构成,     

铬[Vl]离子敏感半导体器件的研究

<正> 我们采用半导体平面工艺技术,制造栅绝缘膜为Si_3N_4/SiO_2的n沟道耗尽型氢离子敏感半导体器件,再在栅绝缘膜上通过溅射等方法制造一层以季铵盐为活性物质的PVC膜;然后把器件灌封在聚乙烯塑料管中。将铬离子敏感     

微F-P腔可调谐滤波器关键工艺研究

采用表面加工工艺,AZ5214E光刻胶进行光刻并反转,磁控溅射NiCr合金,剥离出高度为2.3μm的金属桥墩,填充聚酰亚胺作为牺牲层,再在牺牲层上光刻、沉积金属形成金属桥面,在金属桥面的中心嵌入第二布拉格反射镜。采用O2等离子体刻蚀去除聚酰亚胺膜,制作成微法布里—珀罗（ F-P）腔,不需要硅片键合,克服了传统F-P腔高度不够高、调谐范围有限、腔平整度不好以及对设备要求高的缺点,并且可以做出大阵列结构,易于探测器集成。着重对腔体关键工艺,即金属桥墩的NiCr剥离工艺进行研究,针对现有技术缺陷,提出解决办法。     

印刷电路板的电镀工艺

在电互连多层电路板的工艺中,各层电路用绝缘层隔离,层间备有电镀通孔,其孔壁是在不同晶粒结构的相邻层上沉积形成连续的导电金属簿膜层。     

光敏聚酰亚胺牺牲层工艺研究

微机电系统(Micro Electromechanical System,MEMS)作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展.牺牲层技术是MEMS应用的关键.介绍了光敏性聚酰亚胺作为牺牲层材料的优势,研究了工艺中光敏聚酰亚胺的厚度控制、亚胺化过程以及牺牲层的去除.并讨论了各工艺的最优化,制备了性能稳定的悬桥结构.     

航天器高电压、大电流柔性线路传输模型建立及分析

在航天器电源模块中,线路的电压值高达 300 V,要求线路之间必须具备良好的绝缘性。受 到柔性电路制造过程中各因素的影响,线路之间的耐绝缘性能并不可能是理想状态。尤其是线路之间 的种子层会加强柔性线路之间的导通能力,使得线路之间树脂绝缘弱化。该文针对高压导电性阳极丝 (Conductive Anodic Filamentation,CAF)大电流传输要求,使用 COMSOL 软件建立了相应高压击穿模 型,比较了不同线路之间距离下柔性电路的耐 CAF 能力。此外,还通过建立有无聚酰亚胺为介质的模 型,比较在 10 A 大电流时的线路损耗情况。同时改变模型中聚酰亚胺的厚度,研究线路周围的温度变 化。仿真结果表明,在大电流下线路之间间距为 2 mm 时,无论线路之间有无种子层,线路之间都具有 较好的耐击穿能力,为柔性线路的设计提供了整体方案。     

有聚酰亚胺绝热层的新型非制冷红外探测器

提出了一种基于聚酰亚胺绝热层的新型非制冷红外探测器结构.该结构具有工艺简单、成本低廉、成品率高等优点.利用底部反射金属层可以提高红外吸收率;底层金属和有源层间的隔离层不仅可以减小器件热导,还可以和上层材料层构成三明治红外吸收结构,进一步改善红外吸收效果.对制备工艺进行了简单介绍,器件性能测试结果表明,该新结构探测器虽然和空腔结构探测器的探测率相当,但在工艺制备及成品率方面要优异得多.     

专利文摘

英国专利,No.,2068—173,申请:80.1.28,公布:81.1.28 本文介绍的是测量流速或流量的传感器。该传感器是用绝缘管制成。绝缘管的外表面涂敷铂浆,锻烧形成铂膜,激光刻槽形成铂电阻带。然后除掉槽中残留的铂浆,用磷玻璃涂敷到电阻带上。 该传感器测量精确,成本低。铂膜性     

高压氢环境专用薄膜应变片的设计制备及性能测试

为解决普通箔式电阻应变片在高压氢环境中存在应变片脱落、零点漂移和蠕变等问题,设计了一种用于高压氢环境中的专用薄膜应变片,具体制备方式为:利用磁控溅射技术,依次在316L不锈钢基底上镀Cr膜(过渡缓冲层)、AlN膜(绝缘部分)、FeCrAl合金膜(功能层,使用掩模板镀膜为栅丝形状).应变片的测试结果表明:与常规的粘贴型应变片相比,该薄膜应变片消除了在高压氢环境下应变片的零点漂移和蠕变.     

SmTbFeCo/ Cr/ TbFeCo 垂直磁化膜的耦合机理与磁特性研究

采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特性.饱和场Hs、(1-M/Ms)随tCr的变化曲线表明,两个磁性层的层间交换耦合随着tCr的增加,在反铁磁耦合与铁磁耦合之间振荡变化,周期为16(A),耦合强度逐渐衰减.分析表明,矫顽力Hc的变化主要源于Cr中介层对SmTbFeCo层微结构的影响,而Ms的变化则与层间交换耦合作用有关.文中还分析了稀土非晶膜的氧化问题.     

刚性聚酰亚胺的分子堆积和热膨胀性能研究

聚酰亚胺是一类高强、耐热、低介电常数特种工程材料,已在微电子领域广泛应用。因其热膨胀系数高于无机导电层,其作为集成线路板基膜材料时易与导电层剥离分层。在聚酰亚胺分子结构中引入刚性链段是降低热膨胀系数的有效方法。本文从2,5-二氨基苯基吡啶和2,5-二氨基苯基嘧啶合成了2种刚性聚酰亚胺,对其热性能和机械性能进行了表征。结果表明,此类刚性聚酰亚胺比普通聚酰亚胺具有更紧密的分子堆积,从而呈现出高密度、低热膨胀以及很好的耐热性和机械性能。另外,通过理论计算比较了聚酰亚胺堆砌系数与热膨胀系数的相关性,这些理论计算的堆砌系数可以较好的预测刚性聚酰亚胺的热膨胀性能。     

FET型传感器、利用该传感器的离子浓度检测方法及碱基序列检测法

本发明包括：在半导体基板的表面，形成与基板反极性的扩散区域组成的输入二极管部、固定在输入二极管部与浮游扩散部之间的绝缘膜上的输入栅极和输出栅极、固定在其输入/输出栅极闯的绝缘膜上的离子感应膜所组成的传感部、固定在连接浮游扩散部另一侧位置的绝缘膜上的复位栅极，形成在复位栅极的浮游扩散部另一侧的、由与基板反极性扩散区域浇成的复位二极管部；此FET型传感器检测：根据对应于作用在传感部的离子浓度而相应变化的势井深度和汲出次数的，浮游扩散部所积累的电荷量，利用此FET型传感器来进行离子浓度和碱基序列的检测     

基于环氧树脂/ 钛酸钡/ 聚酰亚胺绝缘介质的PCB 埋嵌电容的制作及性能研究

文中使用叠层技术制作了以环氧树脂/钛酸钡/聚酰亚胺为绝缘介质的PCB埋嵌电容器。制作的电容器容值与设计值之间误差在-4.0%到-6.0%之间。通过将电容器面积增加5%,电容器容值误差降低到了-1.1%以下。为了检测埋嵌电容器的可靠性,分别进行了260℃回流焊、高低温冷热冲击、85℃/85%RH及高压击穿测试。测试结果表明,以环氧树脂/钛酸钡/聚酰亚胺为绝缘介质的PCB埋嵌电容器有良好的环境可靠性,适合用于制作PCB埋嵌电容器。     

新型温湿度复合传感器

介绍一种复合型温湿度传感器,它以绝缘材料作骨架,在骨架上用一层铝箔作内电极,铝箔外层以高分子吸湿膜为介质材料,再在其外绕上漆色铜线,铜线与铝箔间形成湿敏电容,铜线为电阻温度检测元件,配上适当的电路,可实现温湿度检测与控制.     

微型线圈-铁芯结构传感器中聚酰亚胺的低成本刻蚀和平坦化方法

本文研究了预亚胺化温度、时间以及刻蚀时间对聚酰亚胺湿法刻蚀结果的影响。预亚胺化后 2.5 μm厚的PI-5型聚酰亚胺采用EPG 533型光刻胶作为掩膜时,预亚胺化采用90℃/5 min - 140℃/10 min方案,采用1% KOH溶液,15 s的显影/刻蚀时间会得到较好的刻蚀结果。在此基础上,通过实验研究了一种低成本的填充式平坦化技术。通过在底层线圈上旋涂一层聚酰亚胺,湿法刻蚀去除铜线上的聚酰亚胺保留间隙中聚酰亚胺,然后再旋涂第二层聚酰亚胺的方式,完成了第二层聚酰亚胺的平坦化。与直接在底层线圈上旋涂聚酰亚胺而不做平坦化处理比较,起伏高度差从1.8 μm降低到150 nm,且起伏缓慢、无明显台阶。应用这种技术制备了一种采用线圈铁芯结构的微型磁通门传感器并进行了测试,传感器工作正常,性能优良。