n+n组合结构半导体丙酮气敏元件研究

n n组合结构半导体气敏元件是基于气敏元件互补反馈原理的一种新结构半导体气敏元件.该元件是由2种传导类型相同的敏感体A和B构成,A和B都是n型半导体材料.理论分析表明:当敏感体A和B满足一定条件时,该元件具有高的选择性,同时,还具有好的热稳定性和高的灵敏度.通过试验,获得了性能较好的n n组合结构丙酮气敏元件.     

提高半导体气敏元件检测能力的有效途径

半导体气敏元件发展的重点集中在如何提高其选择性，灵敏度和热稳定性等。通过控制元件的工作温度，采用添加技术，超微细化技术以及表面修饰技术等可有效地提高气敏元件的灵敏度和选择性。恒流加热法的使用是提高气敏元件热稳定性的主要手段。许多新材料，新原理的应用都可进一步提高气敏元件的检测能力。     

希土元素在气敏半导体中的作用

<正> 国内外对气敏半导体的研究已作了很多工作,也取得了一定的应用。但气敏元件的选择性不好使它的广泛应用受到了限制。所以提高气敏元件的选择性是当前气敏半导体研究的重要课题。 国外主要研究Sno_2、Zno为基体的气敏半导体元件。从七十年代开始研究希土的ABO_3型和A_2BO_4型化合物的气敏性。认为希土和镍或钴的复合氧化物有可能定量检测乙醇或氧气。还研究了     

气敏元件的制作方法

就气敏元件来说，目前已有接触燃烧式气敏元件和半导体式气敏元件。     

半导体薄膜型NO_x气敏元件及应用装置

本文讨论了半导体薄膜型气敏元件的导电机理,介绍了为探测NOx(NO_2、NO)有害气体而研制的SnO_2薄膜型气敏元件的结构、气敏特性及应用气敏元件制成的报警、测量两用仪的原理和结构。     

用非加热式气敏传感器的有毒气体报警器

在有毒气体报警器的设计制作中,气敏传感器通常选用加热式、旁热式及催化燃烧式的半导体气敏元件。由于该类元件在工作时需要加热,元件长时间处于较高温度状态下,引起灵敏度变化,需要定期对气敏元件进行标定,给使用带来不便,同时由于加热也使得元件的功耗较大。下面介绍一款由非加热式气敏传感器构成的简易有毒气体报警器,可以克服以上不足。电路原理图如附图所示。气敏传感器采用非加热式气敏传感器TP-1.1A,它是采用纳米SnO2进行半导体掺杂,以微珠结构制成的非加热式低功耗气敏传感     

硅胶基催化涂层对Ag-SnO_2气敏性能的影响

采用不同的硅胶基催化涂层对广谱敏感型Ag-SnO2气敏元件进行了表面修饰,改善了Ag-SnO2气敏元件的气体灵敏度和气体选择性,提高了Ag-SnO2气敏元件对H2的选择性     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

NiFe2O4纳米材料的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和NiCl2*6H2O为原料,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2O4粉体,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性.NiFe2O4是一种新型的P型半导体气敏材料.以NiFe2O4纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性,并对气敏机理给予了解释.     

补偿式气敏元件的研究

提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性.     

ZnO系半导体陶瓷气敏传感器的进展

本文综述了ZnO系气敏半导体材料的发展慨况,讨论了元件的结构与气敏效应的关系,评述了解释ZnO系气敏材料性质的敏感机理,探讨了目前存在的问题及今后的发展方向。     

QM-Y1型ZnSnO_3气敏元件的研究

<正> 半导体气敏元件是一种“气-电”转换元件,目前进入实用阶段的有SnO_3系列、ZnO系列及Fe_2O_3系列。除Zn_3SnO_4的气敏性质有报导外,以ZnSnO_3为主体材料的气敏元件则至今未见文献和专利报导。本文研究了ZnSnO_3     

低功耗C_2H_5OH气敏元件

采用超细SnO2粉体，按照MQ—J1工艺制成低功耗C2H5OH气敏元件。该气敏元件将工作温度降低一半以上，而且选择性好，同时简化了常规C2H5OH气敏元件的生产工艺，是一种具有开发前途的气敏元件。     

半导体气敏元件的新进展

(一)引言 七十年代以来,半导体气敏元件获得了引人注目的新进展。有些产品已从研制阶段跨入了大量生产的阶段。例如日本()技研公司生产的SnO_2烧结型TGS气敏元件,年产量已超过100万只,累计产量已超过1000万只,寿命已超过10年,其它气敏元件、湿敏元件的新品种也在不断出现。引起这种蓬勃发展现象     

选择性CO气敏元件的研制

<正> 如何提高氧化物半导体气敏元件对CO气体检测的灵敏度、选择性和稳定性,开拓在工业和环境监测中的应用,一直是人们十分关注的问题,利用SnO_2、WO_2、ZnO等为基体材料和不同的工艺方式在做着广泛的研究,本文对以SnO_2为基体的CO选择性气敏元件的研制作了进一步的探讨。     

气敏元件的制作方法

气敏元件有接触燃烧式和半导体式2种。接触燃烧式气敏元件在高温条件下长时间给灯丝加热，金属由灯丝表面蒸发而使灯丝的电阻增大，导致检测精度降低。随后又开发出改良型气敏元件，     

复合氧化物C_2H_5OH敏感材料的研究

本文叙述了几种复合氧化物气敏半导体材料的合成。做成的气敏元件灵敏度高,选择性好,比较稳定,响应和恢复时间快,是较好的酒敏。     

SnO2超微粒薄膜气敏元件的研制与测试

用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO_2超微粒薄膜,溅射过程中适量掺Pd,用IC技术制成气敏元件.实验结果表明:该元件在90℃左右时对氢气有极高的灵敏度,是一种薄膜化、集成化、高选择性的气敏元件.本文介绍薄膜制备、微观结构分析、元件设计及气敏特性测试.     

气敏元件信息采集系统

介绍了一种以半导体气敏元件为对象的信息采集系统。通过虚拟仪器技术与单片机技术，实现了50路模拟信号的信息采集处理。经模拟运行证明，该系统运行稳定，提高了检测速度和测量精度，为气敏元件大规模产业化生产提供了技术条件。     

选择性乙炔气敏元件的研制

从1962年日本清山哲郎首次研制成功氧化锌薄膜气敏元件。国内已生产了一氧化碳、甲烷等可燃性气体报警器。这些产品都是掺贵金属钯的广谱性的气体传感器,选择性较差,即对混合气体中某一组分不能选择性地检出。根据工厂的特殊需要,我们研制了选择性乙炔气敏元件,取得了较为满意的结果。