实用铂热电阻线性化交换电路

<正> 铂热电阻温度传感器是一种广泛应用的测温元件,在—50～600℃范围内具有其它任何温度传感器无可比拟的优势,包括精度高,稳定性好,抗环境干扰能力强等.由于铂热电阻的电阻值与温度成非线性关系,所以给一般用户使用带来一定困难,往往没有充分利用其高精度优势.本文介绍了适合于各种精度要求的铂热电阻温度传感器交换电路,对应于不同的精度要求可以选用不同复杂程度的电路方案.铂热电阻温度传感器的电阻值与温度的关系工为Rt=R_0(1+ar+bt~2),其中Rt:温度t℃时的电阻值,R_0:温度0℃时的电阻值,型号Pt100的铂热电阻R_0=100Ω,根据IEC-751标准,可近似取a=3.9685×     

热敏电阻新的数学模型及其在温度—频率变换器中的应用

众所周知,半导体热敏电阻的电阻值R(Ω)和绝对温度T(K)之间通常用下式表示: R=Ae~(B/T)式中A——T趋向于无穷大时的电阻值 B——具有温度量纲的常值系数实践证明,用式(1)来拟合热敏电阻的数学模型,当温度范围在75K以上时,会带来明显的误差,从而使采用热敏电阻的测温仪表的测温精度大为降低,文献〔1〕提出如下的改进公式:     

多路电阻式温度传感器超温巡检电路应用中的问题和分析

某产品中的多路温度超温巡检电路采用了低成本的模数混合设计,其中模拟电路用于完成电阻式温度传感器电阻(温度)值的测量及判断,数字电路用于完成10路电阻式温度传感器的切换;该电路的巡检周期为2s(5%),报警的最小电阻值为1050Ω在最初的设计中由于考虑欠周,在长期使用中该电路出现了器件易损坏和误报警等问题;通过对原设计进行改进,提高了产品的稳定性和可靠性,并提出了该类电路设计时应该注意的事项.     

石墨合成炉的结构及生产条件对合成气出口温度的影响

确定合成炉的出口温度是新型二合一氯化氢石墨合成炉优化设计的前提,本文从合成炉结构特点入手,提出确定气体出口温度的数学模型和计算程序,并通过Visual Basic 5.0编制的应用软件,研究了SSL-300～SSL-900型合成炉结构及生产条件对合成气出口温度的影响,结果是:不同型号的合成炉气体出口温度不同,在本文设计条件下,分别为260℃、236℃、245℃、321℃、343℃、368℃、418℃;气体出口温度随着原料气中氯气纯度或氯氢气量比的升高而降低;原料气温度的变化几乎对合成气出口温度没有影响;相同型号的合成炉,合成气出口温度随着冷却水温度的升高而增加。该项研究为优化设计新型的二合一氯化氢石墨合成炉提供了理论依据。     

SnO_2-ZnO复合膜特性研究

用真空蒸发的方法,在1.33×10-3Pa的真空中,蒸发SnO2,ZnO获得超微粒结构的SnO2-ZnO复合膜。当复合膜中ZnO质量分数为20%时,SnO2-ZnO复合膜对乙醇气体的灵敏度为40,膜的方电阻值也较低,为0.01×103Ω/□。复合膜经热处理后,其电学性能也得到改善,当温度t=600℃时,ZnO质量分数为20%的SnO2-ZnO复合膜热处理后,其膜对乙醇气体有较高的选择性,灵敏度为60。当t=400℃时,对掺有Sb2O5质量分数为450×10-6,ZnO质量分数为20%的SnO2-ZnO复合膜进行热处理,其方电阻仅为0.003×103Ω/□,具有优良的导电性能。     

扩展动圈仪表温度量程的一种方法

我厂由于生产工艺的变化,需将0～150℃温度范围扩展为0～300℃的范围。由于原用测温元件是铜电阻,配用XCZ-102型动圈显示仪表,分度号是G,要改成使用热电偶(EA-2)测温。修改后的测量线路图如图1所示。修改的方法如图2所示,在XCZ-102动圈显示仪表测量线路图中的a、b处断开,去掉并联电阻R_并,用一新的电阻R_串,代替原串联电阻R_串。R_串,阻值的大小,可先用电阻箱串接于电路中,再将热电偶(EA-2分度号)作为输入信号接入电路中,根据热电偶(EA-2分度号)的毫伏与温度关系对照表,确定温度上限量程300℃时的电阻值,即输入300℃时所对应的毫伏值22.90mV,不断调整电阻箱的阻值,当动圈表指针指到300℃时的电阻值,就是R_串的电阻值。然后用锰铜线     

基于Cu50的精确温度测量系统

在基于热电阻的温度测量过程中,由于元器件差异和漂移的影响,会大大降低温度测量准确度;针对这一问题,提出了一种自校正技术的4电阻测量法,通过比较4组测量信号的相对大小来求得被测热电阻的电阻值,进而计算出温度值;该方法的优点是可以抵消测量电路中漂移和元器件差异的影响,从而实现在不同的温度环境下的高精度的温度测量;通过计量炉的实测的数据比较,测量误差小于0.063℃,表明了该方法的有效性和正确性。     

MEMS单晶硅加热雾化芯片设计与制作

为实现高粘度液体的雾化,提出一种微机电系统(MEMS)单晶硅快速加热雾化芯片。对单晶硅加热芯片结构进行了设计,芯片为10 mm×10 mm的方形,布置了168个边长为500μm的方形雾化孔。通过ANSYS有限元软件进行了电—热耦合仿真,以评估其温度分布均匀性。衬底采用5×10~(-3)Ω·cm的4 in(l in=2.54 cm)N型(100)硅片,基于各向异性湿法腐蚀工艺完成了微孔阵列和芯片的制造。测试结果表明:室温下芯片电阻约为0.6Ω,且电阻值与温度呈正相关;芯片温度分布均匀,最低温与最高温相差约12.7%;施加3.7 V电压时,芯片在4 s内可升温至300℃,能够实现对甘油的快速雾化。该芯片结构和制作工艺简单,易于实现批量制造。     

灵敏半导体气敏元件

西德 Valvo 公司生产的型号为82040262001的半导体气敏元件是一个毫米级的陶瓷小丸,烧结上二条铂丝。在温度升高的情况下,当某一特定气体的浓度改变时,其电阻值也发生变化。元件安装在一个圆柱形金属栅网罩内。当空气中某种有害气体(如     

新器件简讯

TC1023/1024 TC1023/1024是温度传感器。TC1023的测温范围是-20～ 100℃,输出电压与温度成正比,灵敏度为10mV/℃(即输出电压V_(OUT)=10mV/C×温度C)。测量0℃以下温度时需外接一个下拉电阻到负电源。 TC1024的测温范围为-40～ 125℃,灵敏度也是10mV/℃,-40℃时输出电压为100mV, 125℃时为1750mV。它们可以在2.2～12V单电源下工作。两器件的特点:有关断传感器的控制端,因此较容易实现多点巡检测量;在整个测温范围内非线性小于     

硅钼炉的功率调节与模糊控制

针对以硅钼棒为发热元件，具有大容量，纯滞后，热惯性时变的硅钼电炉特性，设计出一种以模糊控制器为主，功率调节器为辅的混合控制器，控制系统中，功率调节器为内环，主要作用是克服硅钼棒随温度升高电阻非线性增加，而导致电炉高温区的加热功率不足，影响升温速率和升温过程；外还为温度反馈环，采用模糊PID控制器，便于解决钼炉存在的非线性，参数时变及数学模型的不确定性。实际运行结果表明，在硅钼炉控温系统中，采用这种混合控制器的效果优于一般模糊控制。     

智能仪表非电量测量的线性化方法

1 前言在非电量测量中,通常选用各种类型传感器把不同形式的物理量转换成电量。对于多数传感器而言,其电信号输出与被测物理量之间往往是非线性关系。如铂铑—铂热电偶,在常温下其热电势温度变换系数约为6μV/℃,在高温(1000℃)时则约为12μV/℃。热电阻阻值与温度之间关系式为Rt=R0(1 At Bt~2),式中R0、Rt分别为O℃和t℃时的电阻值,A、B为不同的系数。电容式传感器的电容值与极板之间距离d之间关系为C=εA/(d0—△d),也是非线性的。随着对测量精度的提高,非线性问题已是不可忽略的,     

CH-1型硅集成热电堆红外传感器

本文报导了应用塞贝克效应的CH—1型硅集成热电堆红外传感器的研究结果。该器件采用集成电路工艺技术及硅的微细加工技术研制而成。测得器件性能为:波段为8～14μm,电阻值为4±1kΩ,响应率为10～15V/W,时间常数<100ms,探测值D~*～1×10~8cm (Hz)~(1/2)/W。并对器件的膜厚与响应率关系、电阻值、响应与温度的关系进行了初步讨论。     

高精度微型CMOS运算放大器

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布推出一款新型表面贴装Power Metal Strip电阻器，该器件是业界首款采用超小型1206封装的1W电流感应电阻器。WSLP1206电阻器具有2mΩ-50mΩ的超低电阻值范围，并且能够耐170℃的高温。     

基于铂电阻的温度测量仪的设计与实现

针对大亚湾中微子实验中,需要精确测量掺钆液闪温度的问题,设计并实现了一种基于铂电阻的分布式温度测量仪;该测量仪可以同时测量多点的温度,并将测量结果通过网络传输到数据服务器中,从而实现远程在线监测;为解决器件温漂带来的误差问题,该文采用了3电阻测量法的自校正技术,通过比较3组测量信号的相对大小来求得被测热电阻的电阻值,进而计算出温度值;通过计量炉的实测的数据比较,测量误差小于0.059℃,满足测量精度需求。     

LC谐振式高温压力传感器高温下信号衰减的研究

基于LC谐振式传感器在高温下的测试随温度升高会发生信号衰减,频带变宽等现象,为了研究影响信号衰减的主要因素,借助于MATLAB软件,在理论上分析各个因素对信号衰减的影响,初步得出传感器寄生电阻是信号衰减的主要原因;最后,通过分别制作电感线圈和电容陶瓷片模型,并在500℃范围内进行测试,发现电感线圈寄生电阻值增加了6.7Ω,极板电容值增加了0.55 pF,因此得出寄生电阻是信号读取衰减的主要原因。     

新颖温度测量控制仪制作

本文介绍一种适用于工农业自动控制用的温度测量、控制仪(简称测控仪)。特点是电路简单,无需进行温度测试及标定,制作方便。该测控仪测量、控制温度为2～100℃ ,精度可达±3℃以内。温度传感器LM35D简介 LM35D是一种输出与摄氏温度成比例的温度传感器,其灵敏度为10mv/℃;工作温度范围0～100℃(在100℃时输出为1.0V);工作电压范围宽:4～30V;精度±1℃;线性度好(最大非线性误差为±0.5C);静态电流小(典型值为80μA);输出阻抗低;在1mA负载时为0.1Ω。另外,它最大的特点是无外围元件,也无需校正。该器件为TO-92封装,其外形、管脚功能及典型应用电路如图1所示。     

快离子导体碘钨酸银电性能的研究

本文论述了用化学法合成,烧结制做的快离子导体Ag_6I_4WO_4。这种化合物在25℃时的离子电导率为0.039Ω~(-1)Cm~(-1),在25～150℃的电导活化能为3.625卡/克分子,电子电导率为10~(-8)Ω~(-1)Cm~(-1),分解电压为0.62V。     

新品快报

新款1W电流感应电阻器点评:体积小、耐高温日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出一款新型表面贴装Power Metal Strip电阻器,该器件是业界首款采用超小型1206封装的1W电流感应电阻器。WSLP1206电阻器具有2mΩ-50mΩ的超低电阻值范围,并且能够耐170℃的高温。     

电力用新型PTC电阻器

本文阐述了一种新型的正温度系数(PTC)电阻器,它的特性可以用(VCr)_2O_3中的固态金属—绝缘体相变来加以阐明。例如在80℃的转变温度下,陶瓷体的电阻率急剧增加到20℃时电阻率(典型值为1.5×10~(-3)Ω·cm)的100倍。由于这种低电阻率,至少可制成阻值为0.1mΩ与0.1Ω之间的热敏电阻,它实际上可以载带的额定电流值分别高于200A或低于2A。本文说明了这种新型器件的结构以及典型的特性和应用。