TMS320VC5509的二次引导加载方法

在嵌入式系统中，微处理器的运行程序通常保存在其内部或外部非易失性存储器（如EPROM、EEPROM或Flash）中。对中低速的微处理器来说，系统运行时程序可直接从非易失性存储器读取并解释执行；对高速微处理器来说，非易失性存储器的读取速度较低，不能满足系统运行时程序代码直接读取的要求，需采用引导加载（Boot—load）方式将程序代码从低速非易失性存储器中加载到高速的存储器（如SRAM或DRAM）中，系统运行时直接从高速存储器中读取程序代码，实现系统的高速运行。因此引导加载是高速微处理器系统的关键技术之一。     

韩国现代汽车智能安全气囊 采用FRAM作为数据存储器

世界著名的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron International宣布，韩旧现代Hyundai Aulonet公司选用了其生产的FRAM产品用于该公司的汽车智能安全气囊和乘客传感器中。非易失性存储器（FRAM）具备无与伦比的读写寿命及高速的数据写入能力。成为当今日益复杂的智能安全气囊系统的理想选择。     

非易失性内存安全技术综述

大数据应用对内存容量的需求越来越大，而在大数据应用中，以动态随机存储器为内存介质的传统存储器所凸显出来的问题也越来越严重。计算机设计者们开始考虑用非易失性内存去替代传统的动态随机存储器内存。非易失性内存作为非易失的存储介质，不需要动态刷新，因此不会引起大量的能量消耗；此外，非易失性内存的读性能与动态随机存储器相近，且非易失性内存单个存储单元的容量具有较强的可扩展性。但将非易失性内存作为内存集成到现有的计算机系统中，需要解决其安全性问题。传统的动态随机存储器作为内存介质掉电后数据会自动丢失，即数据不会在存储介质中驻留较长时间，而当非易失性内存作为非易失性存储介质时，数据可以保留相对较久的时间。若攻击者获得了非易失性内存存储器的访问权，扫描存储内容，便可以获取内存中的数据，这一安全性问题被定义为数据的“恢复漏洞”。因此，在基于非易失性内存模组的数据中心环境中，如何充分有效地利用非易失性内存，并保证其安全性，成为迫切需要解决的问题。该文从非易失性内存的安全层面出发，对近年来的研究热点及进展进行介绍。首先，该文总结了非易失性内存所面临的主要安全问题，如数据窃取、完整性破坏、数据一致性与崩溃恢复，以及由加解密和完整性保护技术引入而导致的系统性能下降等问题。然后，针对上述各问题，对组合计数器模式加密技术、完整性保护技术扩展的默克尔树、数据一致性与崩溃恢复技术，以及相关优化方案作了详细介绍。最后，对全文进行了总结，并对非易失性内存未来需要进一步关注的问题进行了展望。     

火灾报警与灭火系统中的信息非易失性存储技术

本文较面全地介绍了火灾报警与灭火系统中现场编程信息和火警信息的非易失性存储技术和一些使用经验，并对正确选用器件提出了一些技术上的考虑。其内也适用于自动控制系统和自动化仪表。     

影响非易失性内存系统性能的因素分析

新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)具有扩展性好、静态能耗低、非易失性等特点,基于NVM的内存系统有望在未来补充甚至替代DRAM内存.但是NVM写延迟较长、写耐久性有限、动态写能耗高的问题,对NVM的实际应用产生了挑战.NVM内存系统如何影响应用程序,哪些因素会影响NVM内存系统的性能,是一个值得研究的问题.初步评测了NVM内存系统的性能,所提出的NVM内存包括两种:一种是只有NVM的内存(NVM-only memory);另一种是DRAM/NVM构成的混合内存.同时对比了NVM内存与DRAM内存的性能,分析了影响NVM内存系统的因素.最后,讨论了NVM内存系统研究的未来工作.     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)称作是非易失性存储器(NVRAM, Non-Volatile RAM)未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存,以及其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用.     

德州仪器推出业界首款高度集成NFC传感器应答器

正业界首款符合ISO 15693标准的完全可编程13.56 MHz传感器应答器集成了超低功耗微控制器和非易失性铁电存储器(FRAM)面向工业、医疗、可穿戴设备和物联网(Io T)应用北京2014年12月17日电/--日前,德州仪器(TI)宣布推出业界首款灵活型高频13.56 MHz传感器应答器系列。高度集成的超低功耗RF430FRL15x H片上系统(So C)产品系列把符合ISO 15693标准的近场通信(NFC)接口与可编程微控制器(MCU)、非易失性FRAM、模数转换器(ADC)、SPI或I2C接口进行了完美的结合。双接口RF430FRL15x H NFC传     

基于持久化内存的索引设计重新思考与优化

非易失性内存(non-volatile memory,NVM)是近几年来出现的一种新型存储介质.一方面,同传统的易失性内存一样,它有着低访问延迟、可字节寻址的特性;另一方面,与易失性内存不同的是,掉电后它存储的数据不会丢失,此外它还有着更高的密度以及更低的能耗开销.这些特性使得非易失性内存有望被大规模应用在未来的计算机系统中.非易失性内存的出现为构建高效的持久化索引提供了新的思路.由于非易失性硬件还处于研究阶段,因此大多数面向非易失性内存的索引研究工作基于模拟环境开展.在2019年4月英特尔发布了基于3D-XPoint技术的非易失性内存硬件apache pass(AEP),这使得研究人员可以基于真实的硬件环境去进行相关研究工作.首先评测了真实的非易失性内存器件,结果显示AEP的写延迟接近DRAM,而读延迟是DRAM的3~4倍.基于对硬件的实际评测结果,研究发现过去很多工作对非易失性内存的性能假设存在偏差,这使得过去的一些工作大多只针对写性能进行优化,并没有针对读性能进行优化.因此,重新审视了之前研究工作,针对过去的混合索引工作进行了读优化.此外,还提出了一种基于混合内存的异步缓存方法.实验结果表明,经过异步缓存方法优化后的混合索引读性能是优化前的1.8倍,此外,经过异步缓存优化后的持久化索引最多可以降低50%的读延迟.     

非易失性控制器DS1210芯片特点及应用

介绍非易失性控制器DS1210芯片的性能特点及应用,该芯片非常适用于用后备电池保存随机存取存储器中数据信息的单片机应用系统.     

FM31256的工作原理

FM31256是新一代多功能系统监控和非易失性铁电存储芯片,它与其他非易失性存储器相比较,具有读写速     

基于非易失性存储器的存储引擎性能优化

非易失性存储器具有接近内存的读写速度,可利用其替换传统的存储设备,从而提升存储引擎的性能。但是,传统的存储引擎通常使用通用块接口读写数据,导致了较长的 I/O 软件栈,增加了软件层的读写延迟,进而限制了非易失性存储器的性能优势。针对这一问题,该文以 Ceph 大数据存储系统为基础,研究设计了基于非易失性存储器的新型存储引擎 NVMStore,通过内存映射的方式访问存储设备,根据非易失性存储器的字节可寻址和数据持久化特性,优化数据读写流程,从而减小数据写放大以及软件栈的开销。实验结果表明,与使用非易失性存储器的传统存储引擎相比,NVMStore能够显著提升 Ceph 的小块数据读写性能。     

TI C5500系列DSP EMIF的二次引导方法

对于DSP系统应用平台，程序代码需要保存在Flash等非易失性存储器中。在系统上电复位后，用DSP固化的引导装载器（Bootloader）把应用程序从外部存储器引导到DSP芯片内部存储单元（RAM）上。目前应用最广泛的Flash，可以通过DSP进行在线烧写，对于系统的升级很方便。     

Hypervisor中内存回收技术的改进

虚拟化是云计算的关键技术. Hypervisor在虚拟机与主机硬件之间提供了一个抽象层,允许用户为运行着的虚拟机分配的内存总值超过主机的可用内存,这种技术称为内存过量分配. 为了能够降低这个技术对虚拟机性能的影响,hypervisor必须提供高效率的内存回收机制. 在本论文中,作者提出了一种解决方案：使用非易失性内存作为hypervisor交换页面数据的缓存设备. 作者从系统内存中划分出空间模拟了非易失性内存设备,修改了KVM模块中的算法,并制定了五种测试环境. 通过实验数据证明,相比现有的Ballooning技术与Hypervisor swapping技术,使用非易失性内存并配合低优先级队列算法时,虚拟机性能可提高30%和50%左右.     

测控仪表非易失性数据存储的软件设计

以温度测控仪表为例分析了单片机系统进行非易失性数据存储时软件要解决的几个问题。运用指针解决了定义重合与地址重合问题，运用给RAM打软标记的办法解决了控制参数的初始化问题，给出了相应的C51程序。实践表明此方法易于操作，可靠性高。     

I2C串行EEPROM应用系统的健壮性设计

引言 在嵌入式控制系统中,通常要用到非易失性存储器.无论是掉电时维持需要保存的设置,还是存储重要记录,可靠的非易失性存储器都是一种理想的选择.     

非易失性数字性电位器与单片机的接口设计

介绍了近年来出现的非易失性数字性电位器的主要特点，就一个具体电路详细叙述了单片机控制数字电位器XicorX9313的硬件联结与软件编程方法。     

新型非易失性存储器架构的缓存优化方法综述

随着半导体工艺的发展,处理器集成的片上缓存越来越大,传统存储器件的漏电功耗问题日益严峻,如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战.为解决这些问题,国内外研究者讨论了大量的新型非易失性存储技术,它们具有非易失性、低功耗和高存储密度等优良特性.为探索spin-transfer torque RAM (STT-RAM),phase change memory (PCM),resistive RAM (RRAM)和domain-wall memory(DWM)四种新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)架构缓存的方法,对比了其与传统存储器件的物理特性,讨论了其架构缓存的优缺点和适用性,重点分类并总结了其架构缓存的优化方法和策略,分析了其中针对新型非易失性存储器写功耗高、写寿命有限和写延迟长等缺点所作出的关键优化技术,最后探讨了新型非易失性存储器件在未来缓存优化中可能的研究方向.     

上海“相变存储器”研究与国际前沿基本同步

“非易失性存储器”作为新一代国际公认存储技术，越来越受到世界各国的重视。记者从11月7日在沪召开的第十一届IEEE非易失性存储器国际研讨会上获悉，上海承担国家科技重大专项、国家纳米重大研究计划等项目，牵头研发非挥发的新型相变存储器，已公开约300项海内外专利，填补了我国新型相变存储器的空白，研发与国际前沿实现基本同步。     

事件

英特尔和芯片技术公司Numonyx最近发布了一项新技术,将使非易失性存储器突破NAND闪存20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本。     

基于X24C45芯片的非易失性数据存储设计

介绍了一种设计思想独特的非易失性存储器X24C45,其特点是能满足频繁更新数据和快速存取数据的需求。强调了在硬件设计时应特别注意的问题,给出了有关该芯片操作的编程实例。