ICP刻蚀硅形貌控制研究

硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌.采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机,对ICP刻蚀当中影响形貌的关键工艺参数进行了研究和分析,研究了源功率RF1、射频功率RF2及气体(...     

飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案重新定义晶体管性能

过去,RF功率的性能完全取决于线性效率。如今,开发者遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题,飞思卡尔半导体推出新型硅片RFLDMOS功率晶体管Airfast RF功率解决方案,将性能和能效提升至新的高度。飞思卡尔通过新的产品系列解决了这种模式转变带来的问题,该产品系列基于一种更加...     

最大程度地延长无线家庭自动化系统中的电池寿命

研究将无线传感器功耗降至最低,从而延长电池寿命的方法.同时考虑那些容易被忽略但对电池寿命和系统性能具有重大影响的参数,以及功率转换、RF性能、通信协议等.介绍了几种良好做法供系统设计人员参考,帮助其深入了解以前可能未曾考虑过的方面.     

4H-SiC无线无源高温压力传感器设计

高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题,SiC是制造高温压力传感器的理想材料,结合薄膜技术与陶瓷厚膜技术,提出了一种新型的4H-SiC无线无源电容式高温压力传感器设计方案。应用Ansys有限元分析软件进行仿真,600℃时灵敏度为2.65 MHz/bar,说明传感器在高温下具有较高的灵敏度,对制备过程中的关键工艺——SiC深刻蚀进行了验证,刻蚀深度达到124μm,满足传感器制备要求。     

硅基材料的各向异性刻蚀工艺研究

穿透硅通孔技术是实现3-D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用SF6和CF4、SF6和C4F8、SF6和O2三组不同组合气体,对硅基材料进行交替复合深刻蚀,获得了不同组合气体对硅的横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率,实现了对硅的各项异性刻蚀,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。     

飞思卡尔使用新型iAirfastRF功率解决方案重新定义晶体管性能

过去,RF功率的性能完全取决于线性效率。如今,开发者遇到更加复杂的挑战,需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题,飞思卡尔半导体推出新型硅片RFLDMOS功率晶体管AirfastRF功率解决方案,     

飞思卡尔凭借第二代Airfast功率放大器解决方案扩大RF技术的优势

正RF功率行业的解决方案供应商飞思卡尔推出了第二代Airfast RF功率解决方案,为高级无线架构设备(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和TD-LTE应用)提供了全新级别的性能。飞思卡尔最新的Airfast系列RF功率解决方案基于成功且具备卓越性能的上一代产品,包含了28V独立和单级功率放大器。在充分利用并增强了第一代Airfast电路、模具、匹配网络和封装技术的基础上,飞思卡尔凭借新     

聚酰亚胺（PI）树脂在电容式RF MEMS开关制作中的应用

聚酰亚胺树脂(PI)因其良好的平面化特性、在氧气中易灰化、不完全固化易溶解于碱性显影液、在CHF3等离子气氛中有较强的抗蚀性等性质,在电容RF MEMS开关的制作过程中,应用它作为刻蚀保护层和牺牲层,不但可以使工艺过程得到简化,而且可以对开关的介质层尺寸、牺牲层厚度等图形参数起到很好的控制作用.     

RF MEMS开关在牺牲层工艺上的改进

通过对传统的RF MEMS开关采取在信号线上电镀桥墩、改进桥梁的形状以及在桥背面设计接触点的新颖方法,使得RF MEMS开关的下拉电压减小、开关时间缩短和可靠性提高.在工艺上,特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点.测试结果表明:开关的下拉电压为28V,最低开关时间为0.8μs,开关寿命达7×105次,0～10GHz的插入损耗在0～0.5dB,隔离度为35～45dB.     

反应离子深刻蚀（RIE）技术的研究

本文概述了微机的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用。采用ＮＦ３ＴＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２混合气体，在平板型反应离子刻蚀仪上，对硅进行了反应离子深刻蚀的研究，获得了一批经验数据。     

射频功率放大器模块的设计与实现

提出了功率放大器设计中的两个关键问题，结合GSM直放站功率放大器模块的工程实例，详细分析了该功率放大器模块的设计过程．最后给出该模块样机的实测结果，进一步验证了设计方法的有效性。     

基于AVR的机载应答机射频功率探测模块设计

机载应答机射频功率的检测对于保障空管安全以及二次雷达的正常运行起着十分重要的作用.以AVR微处理器ATMEGA128L为核心,设计制作了相应的功率探测模块,主要包括Ⅱ型衰减器电路、AD8362频率电压转换电路,以及数据采集和RS-422通信电路等,并通过软件补偿了由于线路和噪声等导致的损耗.经长时间的测试,系统工作稳定...     

基于AD8318的峰值功率分析仪设计

介绍了宽带射频信号功率对数检测集成电路AD8318的工作原理及主要性能,提出利用其快速响应能力构建多通道峰值功率分析仪的方法。     

The design of radio frequency energy harvesting and radio frequency‐based wireless power transfer system for battery‐less self‐sustaining applications

In this paper, the RF energy harvesting system and RF‐based wireless power transfer system are proposed and designed for battery‐less self‐sustaining application. For energy harvesting, the designed antenna array improves the received RF power effectively and also can harvest RF energy in multi‐frequency bands. For wireless power transfer, the proposed helical antenna realizes the system design in miniaturization. Subsequently, the T shape LC matching network are designed between the antenna and the rectifying circuit to obtain more power transmission. The measured results show that the proposed Wi‐Fi rectifier and 433 MHz rectifier offer a maximum conversion efficiency of 66.8% and 76% in case of the input power is ?3 dBm and 0 dBm, respectively. Finally, the performance of the RF‐based wireless power transfer system and RF energy harvesting system are attested by experimentally measurement, the measured results indicate that these systems can be used to power electronic.     

基于面向对象语言的功率敏感器自动测试系统

功率敏感器是微波射频专业中一种常用的基础仪表,配合功率指示器,用于微波功率的测量。在自动测试成为当代计量主流手段的背景下,提出了功率敏感器自动测试系统的研制。对《小功率座检定规程》及厂家方法进行了总结,得出了功率敏感器校准的通用步骤和硬件平台,并以此为基础讲述了自动测试系统各个模块：仪器管理、测试方案设计、测试过程实现及数据处理模块的设计思路及关键步骤,分析了参数校准因子的测量结果不确定度,通过手动测试与自动测试结果的比对,验证了该系统的可靠性。最后,通过大量实践,证明该软件结构可推广至各种仪表自动测试中,验证了其成为一种仪表自动测试通用结构的可能。     

射频宽带功率放大器设计

针对软件无线电台的特点与要求,研制了一款射频宽带功率放大器。首先,判别功率管的稳定性,基于S参数的设计方法,对功放的输入输出匹配电路进行设计和仿真优化。最终使该款功率放大器测试结果达到设计要求。     

新颖的可增强功率处理能力的X-波段RF MEMS开关

介绍了一种可用于射频系统中的微电子机械开关,通过新颖的三层板结构解决了高功率带来的自执行和自锁效应,并且消除了传统三层板结构引入的应力.采用阻抗匹配的方法提高开关结构的射频性能.利用CoventorWare软件模拟了开关结构的机电特性,利用HFSS软件匹配了开关结构并且模拟了射频性能.开关结构的吸合(pull-in)电压模拟结果为26V.在整个X波段,开关“开“态时的回波损耗低于-28dB,插入损耗小于0.25dB;“关“态时的隔离度大于28dB.     

低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化

分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。     

一种高效2.45 GHz低输入功率微带整流电路

提出了一种高效的2.45 GHz低输入功率微带整流电路,它可以有效地吸收低输入射频能量。该整流电路主要由一个倍压二极管BAT15-04W、开路枝节匹配电路和谐波抑制电路组成。所用的倍压二极管BAT15-04W是一个适用于低输入功率能量收集的低功耗肖特基贴片二极管。开路枝节匹配电路用于将整流电路匹配到50Ω。谐波抑制电路则是用于转换效率的优化设计。实测结果显示在直流负载为5 kΩ、输入功率为5 d Bm的情况下,该整流电路的RF-DC整流效率可达75.3%,所得到的直流电压超过3.45 V。