具有非线性映射能力的RAM式联想存贮器*

本文提出一种具有非线性映射能力的RAM式联想存贮器(RAM—AM)，通过将二值输入模式分解成若干个子模式，并作为RAM的寻址地址，来训练该联想存贮器．存贮编码采用相关矩阵方法，此AM作为异联想存贮器能成功地回忆，如XOR、高阶奇偶校验一类高阶非线性问题，说明了映射能力对于模式划分行为的依赖性．最后从理论上证明了所提模型的信噪比大大高于Hopfield模型的信噪比及在大量神经元存在下的可实现性，实验例子证实了这种模型的可行性．     

100毫微秒周期时间的集成MOS晶体管联想存贮器系统

引言 自从采用MOS晶体管集成电路作为联想存贮器记忆单元的研究结果公布以来,128字每字48位的联想存贮器已经实验和设计。 本文讨论采用MOS晶体管工艺的全集成     

具有非线性映射能力的RAM式联想存贮器

本提出一种具有非线性映射能力的ＲＡＭ式联想存贮器，通过将二值输入模式分解分解成若干个子模式，并作为ＲＡＭ的寻址地址，来训练该联想存贮器，存贮编码采用相关矩阵方法，此ＡＭ作为异联想存贮器能成功地回忆，如ＸＯＲ，高阶奇偶校验一类高阶非线性问题，说明了映射能力对于模式划分行为的依赖性。     

附录F STARAN计算机系统

STARAN是一台用它的内存的所有的或所选出的字同时执行算术、搜索、或逻辑操作的数字计算机系统。STARAN区别于一般计算机在于有四个主要特点: ·多维访问阵列存贮器。 ·按内容访问的存贮器(联想存贮器) ·对存贮器的每一个字有简单的处理器。     

联想处理存贮器——一种新型计算机的部件

本文提出一种新型计算机的部件——联想处理存贮器。详细地介绍存贮单元,存贮阵列结构和联想处理存贮器的组织结构。根据把信息处理和信息存贮合二而一的思想,提出以大于、等于和小于三种比较操作为基本操作,并叙述了基本操作的方法。文中指出,以代数运算为主,算术运算为辅,是这种新型计算机体系结构设计的关键所在。     

纵横开关性能研究

本文分析了将纵横开关作为多处理机系统的处理机——存贮器互连网络时的有效存贮器带宽。对已有的模型做了进一步扩展,探讨了当处理机的访存请求为任意分布时的模型,并通过模拟实验讨论了模型的适用范围。     

智能磁泡存贮器及其在数据库管理系统中的应用

本文是有关支持高级数据库管理功能的智能磁泡存贮器的设计。这些磁泡存贮器还可以为用户提供很大的工作空间,在这个空间,不用外部干涉就可以执行初步的文件处理操作。我们的目的是提出几种方法,包括这些存贮器的新颖芯片结构的设计及磁泡存贮器的特性。特别是我们评价了各种存贮器结构和不同磁泡芯片存贮结构的性能。用每个字和每个页面的检索时间做为评价不同存贮器结构的参数。讨论了分级磁泡存贮系统的性能。可在磁泡存贮器中完成的数据重新排列操作被包括在初步文件处理操作与基本关系代数运算的设计中。叙述了被设计用于支持关系数据模型和改进关系代数接口的智能磁泡存贮器结构。     

集成联想存贮器系统

联想元件 联想存贮器单元电路示于图1。字线通常保持在+1V,位线保持于+0.5V,使其在字线上无电流。如果D_a上升到+3V,T_1饱和,则流入D_a的电流转入字线。如果T_2饱和,D_a电压升高,则无电流流入字线。电流的有     

用软件模拟生成随机访问存贮器故障的方法

在许多与存贮器测试及可靠性有关的场合,都需要模拟生成一些存贮器故障,用来考查系统的工作情况。本文在指出现行的几种方法都难以形成任意单元间的耦合故障与图形敏感故障之后,提出了用软件实现模拟生成存贮器故障的方法。在一个普遍采用的故障模型下,分析了存贮器故障出现时所满足的规律;并根据这些规律,构造了故障模拟生成软件,它可以实时形成任意单元间的耦合故障与图形敏感故障。最后,讨论了这种方法的应用。     

论向量处理机系统中交叉存贮器的有效带宽

<正> 1.引言过去已经对并行存贮器访问的解析模型做过许多研究(文献[1]—[5]),然而,对于向量处理机交叉存贮系统却了解得甚少。其中特别重要的是对类CRAY X-MP[6]或富士通VP-100/200[7]存贮器可能出现的有效带宽的分析,由于存贮器具有多个端口,因此允许多个访问流并行工作。 Cheung和Smith通过模拟,获得了对CRAY X-MP存贮器系统的一些了解[8]。我     

多孔板固定存貯器

这种技术对于简单高速固定存贮器(ROM)的实用性已经得到证明。此种存贮器是由用医用括刀将线性铁氧体刮成的,并带有印刷信息图形的多孔板所制成的。它具有满意的读信号与驱动电流比,低电流级的电子学,一个二极管字译码矩阵,一次制造技术和牢固的结构。存贮器模型为32个字,每字36位,并具有50毫微秒存取周期(20兆周重复频率),这些已逐步实现了。一个具有128个字,每字50位的大固定存贮器也已满意地操作了。     

差错改正电路的设计

前言目前,作为计算机等信息处理装置的主存贮器,大都使用MOS半导体存贮器。在这些主存贮器中、往往使用差错改正代码(Error Correcting Codes;ECC)。在主存贮器中使用ECC的主要理由如下:1)把半导体存贮器用作主存贮器的最初阶段,效果是很差的。为了提高可靠性,采用了ECC。2)为减少用作主存贮器的每一存贮器集成电路封装的外引线数,采用了一位结     

对MCS-48单片机存贮器的研究与开发

MCS-48单片机的存贮器分为数据存贮器和程序存贮器。本文着重说明单片机的数据存贮器与程序存贮器的区别、寻址,编程和扩展(包括超寻址扩展)。单片机与其他微型机的重大区别之一,就是数据存贮器与程序存贮器在逻辑上及物理上是分开的。其中数据存贮器在运行时,可以读或写操作,但不能运行程序,而程序存贮器总是只读的,不能在运行时写入数据。本文提出了一种接口方法,利用RAM实现对单片机的数据存贮器与程序存贮器的混合扩展。使RAM既能存取数据,又能运行程序,给单片机的开发、应用带来方便。     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

松散耦合系统上的共享存贮并行计算

介绍工作站网络上并行计算的概念，意义，和计算模型，重点讨论了基于分布式共享存贮器的网络并行计算，提出了作者自己的思想方法和并行程序设计模型。     

FAMOS只读存贮器模型实验报告

我们用中国科学院上海冶金所研制的P沟256×8的FAMOS只读存贮器组件(仿1702A),做了一个FAMOS只读存贮器模型。模型的容量是1024×8。周期是2微秒,在电源电压 5伏及-9伏分别变化±10%,以及温度从-10℃至70℃范围内均能正常工作,能抗一般性干扰。模型在室温、正常电压下稳定工作了1700多小时,工作正常无故     

一种基于FPGA的通用微处理器设计

本文详细介绍了一种借助VHDL硬件描述性语言实现基于FPGA硬件平台的通用微处理器设计的完整方案.该型CPU具有实现简单快捷、成本低、通用性强、扩展容易的特性.本文分两大部分阐述:第一部分给出了该型CPU详细的结构图、原理说明、与相应存贮器的连接、存贮器模型以及部分VHDL源代码及其分析说明;第二部分针对该型CPU较强的扩展性能,从位扩展、功能扩展、存贮器容量扩展与段式模型以及与外围电路的连接角度进行研究,充分发挥该型CPU的潜能,并给出了一个CPU协同外围电路实现全自动洗衣机定时控制的例子.     

TTL中规模集成电话及其应用——第七讲 存贮器

<正> 存贮器是电子计算机不可缺少的组成部分。由于存贮器的容量不断增大、电性能和结构不断改进,亦起到了促进计算机发展的作用。随着科学技术的不断发展,对于容量大、存取速度快、耗电少、体积小、成本低、可靠性高的存贮器的需要日趋迫切。因此,具有这些特点的半导体存贮器正在逐步替代磁芯存贮器。半导体存贮器按采用元件的类型来分,有双极型和MOS型两类。前者的存取速度比后者高,但集成度不如后者;半导体存贮器按功能分类,有随机存贮器(也有叫随机存取存贮器、读写存贮器的,英文缩写为RAM)和只读存贮器(又称固定存贮器,英文缩写为ROM)两类。使用随机存贮器时,可以随时把信息从它的任一选定的单元中取出(称读出),又可以随时把新的信息写入它的任一选定的单元(称写入)。使     

MAOS型不易失信息的存贮器电路的特性

前言 不易失信息的半导体存贮器的重要性正在予以大力宣传的今天,对它的研究是很盛行的。在国内外已经有MAS存贮器、FAMOS存贮器、雪崩注入型存贮器、MNOS存贮器和玻璃半导体存贮器等许多报导。可以列举出对这些元件的要求条件是记忆信息的写入和消去要容易用电气的方法实现;它们的重复再现性在实用上要毫无妨碍;一旦写入了信息,即使     

对磁芯存贮器研制工作的设想

现代科学技术的迅猛发展,对电子计算机提出了愈来愈高的要求,而电子器件的不断更新又为计算机的发展创造了极其有利的条件。一直在计算机存贮系统中占主导地位的磁芯存贮器,七十年代也受到半导体存贮器的激烈竞争。由于半导体存贮器具有体积小、速度高、功耗小,成本低等优点,从而使磁芯存贮器目前处于这样的局面,即:一方面电子计算机中的磁芯存贮器已部分地被半导体存贮器所代替,一方面磁芯存贮器为了使其已建立好的工业基础继续发挥作用,也在挣扎中得到发展。