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1.
引言数年来铁氧体磁心[1,2]已经成为计算机存储器的主要元件。目前,典型的计算机[3]大都有晶体管驱动的磁心存储器,它采用电流重合法[4],而工作周期为5—10微秒。虽然电流重合法存储器的工作周期可达2微秒,而速度更高的存储器就需耍采用所胡之部分翻棘方式才能达到。  相似文献   
2.
从对Schank理论的探讨论述智能存储   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文详细分析了R.C.Schank最近十几年来在人工智能领域中从“概念从属理论”到“动态记忆理论”的研究成果,指出了在人工智能领域中带有普遍性的问题。提出了我们对实现“集记忆与处理于一体的存储结构”的观点与设想,并以此作为“智能存储”思想的理论基础。  相似文献   
3.
带电荷泵的存储单元占面积较大是进一步发展的困难。但根据目前的工艺水平,芯片的存储容量还可以进一步提高。Intel公司已做出4096位/芯片的带电荷泵的Intel2106随机存储器(RAM),并在线路和工艺上做了改进,提高了性能和使用灵活性。首先提高了电荷泵振幅的下电平。在7001型存储器中,为了提高泵电流的效率,电荷泵振幅的下电平需要比(V_(BX)-2)伏还低(对N沟道而言)。这样,电荷泵的输入端就不好加保护器件。2106型的工艺中,在泵电容的栅下采用离子注入的办法注入一层P~ 杂质,以使电  相似文献   
4.
<正> 一、前言 70年代以来,数据库应用迅猛发展,数据库的容量和结构复杂性不断增加。极大数据库已超过了10~(10)字节,大量数据库的收集,维护需要极高的费用,为使这些资源得到充分利用,目前,数据库可以通过远距离通信和卫星通信与许多终端相联,用户遍及世界各地。这种用户的数量大,成批处理的数据库管理。若采用常规计算机通过软件设计来实现,不但成本很  相似文献   
5.
芯片尺寸厂家型号}bit/芯片}沟道}姗(位m,)方案*乳/bit电源l7’a二/界“盯几,w(V)(ns)4。3 xs3(a)3(a)351 5151沮AI AI Al 51 51 51 51 51 51 5151反5151P PNAhll5 21035 31036605102410244096P P PNAMS60026003600470014 xl10242048409610244。7 x 5.943(b)3(b)4N NPEAEA一1500EA一15041024理096 3 x 3.33 .5 x4。23(d)lFairehild3534102416,2019,2212,5,一57,20,22 .55,8,一155,8,一15一3,8,1515,一1512,5,一516,203。5 x 4.23(a)3(a)3(a)633(e)P P P N NNIntel eorP11031103A1103一12102一12105一12107A10241024102410241…  相似文献   
6.
本文讨论了在高速操作中采用磁心均分负载开关驱动一个双向二极管矩阵的可能性。为了便于分析,将每个开关磁心看作是一个脉冲变压器。达脉冲变压器的必要参数是利用波源阻抗、负载阻抗及脉冲的要求而计算出来的。给出了脉冲变压器及一个由3×3个二极管及作为负载的磁心元件构成的矩阵(用三个磁心均分负载开关驱动的)的实验结果。得出的结论是:采用四个均分负载开关来驱动一个重复频率为十兆赫的双向二极管矩阵是可能的;采用两个均分负载开关可获得五兆赫的操作。  相似文献   
7.
本文讨论使用偏流复位法的(每位一个磁心)不破坏读出元件的工作原理。它易于实现一百毫微秒的不破坏读出时间。信号干扰儿s/n的范围从5:1到15:1。用简单的二度重合法写数。和其他不破坏读出元件相比,它的主要优点是信号电平较高,信号干扰比较大,以及写入和穿线都简单。  相似文献   
8.
MOS大规模集成电路(MOS LSI)与分离半导体器件和中规模组件电路一样共同都有很多可靠性问题。但是,由于MOS LSI 电路增加了复杂程度,有较大的芯片尺寸和较高的集成度,需要采取不同的途径来解决。需要在设计者、生产者和使用者(即可靠性的三方面关系)之间有一种密切的工作关系来获得生产上的控制、测试方法和评定可靠性的步骤,同时使MOS LSI 电路的性能和可靠性都最佳化,采用这个办法后,一个每根外接端平均有很多功能的MOS LSI 电路,就能做出一个更可靠的系统(这是与一个同样复杂程度但基于分离器件或较少复杂程度的集成电路相比较而言)。本文对可靠性的一些特殊领域(如图案灵敏性、生产控制、装配、封装和电性能测试等均进行了讨论。  相似文献   
9.
半导体存储器的生产表明,大量功能失效的芯片仅仅由于个别单元、或一行、一列失效,只要将这极少数失效单元剔除,则芯片仍可正常工作。分区替换法采取在存储系统设计时增加冗余组件的办法对部分单元失效存储组件中的失效单元实行替换,从而可使年导体存储器件的可用率提高2~3倍。本文详细论述了分区替换原理及实施方案;立足于国产测试仪提出了部分单元失效存储组件的测试方法;运用成品率模型讨论了分区替换法对可用率的贡献。分区替换法方法简便,代价小,效果好,尤其适用于成品率不高的半导体存储器。  相似文献   
10.
一、磁存储元件在计算机中的地位自1946年第一台数字电子计算机ENIAC问世以来至今已有卅四年,这些年来计算机的发展迅猛异常。从性能上看,计算速度已从每秒几十次发展到新近宣布的Cy-ber 205(予定1981年1月交机)每秒运行8亿次提高约千万倍;从使用上看,操作越来越简单,就连家庭妇女儿童都可以学会;从数量上看,从六十年代初期的几千台,七十年代初期的十万台左右,发展到现在已达近百万台,(这还不包括年产约千万台的微型计算机)。这已经形成了一个世界范围的庞大的工业体系。在计算机的发展过程中,元器件起了决定性的作用。磁性元件也不例外。我们经常用元器件的更新来划分计算机时代,如表1所示。初期以电子管为主要器件的是第一代计  相似文献   
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