外挂Flash的TMS320VC5409引导装载设计

TI 的5000 系列DSP 提供多种引导装载模式,　主要包括 HPI 引导装载、串行 EEPROM 引导装载、并行引导装载、串行口引导转载、I/O口引导装载等,其中使用 Flash的并行引导装载是常用的一种,使用该种方法可以尽 快地开发出样机,是加快开发进度的首选。以下将详细介绍并行引导装载     

TMS320VC5509在线烧写Flash并自举启动方法研究

为了解决TMS320VC55X系列DSP系统程序代码的保存问题,设计了一种利用JTAG接口,在线烧写Flash并实现自举启动的方法。这种在线编程的方法利用并行外部存储器加载(EMIF)接口将TMS320VC5509和Flash芯片相连接,通过搬移程序将应用程序的已初始化段按照C55X系列DSP引导表格式烧写进外部扩展的Flash存储器中,从而实现自举启动。该方法为DSP系统的软件维护和升级带来了方便,具有实际的应用价值。     

TMS320VC5402外部并行引导装载方法的研究

分析了TMS320VC5402DSP的引导装载过程,给出了两个外部并行引导装载的典型电路。针对这两个电路设计了可脱离Flash烧写器的仿真器在线编程装载方法,并得到了实验验证。     

基于闪烁存储器的TMS320VC5409 DSP并行引导装载方法

闪烁存储器Am29LV400B的主要特点及编程方法;通过把FLASH的前32K映射到DSPTMS320VC5409的数据空间,按照自举表(Boottable)的格式在FLASH中存储程序代码,由DSP引导装载(Bootloader)程序实现了FLASH的16位并行引导装载;结合实例介绍了该引导装载方法的实现过程。     

TMS320VC5416 DSP并行自举方案的设计与实现

本文详细介绍了DSP并行自举加载的基本原理,设计了以TMS320VC5416 DSP为核心的DSP嵌入式系统硬件平台,外扩Flash存储器芯片为Am29LV160,最后结合实例实现了DSP的并行自举加载过程。     

TMS320VC5410分页烧写 Flash的多页程序并行自举

以TMS320VC5410为例，介绍对Am29LV200BFlash存储器进行程序分页烧写以及上电后多页用户程序并行自举的方法。对多页Flash存储器的烧写，须在烧写过程中对已烧写的数据长度进行动态判断，当达到预定烧写长度后对Flash进行换页，然后继续烧写，重复上述换页过程，直到程序烧写完为止。对多页程序的并行自举，在系统上电后，利用T1提供的自举程序，将一个用户自己编写的前导程序载入DSP，利用该前导程序将多页程序载入DSP来实现程序的自举。此方法适用于多种Flash芯片和C5000系列DSP。     

多DSP的混合模式自举系统

自举系统在并行系统研发中占有重要地位.在分析和比较单DSP自举原理的基础上,设计并实现了一种应用在多处理器平台的混合模式自举系统.该系统采用嵌套架构结合EPROM和链路口这两种加载模式,成功实现了单Flash芯片引导多处理器问的不同应用程序.与单一模式的EPROM自举系统相比,降低开发成本.减少功耗,提高了系统的可靠性和扩展性,为多DSP的大规模集成提供了广阔的应用前景.     

通过TMS320VC5410烧写FLASH实现并行引导装载的研究

随着DSP的广泛应用,如何对DSP系统上的FALSH重新编程的问题日益突出。在介绍Flash存储器Am29LV200B操作方法的基础上,通过TMS320VC5410对FLASH进行程序烧写,从而实现TMS320VC5410上电后用户程序并行自举引导。     

’C5402 DSP自举引导方法的分析与研究

介绍’C5402DSP芯片几种自举引导方法的特点熏对最常用的并行自举引导方式进行了深入的分析及研究,并通过实例说明建立自举表的步骤及应注意的问题。     

TMS320VC54028位并行自举引导方案的研究

在基于DSP的数字信号处理系统中,为了保证掉电时程序不丢失,总是将程序保存在非易失的外部存储器中,以便系统加电时将其引导到DSP内部的RAM中执行。文中对TMS320VC5402DSP8位并行自举引导的过程进行了介绍,设计了8位EEPROM并行自举引导的实现电路,并给出了创建引导表的具体步骤。