新型超导体MgB2及其掺杂研究

MgB2是在2001年新发现的超导材料.它作为一种新型超导体材料备受关注且发展迅速,但其较低的不可逆场和较小的高磁场临界电流密度已成为阻碍其发展的关键.化学掺杂由于具有方便快速、能均匀改性等优点而成为当前提高MgB2超导性能的研究热点.重点评述了有关MgB2的元素或化合物掺杂研究的国内外最新进展,并从基础和应用的角度提出了MgB2超导材料需要深入研究的问题.     

超导MgB_2掺杂及薄膜制备研究进展

综述了MgB2超导体近期的研究成果,介绍了MgB2的电子结构和超导性质以及化学掺杂对MgB2超导性质的影响,认为通过掺杂可以提高MgB2超导材料在高场下的Jc,少量的SiC掺杂可以得到目前最优异的Jc。讨论了制备MgB2超导薄膜的各种方法,发现HPCVD法制备MgB2超导薄膜有巨大的发展空间,并展望了MgB2超导体的应用前景。     

溶胶-凝胶法制备MgB_2超导纳米线

采用溶胶-凝胶法和在Ar气氛下热分解技术,制得了MgB2超导晶态纳米线。利用XRD对样品进行物相分析,表明有MgB2生成。通过扫描电子显微镜(SEM)对样品进行形貌分析,证实制备出了MgB2纳米线。样品的超导特性通过电阻随温度变化的测量得以证实,其超导临界转变温度Tc为19.4K。此外,对比分析了溶胶-凝胶法粉末和传统固相烧结粉末的异同。     

MgB2超导电性研究进展

2001年1月所发现的MgB2超导体具有39K的临界转变温度,是迄今为止转变温度最高的非铜氧化物超导体.它可能做为一种新型低成本高性能超导材料而受到广泛关注.本文简述了近期对MgB2超导体的研究工作,介绍了近期主要有关MgB2超导体电子结构研究和应用开发的工作,着重叙述了关于MgB2超导机制的研究.     

我国在二硼化镁线带材制备及其性能研究取得新进展

中科院电工所应用超导重点实验室和日本东北大学等合作,在新型超导材料二硼化镁（MgB2）线带材制备及其性能研究中取得系列新进展。通过对掺杂物以及掺杂机理的分析研究,采用多种有机物对MgB2线带材进行掺杂,大幅度提高了MgB2线带材在高磁场下的临界电流密度,研制出了多种具有国际先进水平的高性能MgB2线带材,如临界电流密度高达10800A／cm^2（4.2K,12T）。     

二硼化镁超导线带材及磁体应用研究进展

由于具有超导转变温度（39K）较高,晶体结构简单,原材料成本低廉以及长线制备容易等一系列特点,金属间化合物二硼化镁（ MgB2）超导体自2001年被日本科学家发现以来,引起人们广泛的关注,被认为是目前最有可能首先实现大规模工业应用的超导材料。尤其在制冷机工作温度（15～20 K）、较低磁场（1～2 T）条件下的医疗核磁共振成像仪（ MRI）超导磁体应用上有着广泛的前景。本文主要围绕实用化 MgB2超导长线（带）制备研究而展开,重点回顾了近年来粉末套管法、连续粉末装管成型法及中心镁扩散法等MgB2超导线（带）材制备及加工方面的最新研究进展;同时综述了在 MgB2超导线带材工程临界电流密度性能改进方面的最新研究工作;最后,对近几年来 MgB2超导磁体及线圈等应用研究进展进行了回顾。     

强电用超导材料的发展现状与展望

超导材料具有常规材料不具备的零电阻、完全抗磁性等宏观量子现象，是典型的量子材料。在强电应用领域，使用超导材料可以实现常规技术无法实现的超强磁场、大容量储能等诸多颠覆性技术，因此，强电用超导材料制备技术一直是国际高技术竞争前沿。本文通过梳理国内外强电用超导材料及其制备技术的发展现状，系统分析和阐明了包括低温超导材料NbTi、Nb3Sn和高温超导材料YBCO涂层导体、Bi-2223带材、Bi-2212线材以及MgB2线材等实用化超导材料在强电应用领域的发展趋势。分析我国强电用超导材料发展存在的问题，我国需要以开发出面向不同强电应用需求的高性能超导材料体系为基础，实现超导材料和强电应用产品的协同发展，推动强电用超导材料制备技术和应用技术的创新水平提升和产业化规模。研究建议，通过国家层面组织“产学研用”联合攻关，实现低温超导材料产业升级，突破高温超导材料批量化制备关键技术的发展思路，实现强电用超导材料的快速发展和应用。     

Campbell法研究MgB_2临界电流密度

PIT(powder in tube)法制备了MgB2超导材料;用Campbell法测量了样品的外加交流磁场bac与磁通渗透深度λ′的关系,并计算得到样品在外磁场中的临界电流密度;讨论了bac-λ′,曲线误差形成的原因和选取曲线平稳部分为计算有效段原则;Campbell法测量考虑了样品的整体结构影响电流的特性,得到的结果更切合超导材料的实际临界电流密度。     

用非单质硼源直接合成MgB2超导粉末

用非单质硼源直接合成了MgB2超导粉末，X射线衍射分析表明，除了MgB2主相外，还形成了副产物Mg28205，低温段保温的工艺控制是该制备方法中形成MgB2的关键，非单质硼源直接合成法是研制MgB2新型超导体的一种很有前途的技术．     

低纯硼粉的纯化处理及其对MgB2超导电性的影响

原料硼粉价格是决定MgB2超导材料制备成本高低的主要因素.不同纯度硼粉的价格相差十分悬殊.从降低原料成本的角度出发,MgB2超导材料的制备首选价格低廉的低纯度硼粉.然而,采用低纯度的硼粉所制备的MgB2的超导电性明显降低.为了提高用低纯硼粉制备的MgB2的超导电性,澳大利亚伍伦贡大学超导电子材料研究所进行了低纯原料硼粉的纯化处理,并研究了纯化处理后的硼粉对MgB2超导电性影响.     

MgB2超导膜制备技术

介绍了自MgB2超导电性被发现以来,用于制备MgB2薄膜/厚膜的各种基片、主要生长方法以及退火工艺,简单概述了薄膜制作超导隧道结方面的研究状况.     

纳米Al粉掺杂对MgB2 超导块材超导电性和显微结构影响

以纳米Al粉为掺杂物质，借助超声分散，较好地解决了纳米Al粉的团聚及其与B粉的均匀混合问题，制备出了1mol％、2mol％、5mol％、8mol％纳米Al粉掺杂的MgB2超导块材，并对掺杂效果和机理进行了研究．物相和显微结构分析表明，Al能够替代Mg进入MgB2晶格内，并导致MgB2的晶胞参数a、c逐渐降低，其中c的降低幅度较大．随着Al掺量的增加，MgB2的临界温度疋逐渐降低，由未掺杂时的38．5K降低至掺杂8mol％Al时的35．5K．超导电性研究结果表明，纳米Al粉掺杂，在低温、高场、低掺杂量的条件下可以改善MgB2的超导性能，掺杂量过大反而抑制MgB2的超导性能，2mol％的纳米Al粉掺杂效果最好．     

In situ epitaxial MgB2 thin films for superconducting electronics

The newly discovered 39-K superconductor MgB2 holds great promise for superconducting electronics. Like the conventional superconductor Nb, MgB2 is a phonon-mediated superconductor, with a relatively long coherence length. These properties make the prospect of fabricating reproducible uniform Josephson junctions, the fundamental element of superconducting circuits, much more favourable for MgB2 than for high-temperature superconductors. The higher transition temperature and larger energy gap of MgB2 promise higher operating temperatures and potentially higher speeds than Nb-based integrated circuits. However, success in MgB2 Josephson junctions has been limited because of the lack of an adequate thin-film technology. Because a superconducting integrated circuit uses a multilayer of superconducting, insulating and resistive films, an in situ process in which MgB2 is formed directly on the substrate is desirable. Here we show that this can be achieved by hybrid physical-chemical vapour deposition. The epitaxially grown MgB2 films show a high transition temperature and low resistivity, comparable to the best bulk samples, and their surfaces are smooth. This advance removes a major barrier for superconducting electronics using MgB2.     

溶液法制备MgB2超导膜研究

介绍了利用溶液法制备Mg(BH4)2前驱体,进而在衬底上涂抹粘稠的Mg(BH4)2乙醚溶胶(Mg(BH4)2.Et2O)制备MgB2厚膜的方法,也可称为溶胶凝胶法制备MgB2。运用此种方法制备出了10μm级厚度、转变温度达到37 K的MgB2超导厚膜。这种方法设备简单、制膜所需温度低、原料便宜,并且无毒无污染。更为重要的是,这种方法克服了困扰工业上因为硼(B)在采购、运输和存储过程中易于氧化的缺点,可以通过将Mg(BH4)2.Et2O溶胶直接在衬底上均匀甩胶,进而大规模制备MgB2带材。可见溶液法制备MgB2是一种有着很大应用潜力的方法。     

Improved critical current density of MgB2--carbon nanotubes composite

In the present study, we report a systematic study of doping/admixing of carbon nanotubes (CNTs) in different concentrations in MgB2. The composite material corresponding to MgB2-x at.% CNTs (35 at.% > or = x > or = 0 at.%) have been prepared by solid-state reaction at ambient pressure. All the samples in the present investigation have been subjected to structural/microstructural characterization employing XRD, Scanning electron microscopic (SEM), and Transmission electron microscopic (TEM) techniques. The magnetization measurements were performed by Physical property measurement system (PPMS) and electrical transport measurements have been done by the four-probe technique. The microstructural investigations reveal the formation of MgB2-carbon nanotube composites. A CNT connecting the MgB2 grains may enhance critical current density due to its size (approximately 5-20 nm diameter) compatible with coherence length of MgB2 (approximately 5-6 nm) and ballistic transport current carrying capability along the tube axis. The transport critical current density (Jct) of MgB2 samples with varying CNTs concentration have been found to vary significantly e.g., Jct of the MgB2 sample with 10 at.% CNT addition is approximately 2.3 x 10(3) A/cm2 and its value for MgB2 sample without CNT addition is approximately 7.2 x 102 A/cm2 at 20 K. In order to study the flux pinning effect of CNTs doping/ admixing in MgB2, the evaluation of intragrain critical current density (JJ) has been carried out through magnetic measurements on the fine powdered version of the as synthesized samples. The optimum result on Jc is obtained for 10 at.% CNTs admixed MgB2 sample at 5 K, the Jc reaches approximately 5.2 x 10(6) A/cm2 in self field, -1.6 x 10(6) A/cm2 at 1 T, approximately 2.9 x 10(5) A/cm2 at 2.6 T, and approximately 3.9 x 10(4) A/cm2 at 4 T. The high value of intragrain Jc in 10 at.% CNTs admixed MgB2 superconductor has been attributed to the incorporation of CNTs into the crystal matrix of MgB2, which are capable of providing effective flux pinning centres. A feasible correlation between microstructural features and superconducting properties has been put forward.     

快速凝固法制备大尺寸MgB2超导体

简单化合物MgB2超导性的发现引起了世界科学家对其组织结构、超导原理、制备方法及应用前景的广泛兴趣.针对MgB2单晶制备过程中存在镁的气化温度很低,MgB2在镁的沸点以下溶解度很小等不利因素,在国际上率先提出了从过冷熔体中的相选择与控制入手,采用深过冷快速定向凝固技术来制备高品质、大尺寸MgB2单晶的新思路.     

高传输特性的MgB2成材研究进展

MgB2高温超导体的发现，掀起了面向应用的MgB2成材研究的热溯。综述了MgB2线带材和薄膜的成材研究进展及应用前景。