利用非线性光纤环路镜将2.5Gbit／s归零码光脉冲波长变换20nm

利用光纤非线性环路镜成功地将２．５Ｇｂｉｔ／ｓ的归零码光脉冲变换了２０ｎｍ的距离。在最佳波长变换处对变换信号进行了１小时的误码测量,采用２２３－１伪随机码序列,误码为１．３×１０－１４。信号光和探测光脉冲宽度分别为２８ｐｓ和３７ｐｓ,中心波长分别为１５３３ｎｍ和１５５３ｎｍ。     

利用光纤非线性环镜实现8×2.5Gb/s→2.5Gb/s解复用及误码特性的测量

报道了利用３ｋｍ 光纤非线性环镜作为全光解复用器对８×２５Ｇｂ／ｓ光时分复用信号的解复用实验结果, 并对２５Ｇｂ／ｓ解复用信号进行了误码特性的测量。测量结果表明误码率可达到１０－ １１, 误码率为１０－ ９时的功率代价仅为１４ｄＢ。     

4×2.5Gbit/s,154km无中继波分复用系统现场试验

两套供工程使用的４×２，５Ｇｂｉｔ／ｓ、１５４ｋｍ无中继波分复用光纤通信系统第一次在国内研制成功。该系统采用了波长控制器和波长转发器。系统可长期稳定工作并可接入任何厂家任何机型的２．５Ｇｂｉｔ／ｓ光端机。经过广东省邮电管理局组织的严格测试，二系统共８信道均２４小时无误码。并通过了由国家经贸委、电子工业部委托国家教委组织的专家鉴定。     

色散渐减光纤压缩光脉冲

利用色散补偿光纤（ＤＣＦ）及色散位移光纤（ＣＳＦ）压缩重复频率为２．５ＧＨｚ的增益开关量子阱ＤＦＢ半导体激光器出射的光脉冲，将光脉冲由５３．８ｐｓ压缩至２．５ｐｓ，而后利用色散渐减光纤将２．５ｐｓ的光脉冲进一步压缩至０．８３ｐｓ。     

基于注入锁模光纤激光器的OTDM时钟提取技术实验研究

提出了一个新的全光时钟提取方案 :用非均匀复用后的OTDM信号去驱动主动锁模光纤环行激光器中的调制器件 ,得到复用前的单路时钟光脉冲 ,并且成功地从 2×10Gb/sOTDM信号中提取出 10GHz的单路时钟光脉冲     

利用中点谱反转实现2.5Gb/s直接调制信号的200km常规单模光纤传输

报道了２．５Ｇｂ／ｓ直接调制光信号的２００公里常规单模光纤传输实验，系统中采用了基于色散位移光纤中四波混频效应扣点谱反转技术以补偿光纤色散的影响。     

光阴极材料GaAs／AlGaAs的组分分析

为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用Ｘ射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外ＧａＡｓ光阴极材料ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ的Ｃ,Ｏ含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 面及ＡｌＧａＡｓ层的Ｏ含量分别为７．６％和１０．６％,Ｃ深度分别为５．２×１０＾１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３和１．０×１０＾１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３,而国外的材料的Ｏ含量相应为１．０     

超微粉石墨层间化合物CuCl_2-NiCl_2-GICs合成及电学性能

常规的ＧＩＣｓ合成原料均采用合成石墨或者粒度较粗的天然石墨，这里采用超微粉石墨作原料，进行受主金属氯化物ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣ的合成研究。使用山东南墅石墨（３０００目）、Ｃｕ－Ｃｌ２和ＮｉＣｌ２（５ｎ：０．５∶０．５摩尔比），在５２８℃、真空度１０．３Ｐａ条件下，得到超微粉的ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣｓ，ＳＴＥＭ单原子能谱扫描结果显示出铜离子和镍离子分布基本均匀。合成的１，２，３和４阶ＧＩＣｓ的电导率分别为１．５３６×１０４，１．６３８×１０４，３．７７３×１０４，和５．７２７×１０４。而石墨原料的电导率为１．８５１×１０４，从整体来看合成的ＧＩＣｓ的电导率是石墨原料的０．８－３倍。对比合成的ＧＩＣｓ的电导率发现，阶数不同，电导率不同，并且随着阶数的升高，电导率增大。     

HT－7托卡马克的八管弹丸注入器

介绍了用于ＨＴ－７托卡马克的的八管弹丸注入器的物理、工程设计原理和结构特点及配置的各种诊断手段。注入器采用气动发射技术，弹丸为１ｍｍ×１ｍｍ，１．２ｍｍ×１．２ｍｍ，１．５ｍｍ×ｌ．５ｍｍ圆柱体氢丸，丸速０．８～１．５ｋｍ／ｓ工作频率１～８Ｈｚ。     

波分复用系统中功率代价的测试

介绍了波分复用（ＷＤＭ）系统中功率代价的起因、测试方法和测试顺序,指出了各种起因对系统性能的影响,并提出了减小相应功率代价的方法。给出了８×２．５Ｇｂ／ｓ×（３×１５０ｋｍ常规单模光纤）ＷＤＭ系统中第６信道和第８信道的功率代价测试结果,ＣＨ８的总功率代价为１．８ｄＢ,其中色散代价为０．８ｄＢ,ＡＳＥ代价为０．９ｄＢ,串话代价为０．１ｄＢ;而ＣＨ６的总功率代价则仅有０．６ｄＢ。     

双相组织TiAl合金在共析温度以下的超塑性

研究了双相组织ＴｉＡｌ合金在温度淡９５０－１０７５℃,应变速度为２×１０＾－４－８×１０＾５１／ｓ的超塑性行为。结果表明,该合金在上述条件下表现出良好的超塑性,拉伸延伸率最高达到４６７％。在温度高于１０２５℃及应变速度不大于７×１０＾５１／ｓ时,应变速率敏感指匀高于０．５,最大值为０．８以上。     

二维光纤列阵接口器件及其在光互连网络模块中的应用

提出了一种适用于光电子集成ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧像素光互连网络的二维光纤束列阵结构和制作方法, 采用精密加工的光纤列阵定位槽和光学监控系统, 成功地研制出３２×２ 的单模和多模光纤列阵Ｉ／Ｏ接口器件, 光纤列阵层内及层间位移误差均小于２μｍ , 角向差小于０．０２°。实验中, 已将二维光纤列阵Ｉ／Ｏ接口器件用于１６×１６ ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧像素光电子集成Ｃｒｏｓｓｂａｒ光互连模块中, 实验结果表明, 该光纤束列阵Ｉ／Ｏ接口器件完全满足光互连系统的高精度要求。     

2.5Gb／s抽样法比特误码测试系统

提出并实现了一种利用抽样法实现高速数字通信系统比特误码率测试的新方法，可以利用低速误码仪对高速系统的误码率进行测量和分析。已利用１５Ｍｂ／ｓ误码仪实现了２．５Ｇｂ／ｓ的误码测量，并成功地应用于我国第一个２．５Ｇｂ／ｓＩＭ／ＤＤ光纤传输实验系统的研制工作中。     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用

本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增益β＝４０，最高可达β＝１５０。     

正常色散光纤消啁啾的孤子传输实验

利用正常色散光纤消啁啾成功地进行了１Ｇｂｉｔ／ｓ，２３公里的光弧子传输，观察到了一阶和高阶孤子传输现象，通过实验发现：采用适当长度的正常色散光纤消负啁啾，不仅能够压窄负啁啾的脉宽而且能够压窄频谱。     

ISI/IMs共混型镶嵌荷电膜的研制

以嵌段共聚物ＩＳＩ和ＩＭｓ的共混物为原料，ＰＰ微孔膜为基膜制成了复合膜，再经过交联、季胺化和磺化而制成了一种新的共混型镶嵌荷电膜。进一步的研究显示，该膜具有典型的镶嵌荷电膜结构及性能特点，与ＭｓＩＳＩＭｓ五嵌段荷电膜具有相似的膜形态与膜结构；电性能也十分相近，膜面电阻分别为３５０、９７０Ω·ｃｍ＾２，电压渗系数分别为８×１０＾－９、６．１×１０＾－９Ｖ／Ｐａ。表明可以用ＩＳＩ／ＩＭｓ共混物代替五嵌     

GaAs Mach－Zehnder型光波导开关／调制器

采用非对称Ｘ结耦合器代替传统的Ｙ分支器，研制了ＧａＡｓＭａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ型２×２光开光，得到了小于－２２．４ｄＢ的串音比和１２Ｖ左右的开关电压，器件的波导传输损耗小于７ｄＢ／ｃｍ。预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ开关列阵及高速光调制等领域。     

室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵

报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。     

测量精度达3.2nm的在线表面粗糙度外差干涉仪信号处理系统

介绍了用于磨床加工的光外差表面粗糙度在线干涉测量仪整机的信号处理系统,着重讨论了其中的两项关键技术,即利用负反馈构成的宽动态范围测量信号的自动电压控制以及依据计大数和测小数相结合的高精度动态相位测量,系统的测量精度达２．６°（相当于３．２ｎｍ）,允许测量中最大多普勒频移±１０ｋＨｚ（对应高度的变化率±８．７５×１０＾－３ｍ／ｓ）完全满足磨床加工中表面粗糙度在线测量的要求。现场测试证实了这一点,这对