半导体材料的划代

<正>第一代半导体材料主要是指硅、锗元素半导体材料;第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。     

SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

弛豫半导体的表征与应用研究进展

介电弛豫时间大于载流子寿命的半导体为弛豫半导体,反之为寿命半导体。因为介电弛豫时间正比于电阻率,所以弛豫半导体一般为高阻半导体,例如补偿半导体、非晶半导体或低温下的半导体。在弛豫半导体中,由于材料恢复电中性的过程慢于载流子浓度恢复质量作用定律的过程,所以必须考虑空间电荷,包括自由电荷和陷阱所带电荷,对载流子输运的影响。少子注入会导致弛豫半导体多子耗尽、寿命半导体多子增加;中性注入会导致弛豫半导体电子空穴分离、寿命半导体发生双极性输运。弛豫半导体的多子耗尽现象可用电流-电压测试和交流响应测试进行表征,发现其电流-电压特性由低电压下的扩展线性区和高电压下的超线性区构成,且受陷阱浓度影响。使用载流子动力学测试可直接观察到弛豫半导体中光注入电子和空穴的分离现象。弛豫半导体独特的电学性质在辐射探测器、抗辐照器件、光电导开关、温度传感器等领域有广阔的应用价值。     

化合物半导体材料的发展

半导体材料是信息技术中的重要材料,而半导体材料根据其化学组分的不同分为元素半导体、化合物半导体、固溶体等若干类,其中化合物半导体由于它独特的特性而得到迅速的发展。 在现代信息系统中,光通信、移动电话、计算机、电视直接接收以及各种显示装置、传感器等等多使用化合物半导体材料。 化合物半导体分为有机化合物     

半导体自旋电子学的研究与应用进展

简单介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、磁性/半导体复合结构、非磁性半导体量子阱和纳米结构中的自旋现象,以及半导体的自旋注入等.综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.     

半导体功能材料的发展动向

本文以几种半导体传感器为例简要叙述了半导体功能材料的发展动向。其中包括气体传感器材料、半导体磁敏功能材料、半导体光传感器材料和半导体压敏功能材料等的进展情况及发展趋势.     

材料知识讲座(连载) 超晶格半导体材料及其应用(4)

四、非晶态超晶格材料 1.非晶态半导体叙述非晶态超晶格材料之前,先介绍非晶态半导体。非晶态半导体有时也称为无定形或玻璃态半导体。非晶态半导体与晶体半导体不同,在原子排列上不具有长程有序,但具有短程有序的排列。非晶态半导体具有如下几个代表性的特点: 1)在某种程度上可改变其物理常数; 2)非晶态半导体由均匀物质组成,没有晶粒间界; 3)热学上处于非平衡状态等。在非晶态物质中也和晶体物质一样,有金属、半导体和绝缘体等非晶态材料,但在这里将介绍以非晶态硅(a-Si)为中心的半导体非晶态材料。     

半导体光催化全分解水的最新研究进展

从半导体光催化剂全分解水反应原理出发,介绍了近年来新开发的无机半导体光催化剂,如钽酸盐半导体,Ge基半导体、Ga基半导体,层状金属氧化物,具有d0、d10电子构型的半导体和Z型反应体系,分析了光催化效率的影响因素,并对未来做出了展望。     

半导体照明产业发展现状与趋势

正半导体照明亦称固态照明(Solid State Lighting,SSL),是用第3代半导体材料和有机半导体材料制作的发光器件,是第3代半导体材料产业化的第1个成功突破口。"十二五"期间,我国多部门、多举措共同推进半导体照明产业发展,相关部门大力实施半导体照明科技创新,节能技术改造工程,半导体照明应用推广等,我国半导体照明产业发展取得长足进步,已成     

国外化合物半导体产业的现状

1.半导体材料的种类 从化学组成角度看,半导体材料可分为元素半导体和化合物半导体。化合物半导体又可分为Ⅳ-Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族。每族的典型晶体见表1。     

“半导体照明产业化技术开发”重大项目正式宣布启动——2004年半导体照明论坛及展览会于3月23日在上海举行

本刊讯科技部副部长、国家半导体照明工程协调领导小组组长马颂德在日前举行的“2004中国(上海)国际半导体照明论坛”上正式宣布启动国家科技攻关计划“半导体照明产业化技术开发”重大项目,这标志着国家半导体照明工程已进入实质性推进阶段。国家半导体照明工程协调领导小组副组长李健介绍说,这一重大项目的战略目标是:突破一批半导体照明的关键技术、掌握一批半导体照明技术的知识产权、形成我国自己的半导体照明产业。要推动半导体照明在城市景观等特殊照明领域应用的同时,瞄准实现普通照明的远期目标,加大解决亮度、价格等瓶颈的攻关力…     

半导体桥的研究进展与发展趋势

文章系统地综述了半导体桥芯片的研究现状和半导体桥点火性能测试的研究进展,并对半导体桥的发展趋势以及应用前景进行了分析和展望,指出今后应当对反应式半导体桥和其它新型半导体桥的设计、制备及点火机理进行研究。     

半导体硅材料与信息化社会的高速发展

材料、交通、能源和信息是当今社会发展的四大支柱产业。跨入21世纪，半导体、电子信息产业迅猛发展，跃居所有产业的首位。电子信息产业的高速发展，在很大程度上是通过开发半导体硅材料来实现的。当今，95％以上的半导体元器件和集成电路（IC）是用半导体硅制造的，半导体硅材料业已成为半导体材料的主体。     

日本半导体硅材料三十年的发展

日本的电子工业,自1955年以来,增长速度超过其他产业,继美国之后,成为电子工业国。电子工业国的显著特征是半导体化。半导体硅是半导体产业的主要支柱。估计,半导体硅这一主导地位,到本世纪末将不会改变。日本半导体硅材料的发展速度是十分惊人的。为此,当日本半导体硅材料发展至今,回顾其三十年走过的历程,了解硅业界的发展状况,展望未来,可能对我国半导体硅材料的发展有参考价值。     

第3代半导体碳化硅功率器件用高导热氮化硅陶瓷基板最新进展

正第3代半导体一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。半导体产业发展大致分为3个阶段,以硅(Si)为代表的通常称为第1代半导体材料;以砷化镓为代表的称为第2代半导体材料,已得到广泛应用;而以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带为代表的第3代半导体材料,由于其较第1代、     

我国半导体硅片发展现状与展望

硅片是半导体关键的基础材料，我国半导体硅片对外依存度较高，增强硅片的自主保障能力，对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8 in、12 in硅片，分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状，研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势，重点分析了我国半导体硅片的发展现状，指出我国半导体硅片在当前市场需求、宏观政策、配套能力、研发投入等利好因素下迎来难得的发展机遇，同时提出我国半导体硅片产业发展面临挑战，在此基础上，从进一步加强顶层设计和宏观规划、强化政策落实和政策持续性、协调支持产业链协同发展、布局研发集成电路先进制程用半导体硅片等方面提出对策建议，以期为推动我国半导体硅片向更高质量发展提供参考。     

半导体凉席的理论研究

介绍了热电制冷的原理及发展状况,提出了半导体凉席的具体模型并进行理论性分析,指出了提高半导体材料的优值系数和利用热管对热端散热是研制半导体凉席的技术关键,为半导体制冷的进一步应用和半导体凉席步入市场提供了理论参考。     

第3代半导体产业发展现状、特点及建议

正在如今的信息时代,半导体产业的重要性愈发凸显。半导体产业不仅是传统产业智能化升级的基础支撑,同时也是推动新兴技术与产业发展的关键所在。半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料,是半导体工业的基础,在半导体产业中扮演了举足轻重的角色,"半导体材料的水平是衡量一个国家精细化工产业水平的重要标志",这一说法不无道理。     

半导体制冷在空调中应用的研究

本文针对半导体制冷方式在空气调节中的应用进行了性能分析,提出改善半导体制冷系数的基本方向是改进半导体材料性能。目前,可通过改善传热条件,提高半导体制冷的性能。     

半导体制冷在空调中应用的研究

本文针对半导体制冷方式在空气调节中的应用进行了性能分析，提出了改善半导体制冷系数的基本方向是改进半导体材料性能，目前，可通过改善传热条件，提高半导体制冷的性能。