辽宁大四平石灰石矿成矿地质条件及开发利用前景

大四平矿区在中奥陶世接受了一套以钙、镁质灰岩为主的地层沉积,形成了一层厚度大、层状稳定的石灰岩。该石灰岩具有含钙量高,杂质含量低等诸多优点,成为生产水泥的优良原材料。石炭系沉积的铁质层夹铝土页岩也为生产水泥熟料主要的原材料之一。因此大四平地区石灰岩有着良好的开发利用前景。     

辽宁省新宾县小四平石灰岩矿床地质特征

新宾县小四平石灰岩矿赋存在古生界奥陶系马家沟组石灰岩层位中。通过勘查该区提交大型石灰岩矿床一处，提交332＋333类石灰岩矿资源量1．56亿吨，为抚顺地区水泥企业提供了资源保障。     

大四平石灰岩矿区区域地质背景及成矿条件分析

石灰岩矿床属层状矿床,严格受地层控制,因此矿床成矿条件主要与地层相关。通过对大四平矿区的区域地质背景及地层条件进行分析,指出可能的含矿层位及潜在的矿体,为本区的地质找矿工作提供了科学依据,指明了方向。     

辽宁省新宾县马架子冶金熔剂石灰岩矿床地质特征

辽宁省新宾县马架子冶金熔剂石灰岩矿床在作为水泥石灰岩提交报告之后，又根据所取得地质资料按冶金熔剂石灰岩矿床开展了详查工作并取得了良好的找矿成果。该矿床共探求332＋333类有色冶金熔剂和黑色冶金熔剂石灰岩矿资源量3亿吨，达到特大型标准，填补了辽宁省有色冶金熔剂石灰岩矿已探明资源最的空白，为鞍山、抚顺、本溪一带冶金工业提供了辅助原料资源量保障。该冶金熔剂矿床产于奥陶系上马家沟组一段（02sml）中，严格受地层控制。矿体为单斜层状，形态简单。根据矿区岩石类型及组合确定，该矿床为生物化学沉积和化学沉积矿床。     

辽宁省瓦房店地区石灰岩矿赋矿层位岩相古地理特征及矿产资源潜力预测

包括瓦房店地区在内的大连市是辽宁省三大水泥生产基地之一，研究瓦房店地区石灰岩矿的岩相古地理特征及资源潜力，对于保障地区内水泥工业可持续发展具有重要意义。本文叙述了瓦房店地区三个石灰岩矿赋矿层位震旦系南关岭组、寒武系张夏组、奥陶系马家沟组的地层特征、岩相古地理特征，认为钙质碳酸盐岩主要发育在利于其沉积的潮间带下部和潮下带的古地理环境中。文中对石灰岩的成矿远景和资源潜力进行了预测，指出泡崖一复州湾成矿远景区中石灰岩矿产资源潜力最大，是今后进一步开展石灰岩普查找矿的重点地带。     

辽宁东部赛马地区石灰岩矿地质特征及成矿条件分析

辽宁东部地区是寒武系张夏组灰岩含矿主要层位之一,岩性为鲕状灰岩、结晶灰岩、粉砂岩及砂岩,其特点是沉积层理明显。张夏组的古地理环境为一狭长的陆表海,海浸达到最大,形成了大量的碳酸盐岩。本文根据辽东地区区域构造背景、石灰岩含矿层位时空分布特点,岩相古地理条件及沉积建造等将区内石灰岩划分为5条矿体,并结合见矿钻孔分析石灰岩矿体的成矿地质条件。     

辽宁省普兰店市磨盘山水泥石灰岩矿床地质特征

该石灰岩矿床产于寒武系张夏组二段（C222）地层内。矿区出露主要有寒武系中统徐庄组、张夏组和寒武系上统固山组、长山组地层，地层岩性以灰岩为主。矿体呈似层状，根据矿区岩石类型及组合认为，辽宁省普兰店市磨盘山该矿床为化学或生物化学沉积矿床。     

四平山热泉型金矿地质特征及成矿模式

1 矿床地质特征 虎林市四平山金矿床位于完达山早中生代优地槽褶皱带内,产于中生代火山盆地与海相沉积盆地接壤处,矿床内出露地层主要为白垩系上统四平山组,该组为一套热泉一盆地沉积物。岩性以泉胶砾岩为主,石英砂岩、岩屑砂岩、粉砂岩,并且有植物化石炭化碎片,厚121．42m。在其底部贯入硅质脉,在其上部堆积有硅质泉华。在强硅化地段可见金矿体及富矿脉。     

辽宁省瓦房店市仙浴湾石灰岩矿地质特征

辽宁省瓦房店市仙浴湾地区古生代寒武纪时期沉积环境为潮坪环境沉积，为碳酸岩建造，沉积了一套以浅海相为主石灰岩地层，该矿床产于馒头组石桥段中层地层之中，褶皱构造和断裂构造均不发育，矿体呈中、厚层状产出，岩性为灰～浅灰色粉晶，鲕状、含藻泥晶、碎屑粉品灰岩。     

弧流对Ti—Si—C膜层结构与性能的影响

电弧离子镀沉积膜层具有放电温度高、离化率高和沉积速率快等特点,可以在较低温度下促进Si—C成键,是获得含Si—C键膜层的一种经济实惠的方法。本文使用Ti—Si合金靶,在Ar和C₂H₂气体环境下,在铝合金衬底上制备了Ti—Si—C膜层,并分析和研究了不同弧流下沉积膜层的相组成、磨损和腐蚀性能。结果显示,不同弧流下沉积的膜层是由B1型TiC相、立方结构的SiC相和金属Ti相组成的复合结构;大弧流由于放电温度高,有利于膜层中Si—C键的形成.弧流增加,靶材蒸发速率加快,沉积膜层的厚度增加,同时,由于靶材附近单位时间内气化和离化的Si和Ti数量增加,沉积膜层中Si和Ti含量和增加而C含量降低.弧流增加,膜层中碳化物总含量减少,造成膜层摩擦系数逐渐增加而耐磨性降低,但膜层的耐腐蚀性能增加.适当弧流下的沉积膜层可获得优异的磨损和腐蚀综合性能.     

金刚石薄膜中晶粒尺寸的研究

扫描电子显微研究表明，化学汽相沉积的金刚石薄膜中晶粒大小比较均匀。但随着沉积时间和薄膜厚度的增加，晶粒逐渐变大，且每一层内，存在少量的大金刚石颗粒，讨论了晶粒尺寸变化和大晶粒形成的原因和机制。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延

介绍一种外延沉积化合物半导体材料的新方法──电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电势技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点。欠电势沉积是电化学原子层外延的关键，它是化合物形成过程中放出自由能的结果。并研究了Si-Au多晶衬底上沉积CdTe的电化学原子层外延，给出了初步实验结果。     

多层喷射沉积颗粒增强铝基复合材料的研究现状与发展趋势

通过多层喷射沉积技术制备颗粒增强铝基复合材料,强化了冷却效果,能获得细小均匀的显微组织,优化复合材料中增强相的分布及其与基体的结合状态。本文综述了喷射沉积颗粒增强铝基复合材料的发展现状;介绍了多层喷射沉积技术的原理与工艺参数;概述了喷射沉积颗粒增强Al-Zn—Mg系、Al—Fe系与Al-Si系复合材料;并介绍喷射沉积颗粒增强铝基复合材料的致密化技术,着重介绍在小吨位设备上致密大块多孔材料的楔形压制工艺、外框限制轧制、陶粒包覆轧制工艺和热压后轧制工艺;展望了喷射沉积铝基复合材料的的发展趋势,认为增强颗粒与基体界面的结合强度有待进一步提高,提出了多层喷射沉积技术将朝在可编程控制下制备组织均匀、细小且致密度高的大尺寸坯料方向发展,而致密化技术也将朝小吨位设备制备大尺寸致密材料的方向发展,认为热压和楔形压制作为预致密方式能有效提高大尺寸喷射沉积坯料的成形能力,有利于进一步成形。     

原子层沉积技术发展概况

主要介绍了原子层沉积技术的历史背景、原理(包括两种自限制的反应机制、前驱体的要求与分类)以及原子层沉积本身作为一种涂层制备技术的特征和优势。重点叙述了近年来原子层沉积技术在设备和工艺方面的发展状况和最新研究成果。最后,对原子层沉积技术的发展与前景分别进行了总结和展望。     

辽宁省新宾县马架子冶金熔剂石灰岩矿床顶底板与夹石特征

辽宁省新宾县马架子冶金熔剂石灰岩矿床是有色冶金熔剂、黑色冶金熔剂和水泥石灰岩共生的特大型优质矿床,该矿地处辽宁省东部新宾县,大地构造位于中朝准地台太子河～浑河台陷辽阳～本溪凹陷北部。通过对矿床的深入研究,详细的论述了矿体与底板围岩接触关系、矿体与顶板围岩接触关系、矿体中的夹石层特征,对今后在同一地区寻找和勘查同一类型石灰岩矿床,具有指导意义。     

小靶材实现大平面基片均匀性膜层沉积的方法

常规的实验用磁控溅射设备,其固定的靶基工况,导致膜层均匀性区域有限,只能用于较小基片上膜层的沉积。提出一种新的方法,将靶材固定,基片自转或公自转工位变更为靶材可移动,基片自转的方式,并控制靶材的移动及基片自转速率的调节,可以用较小的靶材在较大平面上沉积膜层,所制备膜层具有良好的膜厚均匀性;建立了计算模型,分析了小靶材实现大平面基片均匀性膜层沉积的途径;在Φ260 mm的平片上进行了Ge膜的实际制备,证实了上述思路的可行性。     

原子层沉积技术及其在粉体材料上的应用进展

原子层沉积技术因其具有精确的沉积厚度控制、良好的保形性、均匀性等特点,已经成为一项重要的薄膜沉积技术。而粉体材料作为材料的一种重要的表现形式,其改性技术对整个材料行业都具有重大意义。原子层沉积在粉体材料特别是纳米粉体的表面改性方面也有其应用。综述了原子层沉积的原理及其在粉体材料处理方面的进展。     

多层喷射共沉积制备 SiCP/Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si复合材料

采用多层喷射沉积工艺制备SiC_P/Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si复合材料, 研究了雾化及沉积工艺参数对沉积坯状态及SiC颗粒捕获的影响。结果表明, 液流直径大、雾化气体压力小、喷射高度小会导致沉积坯组织恶化, 反之则造成收得率低、致密度低。雾化器扫描不均匀则会造成沉积坯形状不均匀, 而且会由于热量集中导致显微组织恶化。SiC颗粒输送压力的提高有利于SiC颗粒的捕获以及颗粒的均匀分布。多层喷射沉积制备SiC_P/Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si的优化工艺参数为: 液流直径3.6 mm, 雾化气体压力0.8 MPa, 喷射高度200 mm, SiC 颗粒输送压力0.5 MPa。 沉积坯存在两种SiC-Al界面: 晶态Si界面层与非晶态SiO₂界面层。     

分子层沉积纳米薄膜的现状和发展

随着微电子技术、锂离子电池和太阳能电池等行业的发展,人们对聚合物薄膜,尤其是纳米级聚合物薄膜的要求也越来越高。在传统的沉积方法不能满足要求的条件下,找到新的沉积聚合物的方法势在必行。分子层沉积(MLD)是一种类似于原子层沉积的技术,它可以精确控制聚合物膜的厚度、组成、形貌和保形性。因此,MLD可以成为制备聚合物薄膜的一种新方法。本文综述了分子层沉积的原理和方法,以及在薄膜领域的发展和应用,最后给出了分子层沉积技术未来发展所面对的挑战和展望。     

Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延

介绍了一种外延沉积化合物半导体材料的新方法－电化学原子层外延技术，它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来，通过运用欠电热技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点。