C2H2／H2比率对铝合金上电弧离子镀类金刚石膜的结构和腐蚀性能的影响

本文研究了在2024铝合金衬底上，环境气氛中C2H2／H2比率对电弧离子镀沉积类金刚石膜层的结构和腐蚀性能的影响。Raman谱分析表明，随着C2H2／H2比率的降低，其D峰和G峰的强度比ID／IG值增加，这意味着膜层中sp^3／sp^2键比率减少，膜层的力学性能下降；同时，G峰的峰位向高波数方向移动，峰的半高宽变窄；D峰的峰位也在向高波数方向移动变化，但峰的半高宽变化相反，逐渐宽化。膜层可以进一步提高铝合金试样的抗腐蚀能力，从自腐蚀电位看，随着C2H2／H2比率的降低，膜层试样的抗腐蚀性能略逐渐增加。     

金属氮化物硬质膜层“合金化”的研究进展

通过展示近年来国内外金属氮化物膜层的研究结果，探究了膜层晶体结构、微观组织的变化规律和提高性能的途径；列举了大量文献进行分析.结果表明：添加C或B元素，可形成“替位式”的金属氮碳化物或氮硼化物膜层，具有明显的固溶强化效应；大部分氮硼化物膜层，都可生成细小的金属硼化物，对性能的提高非常有力；加入Si可以细化晶粒，提高膜层的韧性和耐磨性.在TiN和CrN膜层中加入金属合金化元素(如Al、Zr等)，除具有明显的固溶强化效应外，还能显著提高膜层的高温氧化阻力和腐蚀阻力，提高膜层的耐磨性.沉积膜层的显微组织结构，可以通过调整“合金化”元素的比率来改变，并由此可以对膜层性能进行调制.通过“合金化”，金属氮化物膜层的晶体结构、微观组织都可以调制，综合性能显著改善和提高.     

弧流对Ti—Si—C膜层结构与性能的影响

电弧离子镀沉积膜层具有放电温度高、离化率高和沉积速率快等特点,可以在较低温度下促进Si—C成键,是获得含Si—C键膜层的一种经济实惠的方法。本文使用Ti—Si合金靶,在Ar和C₂H₂气体环境下,在铝合金衬底上制备了Ti—Si—C膜层,并分析和研究了不同弧流下沉积膜层的相组成、磨损和腐蚀性能。结果显示,不同弧流下沉积的膜层是由B1型TiC相、立方结构的SiC相和金属Ti相组成的复合结构;大弧流由于放电温度高,有利于膜层中Si—C键的形成.弧流增加,靶材蒸发速率加快,沉积膜层的厚度增加,同时,由于靶材附近单位时间内气化和离化的Si和Ti数量增加,沉积膜层中Si和Ti含量和增加而C含量降低.弧流增加,膜层中碳化物总含量减少,造成膜层摩擦系数逐渐增加而耐磨性降低,但膜层的耐腐蚀性能增加.适当弧流下的沉积膜层可获得优异的磨损和腐蚀综合性能.     

铜合金表面Ti/TiN多层膜的制备、结构及其性能

为了研究多层膜的腐蚀性能,促进多层膜在生产中的应用,采用电弧离子镀技术,通过调整环境N₂和Ar气的时间比例在铜衬底上成功制备了不同调制周期的Ti/TiN多层膜.利用x 射线衍射谱和交流阻抗谱研究了该多层膜的结构和腐蚀性能.表面形貌显示,沉积的Ti/TiN多层膜具有明显的周期性,环境中N2和Ar气的时间比例决定了多层膜的调制周期,N₂气时间越长,多层膜中TiN相层越厚.腐蚀性能测定表明,多层膜的调制周期影响其耐蚀性,当调制周期为550nm时,沉积膜的耐腐蚀性最好.     

电弧离子镀方法制备的Ti/TiN多层膜的结构与耐腐蚀性能

采用电弧离子镀技术,通过周期性变换环境气氛,在7075Al合金上制备了Ti/TiN多层膜,并研究调制周期对多层膜的结构组成和腐蚀性能的影响。结果表明:多层膜与铝合金衬底界面结合较好,基本没有孔洞等缺陷。多层膜具有明显的层状特征,层间界面清晰。多层膜中TiN与单层中TiN薄膜有着相同的晶体结构,并存在(111)择优取向,每个调制周期内的TiN层都呈柱状生长。随着调制周期变小,多层膜阳极极化曲线的腐蚀电位增加,交流阻抗谱的阻抗值增大,容抗弧的半径也增大,即膜层的耐腐蚀性增加。多层膜调制周期的减小使得薄膜中含有的层界面增多,而贯穿至衬底表面的针孔等缺陷的数量将减少,这样,腐蚀性介质经过针孔等缺陷与衬底接触的机会变少,这将使薄膜的抗腐蚀能力得到改善。     

大面积长生金刚石相关物理参量的空间分布

研究了在热丝化学气相生长金刚石的过程中,衬底温度、衬底表面附近的气体温度以及气流的质量流密度分布对金刚石膜的形核和生长的影响。模拟计算结果表明,这三个参量是空间位置的参数,在某些区域,这三个参量均匀分布。当热丝阵列面与衬底间距离超过７ｍｍ之后,这三个参量在衬底上有一个较大的均匀区域,在该区域的两侧,各参量值显著变化。在衬底中心的均匀区域,金刚石膜晶形清楚而致密;偏离该区域,这三个参量数值明显下降,形核密度和生长速度较低,三个参量均匀的区域可作为金刚石大面积均匀的形核和生长的位置。     

HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算

本文对ＨＦＣＶＤ过程中的气体状态参数空间场进行了模拟计算，结果表明，气体的温度，体密度，速度和质量流密度场是空间位置的函数，在合适的位置，可获得均匀的温度和质量流密度，这些结果可为制备大面积均匀金刚石薄膜时工艺参数选择提供理论依据。     

JCSDNC数控机床DNC网络在我厂的应用

介绍了采用JCSDNC构建的数控车间DNC网络的硬件结构和软件模块及该网络的程序数据库与流程管理、程序传输方面的具体实现方法、采集车间工况数据实现加工业绩的自动统计.     

用修正的θ函数预测单晶镍基高温合金的蠕变寿命

 采用修正的θ函数影射概念对单晶镍基高温合金的蠕变曲线进行了拟合和预测。根据一系列的实验数据建立了蠕变方程中有关参数的数学表达式，据此对1 040 ℃、137 MPa下的蠕变寿命进行了预测，预测精度达96%，远高于用早期的θ函数影射概念预测结果。该方法仅需确定3个参数，简化了计算，同时，线性参数表达式确保了预测精度。     

溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能

采用Mg-Bi化合物靶和金属Mg靶用磁控溅射技术制备富Mg的Mg₃Bi₂薄膜并表征其相组成、表面和截面形貌,研究了薄膜的热电性能。结果表明,这种富Mg薄膜由Mg₃Bi₂相和金属Mg相组成且Mg₃Bi₂结构中有Mg空位,具有p型导电特征,Seebeck系数为正值。随着温度的提高,富Mg薄膜的电阻率先略微提高而后显著降低;随着Mg含量的提高富Mg薄膜的电阻率逐渐提高,但是Mg含量达到一定数值后电阻率又急剧下降。Mg含量较低时Seebeck系数随着温度的提高开始时略下降随后很快增大,达到最大值后又很快降低;Mg含量较高时随着温度的提高Seebeck系数开始时略增大,随后缓慢下降。除了Mg含量较低的样品,在温度相同的条件下随着Mg含量的提高薄膜的Seebeck系数值增大,但是Mg含量过高时Seebeck系数值迅速降低,达到普通金属材料Seebeck系数的数量级。这种富Mg薄膜的功率因子,受Seebeck系数和电阻率制约。