铁铬铝系精密电阻材料的研究

一、序言作为标准电阻器和精密绕线电阻器材料,以Cu-Mn-Ni三元合金为主体的锰铜用得最多。关于锰铜及其类似的合金以前曾发表过详细的研究结果。锰铜的性能可因添加元素而得到改善,特别是添加锗(Ge)效果最好,且温度系数可由调节锗的含量而自由改变。但这种锰铜系合金在耐蚀性、电阻率和电阻-温度曲线的二次温度系数β(即线性)等方面还不能完全满足要求。同时,为适应最近在高电阻和小型化方面的要求,切望获得具有高电阻率的材料。Ni-Cr,Fe-Cr系合金本来用于电热材料,但由于     

第二届仪表用精密电阻合金学术交流会

由中国仪器仪表学会仪表材料学会、机械工业部仪表材料科技情报网和上海市仪表学会联合召开的第二届仪表用精密电阻合金学术交流会,于1984年10月18日至23日在福建省崇安县召开。出席会议的代表55人。自1981年在福州召开的第一届交流会议以来,精密电阻合金有了较大的发展,特别是在锗锰铜、硅锗锰铜的研制方面。此外在热敏电阻合金、高温应变电阻合金方面也有突出的成绩。非晶电阻合金引起了人们的广泛兴趣,这些在本届会议上交流的28篇论文(目录如下)和大会6篇中心发言中都有反应(19篇宣读论文)。     

锗锰铜中高含量锗的测定(聚乙烯醇—苯芴酮法)

锗锰铜中含锗量,有的高达7不左右。这样高的含量,又有大量铜、锰、少量镍、铁等元素共存,其测定在国内未见有报导。苯菊酮法是目前测定微量锗应用最广泛的方法,其灵敏度高,但选择性不好,它能与许多金属离子呈显色反应。我们采用四氯化碳萃取,使锗与大量杂质分离,是较为特效的方法。目前在高含量锗的测定中,存在着萃取率不够高等问题。资料介绍,在萃取过程中,不允许硝酸存在,否则影响结果。我们试以在硝酸存在下,使萃取液中含锗量从微克级增大至毫克级,并对萃取酸度,次数与萃取率的关系作了试验。结果表明:当盐酸酸度《SN时,锗不进入有机相;当酸度李gN时,萃取率达99.50~100终。当萃取液中含有1000~7000拼9 Ge与ssmg Cu,12mg Mn,2.smg Ni,o.smgFe等离子共存时,经二次萃取,可完全回收。同时,对不同悬浮剂存在下的显色酸度,反应速度及稳定性作了比较试验。实验表明,以聚乙烯醇为优。在0.5一INHCI下,25分钟可显色完全,其色泽稳定性能保持18小时基本不变。测得克分子吸光系数为4.19xl少。在测定波长的选择上,我们选取中等灵敏的52Onm波长,而不采用高灵敏的500nm波峰波长,其特点是试剂空白大为降低,量程扩大一倍,即锗的比耳定律浓度扩大一倍,使Ge含量在80傀/looml以内符合比耳定律,减少了稀释手续,适宜于高含量的测定。     

云南省锗资源现状及开发利用对策研究

介绍了锗资源的特性与锗的主要用途,综述了云南省铅锌矿含锗和褐煤含锗资源的分布及特点,分析了从含锗铅锌矿和含锗褐煤中提取锗的工艺现状以及锗常规产品和精、深产品加工现状,指出了目前云南省锗资源开发利用存在的主要问题:资源利用率低、环境污染严重、精深产品少、锗产品附加值低以及对锗作为一种战略物质的认识不足.对开发利用云南省丰富的锗资源,从多个方面提出了建议.     

ICP-AES法同时测定平和县红粟米中9种微量元素

用ICP-AES法同时测定平和县红粟米中钼、锌、钴、铁、硼、锰、锗、铜、锶9种微量元素。9种元素检出限在0.0008～0.01mg/L之间,相对标准偏差(RSD)<6.22%,回收率为90.0～104.0%,此法测定结果准确度高,检出限低。结果表明,平和县红粟米中锶的含量相对较高,是一种对人体非常有益的健康杂粮。     

锗烷合成工艺及用途概述

锗烷主要用于半导体、光伏太阳能和集成电路行业,是制造高纯锗和各种硅锗合金的重要原材料.主要介绍了锗烷的合成方法：化学还原法、电化学反应法、等离子合成法.同时介绍了锗烷的性质和用途.     

锗价5个月暴涨5成

今年以来，有色金属价格不断下跌，但小金属锗却“一枝独秀”，这也令云南锗业、驰宏锌锗等锗生产企业今年的业绩更为可期。     

牛血清白蛋白稳定水溶性纳米锗的制备、表征及其形成机理

在水溶液中利用牛血清白蛋白(BSA)作稳定剂制备水溶性良好的纳米锗颗粒,提供了一种合成蛋白质修饰的纳米锗材料的新思路。采用透射电子显微镜(TEM),粒度分析及能谱分析(EDS),对制备的纳米锗的形貌和组成进行表征,探讨各实验条件变化对纳米锗形貌的影响,进一步分析纳米锗的形成机理。结果表明球形纳米锗颗粒平均粒径约为60nm,分散性良好,调控诱导出了方形和棒状的纳米锗材料。本研究方法简单、可控且重复性好,BSA做稳定剂大大提高了纳米锗在水溶液中的稳定性,同时改善了纳米锗材料的生物相容性,为拓展纳米锗材料在生物领域的应用研究提供基础。     

云南省锗产业发展研究

锗是典型的分散元素,是除硅以外最重要的半导体材料,在红外光学、光纤通信、化学催化剂、太阳 能电池、生物医学、电子器件等各领域都有广泛的应用。地球上锗资源较贫乏,我国的锗储量居世界第一位。 云南省锗储量占全国储量的４０％左右,并拥有红外光学技术研发的基础,对我国锗产业具有十分重要的意 义。文章具体分析了云南省锗产业发展的外部和内部环境,提出了云南省２００６～２０２０年锗产业发展的方向 和总体目标,探讨了锗产业链、产品定位、产业布局、重点发展的项目和支撑体系。     

微波退火条件下镍和锗锡合金反应的形貌研究

为了研究高质量镍锗锡薄膜的制备方法,在不同微波退火温度下进行了锗锡合金与镍的固相反应。借助四探针方块电阻测试、原子力显微镜、透射电子显微镜、能量色散X射线光谱等表征手段,分析了在微波退火条件下100～350 ℃所生成镍锗锡化物样品的形貌。研究结果表明:镍锗锡化物的表层电阻、表面粗糙度及薄膜质量与微波退火温度紧密相关,在250 ℃退火条件下得到了连续平整的镍锗锡薄膜,锡偏析在镍锗锡/锗锡的界面;在350 ℃退火条件下,薄膜的连续性遭到破坏,表面粗糙度变大,锡偏析在样品的表面和镍锗锡/锗锡的界面。与常规快速热退火方式相比,本文采用的微波退火方式,可在相对更低的温度得到高质量的镍锗锡薄膜,降低了镍与锗锡衬底反应所需的热预算。     

不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响

研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3%,间隙氧浓度平均降低约6%,机械强度平均提高约20%。但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响。     

UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.     

不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响

研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3%,间隙氧浓度平均降低约6%,机械强度平均提高约20%。但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响。     

一种具有可见光响应的氢化锗及其制备方法和应用

本发明涉及一种具有可见光响应的氢化锗及其制备方法和应用。首先利用熔融助溶剂的方法合成锗化钙晶体,下一步通过离子交换获得最终产物氢化锗。本发明合成的氢化锗具有纳米级层状结构,其形成的氢化锗光催化剂在可见光区域具有很强的吸收,且具有较强的光催化活性,包括光催化产氢及降解有机污染物。     

第三相对0—3型钛酸铅／环氧树脂压电常数的影响

研究了第三相导电体碳和锗的加入对０－３型钛酸铅／环氧树脂复合材料压电常数ｄ３３的影响，指出对于提高复合材料的ｄ３３值，锗的效果优于碳。并探讨了锗的最佳掺入量及钛酸铅／环氧树脂／锗复合材料的极化条件。     

第三相对0－3型钛酸铅／环氧树脂压电常数的影响

研究了第三相导电体碳和锗的加入对０－３型钛酸铅／环氧树脂复合材料压电常数的影响，指出对于提高复合材料的值，锗的效果优于碳。并探讨了锗的最佳掺入量及钛酸铅／环氧树脂／锗复合材料的极化条件。     

“前瞻后顾”的锗市场

正金属锗产品出口见起色,9月出口量创年内新高,1~9月金属锗出口量超越上年同期水平。出口量增加背后显然受到低价刺激,锗价9~10月出现了一次阶段性探底。以价换量,锗价阶段性探底9月份,夏休后的采购开启,随着四季度临近,各方换取流动资金的诉求加强,厂商和贸易商让价出货,锗价经历了一个探底的过程。2016年9月,国内区熔锗锭价格均为5940元/千克,环比降幅为8.6%,同比降幅为28.5%。卖     

非晶硅锗薄膜电池研究进展及发展方向

本文主要介绍硅基薄膜电池中非晶硅锗电池的研究,总结国内外不同机构和单位研究方向及研究结论。结合对硅锗电池的诸多研究介绍单结非晶硅锗电池以及叠层电池的研究现状。根据最新的研究问题分析预测硅锗薄膜电池的发展方向。     

水热条件对锗酸铜纳米线花形成的影响

分析了水热温度、保温时间对锗酸铜纳米线花形成的影响。结果表明水热温度对锗酸铜纳米线花的形成有着重要作用。保温时间为1 h时,随着水热温度降低至200℃,纳米线的直径增加,样品中的单斜锗酸铜晶相消失,由纯斜方结构的锗酸铜晶相构成。250℃时,随着保温时间增加,锗酸铜纳米线花中的纳米线直径、长度均有所增加,保温时间增至6 h后,样品为自由分布的锗酸铜纳米线。     

单晶锗表面键合光敏染料及其电流-电压曲线的测定

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面,对键合有若丹菁的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱分析,结果表明,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n-型锗片的In(Pt)/染料／n-Ge器件具有整流作用,应用染料分子的半波电位计算所得的染料分子能级,较好地解释了染料敏化的机理。