光纤器件回波损耗测量系统分析

介绍了各种光纤器件（光无源器件、有源器件、光纤集成器件等）回波损耗的测量原理和测量方法。提出了一些关键技术的解决方法和试验方案。对各种不确定因素进行了分析和试验验证，最终建立了一套光纤器件回波损耗测量装置。     

室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及器件制造工艺进展

半绝缘CdTe和CdZnTe室温半导体探测器已在工业监测、医疗和成像、核安全及科学研究等多方面得到应用。Cd1-xZnxTe室温X射线和Y射线探测器的性能与材料和器件中的缺陷(它控制器件中载流子输运)密切相关。欲提高该种器件及器件阵列的性能，需不断改进晶体生长与器件制造工艺，重点是降低晶体内、界面、亚表面和器件表面上的缺陷。     

纳米 MOSFET/SOI器件新结构

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET／SOI器件的新结构，如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件，并对它们的性能进行了分析。     

JFET器件精确掺杂控制技术研究

对于JFET器件而言,沟道和顶栅是JFET器件的核心,其结构和掺杂分布将决定器件的击穿电压、夹断电压、漏极饱和电流、跨导和ft等关键参数。通过对JFET器件沟道和顶栅形成过程中,其精确掺杂控制技术的研究,实现高性能JFET器件的结构要求:即器件的顶栅结深约为100nm,顶栅的浓度比沟道德浓度高一到两个数量级。     

家用摄像讲座——第三讲 家用摄像机的结构·原理·功用(续一)

二、摄像器件 摄像器件又叫做成像器件、图像感应器。它是摄像机头的关键部件。位于镜头的成像位置(相当于照相机胶片的位置)。它的主要作用是把景物的光像转换成随时间变化的电信号。并把这个反映图像的电信号以隔行扫描的方式传送出去。摄像器件分两大类:即摄像管和固体器件。固体器件又叫半导体器件。摄像管以氧化铅管和硒砷碲管最为普遍。CCD(电荷耦合器件)是常用的半导体器件。按摄像器件成像尺寸又有5/4英寸、1英寸、2/3英寸、1/2英寸、1/3英寸等多种规格。家用机CCD的尺寸有1/2英     

无机全固态电致变色器件研究进展

电致变色是一种在外加电场下材料光学属性可变的现象。本文围绕全固态电致变色器件,阐述了器件中每一层的结构、可选材料、性能等,并根据全固态电致变色器件近期的研究进展,总结了两种全固态器件的典型结构,详细介绍了两类器件结构的结构特点、制备方法和电致变色性能,并展望了未来全固态电致变色器件的发展方向。     

微电子器件电磁脉冲损伤机理及防护技术研究

针对多种对电磁脉冲敏感的微电子器件进行静电放电、方波电磁脉冲注入试验,通过器件的参数变化情况分析各种器件的电磁脉冲损伤机理,并对试验中的各种试验现象进行相应的解释,最后对多种敏感器件进行抗电磁脉冲防护基础研究,针对部分器件突出具体的防护措施,为微电子器件可靠性的提高提供参考意见。     

聚合物电致发光材料的研究现状及应用前景

聚合物电致发光材料是近几年来取得很大进展而倍受关注的新型功能材料。电致发光薄膜器件激发电压低、发光效率高、易得到彩色显示 ,而且容易实现大屏幕平板化。本文综述这类薄膜电致发光器件的发光原理、发光材料、器件的制备方法以及改善器件特性的方法     

微波功率器件及其材料的发展和应用前景

介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍了SiGe合金、InPSiC、GaN等新型微波功率器件材料.并对目前各种器件的最新进展和我国微波功率器件的研制现状及与国外的差距做了概述与展望.     

航天磁性器件失效分析与筛选试验

磁性器件在航天产品中广泛,尤其在电源系统中,起着关键的作用。基于美国航天磁性器件的失效统计数据,分析了磁性器件的主要失效原因。又对国内航天磁性器件的失效进行了初步的统计和分析。通过对比美国和国内航天磁性器件由设计、生产和使用中发生的失效对比,给出了发生失效的主要原因。为了保证磁性器件的质量和可靠性,提出在参考美军标和国军标的基础上,实施国内航天磁性器件筛选试验的建议。     

基片集成波导技术的研究现状和展望

综述了基片集成波导(SIW)技术研究的现状和热点,首先分析了SIW的基本理论,包括SIW结构设计、损耗机制和频带宽度等;然后详细分析了基于SIW的微波和毫米波器件,包括无源器件、有源器件、天线和可调谐器件;接着对基于SIW技术的器件模拟和制作进行了详细论述;最后对SIW技术应用于太赫兹器件的设计进行了展望.     

纳米器件不同处理方式对小白菜生长和品质的影响

用纳米器件处理小白菜的种子,或在小白菜生长过程中浇灌用纳米器件处理过的水,研究纳米器件不同处理方式对小白菜生长、品质的影响,试验结果表明,用纳米器件处理能提高小白菜的产量和品质,其中T2处理（将种子与纳米器件同时浸3h）效果最好。     

材料高温出气与电真空器件的寿命

本文首先评述了残余气体的量和质对电真空器件性能和寿命的影响。根据电真空器件是静态真空件的特点,指出降低气源的重要性。 分析了:漏、渗透、出气表面化学反应各种气源因素并做了数字比较。认为出气是最根本、最首要的。 说明了电真空器件的出气主要应考虑高温出气。介绍了目前国内外高温出气研究中选择的物理参量,加温方式,出气机制中的问题,以及如何把高温出气数据运用在电真空器件上。 一、残余气体对电真空器件的影响 电子管属于静态真空器件(如果不计吸气剂的作用)。 近年来栅控管、微波管、电子束管、光电器件等几个大类均已发展到…     

微电子器件用塑封材料

一、概况为使微电子器件免受温度、湿度等环境变化的影响,或防止因机械震动、冲击所造成的损坏,必须将制得的器件封装起来。封装形式一般有采用金属、陶瓷、玻璃的气密性封装和采用塑料的非气密性封装。一般来说,前者的可靠性优于后者,但采用后者可大大降低生产成本和器件重量,缩小器件体积,提高生产率。而且,随着封装塑料、封装工艺和设备的不断改进,以及器件表面钝化工艺和材料的不断进步,塑封器件的可靠性目前已比七十年代初期至少提高了一个数     

大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表征贯穿于功率器件散热技术开发的整个过程,是评估和指导热管理研发的重要途径。为此,综述了国内外正在开展的器件芯片级热特性表征技术研究进展,系统分析了器件结温、外延薄膜热导率、界面热阻等热性能表征技术的优势及局限性,并阐述了这些热性能表征技术对芯片级热管理开发提供的技术指导及其面临的技术挑战。     

固态微波功率器件静态参数定值装置研制

固态微波功率器件是电子设备的核心器件,文章针对固态微波功率器件静态参数的测量结果差异较大问题,研制了栅极双极性电压源、专用测试夹具等模块,开发了定值软件,研建了固态微波功率器件静态参数定值装置,并开展了试验验证,为器件栅源夹断电压、漏极饱和电流、跨导等静态参数测量结果的准确可靠提供了技术支撑。     

基于半导体分立器件的封装结构优化研究

在半导体分立器件的封装结构方面,至今仍有很多需要探索的课题。为此,该文就器件封装结构的优化问题,首先在对半导体分立器件的内涵与特征、类型与方式进行探讨的基础上,进而对半导体分立器件的不同封装方式进行了类比分析,最后,重点对半导体分立器件封装结构的优化途径,从2个方面分别进行了探讨。1)在半导体分立器件塑封装结构的优化方面:进行超声检测;进行阻燃性能试验;进行高压蒸煮试验。2)在半导体分立器件金属陶瓷封装结构的优化方面要测算分立器件金属陶瓷封装结构的高度,还要进行工艺流程的改进。     

可变发射率热控器件的研究进展

可变发射率热控器件可替代机械式热控百叶窗,从而在航天器热控系统中得到应用,是微小卫星的关键技术之一。综述了该类器件的研究现状。介绍了电致变色、静电辐射、微机电(MEMS)、热致变色可变发射率热控器件的工作原理及特性,并归纳了该类器件的发展趋势。     

氮化镓材料中的位错对材料物理性能的影响

氮化镓材料中的位错是制约GaN发光器件及电子器件的性能的一个关键因素。目前对于氮化镓材料中的位错的研究是一大热点。扼要综述了位错对于材料及器件的物理性能的影响：非辐射复合作用、造成器件的漏电流、缩短器件的寿命。并简要介绍了减少GaN外延层中的位错密度的几种方法。     

开发出新型信息处理器件

日工业技术院电子技术综合研究所最近研制成新型信息处理器件,它能够把模拟信息转换成数字信息。其原理是将约瑟夫逊器件中产生的磁束量子(磁场的最小单位)作为信息的媒介,因而被称为磁束量子器件。与现有的约瑟夫逊器件相比,动作速度相同,但耗电量约为十分之一到百分之一。预期这个器件可在超高速、低耗电记忆线路上应用。