离子束辅助薄膜沉积

离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法，可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况，列举了具体应用领域，描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发，最后对IBAD的前景加以评论。     

电子束物理气相沉积（EB-PVD）技术研究及应用进展

概述了近几年来快速发展的新兴材料加工工艺技术——电子束物理气相沉积（EB-PVD）技术的研究及应用现状，着重阐述了电子束物理气相沉积（EB-PVD）过程的主要工艺参数和制备高温合金板材显微组织的形成机理。     

等离子体技术制备氧化硅阻隔层薄膜的研究

采用无任何污染的等离子体技术,进行SiOx薄膜的沉积:电子束蒸发氧化硅、离子源辅助电子束蒸发氧化硅、磁控溅射沉积氧化硅、离子源辅助磁控溅射沉积氧化硅、等离子体化学气相沉积SiOx等,并对所沉积的薄膜进行结构性能的比较研究.     

Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析

通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析,计算出Se扩散均匀性为90%时,采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。     

硅膜制备

介绍了两大类硅膜的制备方法:物理方法与化学方法,其中包括物理方法中的电子束物理气相沉积技术(EB-PVD),目前该技术在国内应用比较少,所以对其工作原理、薄膜质量的影响因素等作了重点介绍.此外还介绍了磁控溅射法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积法等硅膜制备方法的基本原理及特点,并对它们的优缺点进行了比较.     

离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响

在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜.通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律.结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助工艺时硫化锌薄膜的压应力增加了62.3MPa.真空退火使硫化锌薄膜的平均应力大约降低了二分之一.硫化锌薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素.     

物理气相沉积制备锂离子电池正极薄膜研究进展

薄膜锂离子电池是锂离子电池发展的最新领域,正极材料的薄膜化是薄膜锂离子电池的重要部分.综述了近年来国内外物理气相沉积在薄膜锂离子电池正极薄膜方面的研究新进展,着重介绍了射频磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束沉积等制备技术的工作原理、特点及发展,并对这些制备技术在锂离子电池正极薄膜制备中的应用进行了分析、比较和评价.     

沉积扩散法制备高硅钢

高硅钢(6.5%(质量分数)Si)是一种具有高磁导率、低矫顽力和低铁损等优异软磁性能的合金.但高硅钢的室温脆性和低的热加工性能严重影响了其在工业领域的应用.综述了化学气相沉积、等离子体化学气相沉积、电泳沉积、熔盐电沉积、电子束物理气相沉积及激光熔覆等6种沉积扩散法制备高硅钢的工艺和参数,从工艺路线、反应机理分析和性能的改善等几方面,概述了各种方法的研究现状和主要的优缺点,并简要论述了其发展前景,指出了今后的主要研究方向.     

采用EB-PVD技术制备两种多分层热障涂层的研究

基于电子束物理气相沉积(EB-PVD)技术,设计并分别采用离子束辅助沉积法和低转速法制备了两种具有分层结构的热障涂层(TBCs),对陶瓷层引入层状结构后的组织结构与性能进行了研究。结果表明,层状结构的引入带来大量平行于沉积面的分层界面和相邻分层间的密度调制变化。层状结构TBCs的占优取向由(100)逐渐变化到(111),但仍都形成了不可转变的四方相(t′)结构。依据分层结构本身的差异和分层界面所处位置的不同,低转速分层试样具有更好的抗氧化性能,但离子辅助分层试样具有明显更长的热循环寿命。     

EB-PVD及其制备功能涂层的研究进展

介绍了电子束物理气相沉积(EB-PVD)设备的结构、工艺技术特点等,重点介绍了EB-PVD技术在制备各种防护涂层方面所取得的成果及研究进展.