温度对电沉积的SnS薄膜的结构和性能的影响

在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2 /S2O32-=1/5,沉积电位为-0.72～-0.75V(vs.SCE)的条件下,控制溶液的温度在30～50℃之间变化,用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对薄膜的结构和光学性能研究,结果表明:溶液的温度越高,制备出的SnS薄膜更加致密,均匀,薄膜的衍射峰也越来越明显;同时SnS薄膜对光的吸收范围也向长波方向拓宽.     

化学浴法Cu2S纳米晶薄膜的制备及其光学特性研究

利用化学浴沉积法,以EDTA为络合剂,CuSO4·5H2O和Na2S2O3为前驱体溶液制备了硫化亚铜纳米薄膜,用FESEM、XRD、光学显微镜研究了前驱体浓度、络合剂的浓度、溶液的pH值、反应温度等因素对硫化亚铜纳米薄膜的表面形貌、晶粒大小与晶体结构的影响.结果表明,在最佳的生长条件下可以制备晶粒匀一、结构致密的硫化亚铜纳米薄膜,紫外可见吸收光谱表明硫化亚铜薄膜具有一定的透光性,并对红外光有很好屏蔽的作用.     

以阿拉伯树胶为分散剂制备高分散球形超细银粉

以阿拉伯树胶为分散剂,硝酸银为银源,抗坏血酸为还原剂,采用液相还原法制备超细银粉。研究了反应物加入方式、还原剂溶液初始pH值、AgNO_3溶液及分散剂用量对银粉特性的影响。分别采用激光粒度仪、扫描电镜及X射线衍射仪对所制备银粉的特性进行表征。确定最佳工艺参数为:反应物加入方式为AgNO_3溶液快速加入到抗坏血酸溶液中,AgNO_3浓度为0.5 mol/L,还原剂溶液初始pH值为5,n(C_6H_8O_6)∶n(AgNO_3)=1∶1,m(阿拉伯树胶)/m(抗坏血酸)=0.05。最佳工艺参数下所制备的银粉为高分散球形银粉,平粒径分布均匀,平均粒径为1.18μm,结晶性能好。     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及其光催化性能

用溶胶-凝胶法在普通玻璃表面制备了薄膜型ZnO光催化剂,通过XRD、Ab2d、UV-VIS等测试技术对ZnO薄膜进行了表征;以偶氮胭脂红为降解物,考察了薄膜退火温度、镀膜层数、溶液初始质量浓度和反应体系初始pH值对ZnO薄膜光催化性能的影响,并进行了相关机理的探讨．研究表明：溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜呈透明状,薄膜表面均匀分布着球形ZnO晶粒;随着退火温度的升高,ZnO晶粒在17～30mm范围内逐渐增大．光催化实验中ZnO薄膜光催化降解偶氮胭脂红的最佳工艺条件是：退火温度为300℃,镀膜层数为5层,溶液初始pH值为8～9．     

Bi4Ti3O12层状铁电薄膜的结构与性能研究

采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BIT)系列薄膜.利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律.分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度:气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大.通过上述试验结果得到,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BIT薄膜的优化条件为氧分压35Pa、衬底温度700℃.在此优化条件下制备的BIT薄膜为a轴择优取向,剩余极化值达到7μC/cm2.     

CdS纳米晶薄膜的制备及光电性能研究

利用化学浴沉积法,以N(CH2CH2OH)3为络合剂,Cd(CH3COO)2·2H2O和(NH2)2CS为前驱体溶液制备了CdS纳米晶薄膜,利用FESEM、XRD考察了前驱体浓度、络合剂浓度、前驱体溶液的pH值、反应温度等因素对CdS纳米晶薄膜的表面形貌、晶粒大小及晶体结构的影响,在最佳工艺条件下可以制得表面平整,结构致密的CdS纳米晶薄膜。UV-Vis光谱表明CdS在短波长区域有较强的吸收,符合作为窗口材料和过渡层的要求;光电性能测试表明CdS具有较好的光电响应,呈特征n型半导体特性。     

硅衬底Al2O3∶Tb3+薄膜的制备及其发光性能

采用溶胶凝胶法在硅衬底上制备了Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜; 并采用DTA-TG、XRD、SEM、AFM及光致发光光谱对其进行了一系列表征; 分析了Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜的发光机理, 探讨了热处理温度和Tb³⁺掺杂浓度对发光性能的影响规律. 研究结果表明, 采用溶胶凝胶法制备工艺, 制备了高发光强度的Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜, 薄膜的最佳激发波长为240nm, Tb³⁺的最佳掺杂浓度为5mol%(Tb₂O₃/Al₂O₃=5mol%), 在240nm光激发下, 最强的发射峰出现在544nm附近; 并且制备的Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜表面致密、平整且无裂纹产生, 表面粗糙度约为1.3nm, 有利于硅基光电子器件的制备和应用.     

阴极恒电流法制备SmS光学薄膜

以SmCl3·6H2O和Na2S2O3·5H2O为原料,采用电沉积法在单晶硅(100)和玻璃基板制备了SmS光学薄膜.采用XRD、AFM和紫外可见光分光光度计对薄膜进行了表征.研究了[Sm3 ]/[S2O32-]、溶液的pH值对于薄膜的物相的影响.结果表明:在[Sm3 ]/[S2O32-]=1:2,控制溶液pH值为4.50以及沉积1h的条件下,可制备出70nm厚单一晶相且表面比较平整的SmS薄膜,薄膜具有(331)方向的取向性.紫外光谱测试表明所制备的SmS薄膜具有290～300nm的紫外吸收特性,薄膜的禁带宽度约为3.6eV.     

BaMoO4薄膜电化学制备适宜的工艺条件

为研究BaMoO4薄膜的电化学成膜机制,寻求适宜的制备工艺条件,采用恒电流沉积技术直接在高纯金属钼片上制备了白钨矿结构的BaMoO4薄膜.借助XRD、SEM、XPS等分析技术研究了温度和电流密度等工艺条件对制备的BaMoO4薄膜的影响.结果表明,制备的BaMoO4薄膜为四方单相结构,室温、相对较低的电流密度条件下制备的BaMoO4薄膜表面更均匀、致密.适宜的电化学制备BaMoO4薄膜的工艺条件为:室温,电流密度为0.3 mA/cm2,溶液pH值为13,反应时间为1 h.     

不锈钢表面导电聚苯胺薄膜的耐腐蚀性能

导电聚苯胺性能优异,应用前景广阔.采用原位聚合法在不锈钢表面制备了绿色导电聚苯胺(Pan)薄膜,研究了苯胺(An)与硫酸的物质的量浓度比、苯胺(An)与过硫酸铵(APS)的物质的量浓度比以及反应温度对合成的影响.用点滴试验、阳极极化曲线评价了聚苯胺薄膜的耐腐蚀性能.通过正交试验确定了本试验条件下的最优工艺条件为:c(An):c(H2SO4)=1:3,c(An):c(APS)=1:1,反应温度为18℃;通过阳极极化曲线测试发现,在最优工艺条件下制备的覆盖了聚苯胺薄膜的不锈钢试片在3.5%NaCl溶液中点腐蚀电位正移了1 000 mV左右.说明该聚苯胺薄膜具有较好的耐腐蚀性能.