电子束蒸镀半导体光电器件的增透膜

用自动电子束蒸发设备，蒸镀用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二极管的增透膜。结果表明，对波长为０．８μｍ左右的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二极管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３介质膜后，其输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入，可增加２５－３５％，最大可增加－５０％。对１．３μｍ波长的ＩｎＰ系列红餐发光管，用ＺｒＯ２作介质增透膜效果更好。     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

光阴极材料GaAs／AlGaAs的组分分析

为探索砷化我阴极的光电灵敏度的影响因素,利用Ｘ射线光电子能谱、二次离子擀谱和电化学方法测试和分析了国内和国外ＧａＡｓ光阴极材料ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ的Ｃ,Ｏ含量的空穴深度分布。实验发现,国内的材料在ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 面及ＡｌＧａＡｓ层的Ｏ含量分别为７．６％和１０．６％,Ｃ深度分别为５．２×１０＾１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３和１．０×１０＾１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３,而国外的材料的Ｏ含量相应为１．０     

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ是制作光电器件与微波器件的重要材料。离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题。采用Ｆｅ＾＋注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ得到了电阻率升高的好结果。用Ｂｅ＾＋注入制作了新结构ＨＰＴ的基区。研制成功了在１．５５μｍ波长工作的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ新结构光电晶体管,在０．３μＷ入射光条件下,光电增益为３５０。     

GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长出了ＧａＮ单昌外延膜。ＧａＮ生长速率可达０．５μｍ／ｈ。ＧａＮ外延膜的（０００２）双晶Ｘ射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为８ａｒｃｍｉｎ。霍尔迁移率为５０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ。对质量好的ＧａＮ膜，室温阴性发光谱上只有一个强而锐的近岸边发光峰，谱峰位于３７２ｎｍ处，谱峰半高宽为１４ｎｍ（１２５ｍｅＶ）。     

大功率AlGaAs—GaAs激光器干涉镜和减反射膜的制备

分别用磁控溅射和电子束蒸发技术，在大功率ＡｌＧａＡ３－ＧａＡ３激光器条端面上，制作了ＳｉＯ２／Ｓｉ干涉镜和Ａｌ２Ｏ３减反射膜。讨论了Ｓｉ靶反应磁控溅射下，氧化硅层的沉积速率和影响镀层质量的因素。     

用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延方法研制出了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ庆变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到１２０Ａ／ｃｍ＾２，激光波长在９８０ｎｍ左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的９８０ｎｍ量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为１５ｍＡ，外微分量子效率的典型值和最好值分别为０．８ｍＷ／ｍＡ和１．０ｍＷ／ｍＡ，线性输出功率大于１２０ｍＷ，在２０℃－５０℃的特征温度Ｔ０为１２５Ｋ。器件     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

团聚型Al2_O_3·TiC系列球形复合粉末的研究

对已研制成功的Ａｌ２Ｏ３·ＴｉＯ２系列团聚型空心球状复合粉末（Ａｌ２Ｏ３＋３％ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３＋１３％ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３＋２０％ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３＋４５％ＴｉＯ２和ＴｉＯ２）进行了全面的分析和探讨。粉末的流动性均在７３～１２０ｓ／５０ｇ内，其松装密度在０．８０～１．１２ｇ／ｃｍ３内，８５％以上的粉粒为空心球状结构。用该系列粉末制备涂层，送粉速率波动小，沉积效率范围为６６％～８６％，可获得致密度高、结合性能好的系列耐磨抗蚀涂层产品。     

InAlAs／InGaAs MSM光电探测器

采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于３０Ｖ，在１０Ｖ偏压下暗电流小于２０ｎＡ，对应的暗电流密度为３ｐａ／μｍ＾２，优于已有文献的报导。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光

Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在５０ＫＶ加速电压下,其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２,曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍,分辨率为０．５μｍ。采用两种方法制备了ＧａＡｓＰＨＥＭＴ,首先,用Ｉ线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了０．５μｍ栅长的ＧａＡｓＰＨＥＭＴ。将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余     

超微细Al2O3增韧增强聚苯乙烯的研究

通过室温填充本体聚合制备了聚苯乙烯／Ａｌ２Ｏ３复合材料。并通过力学性能测试证明半径小于０．５μｍ的超微细Ａｌ２Ｏ３粒子能增韧增强聚苯乙烯，且基体层的临界增韧厚度为０．１μｍ，而大于５μｍ的Ａｌ２Ｏ３对聚苯乙烯无增韧增强作用。扫描电镜照片显示超微细Ａｌ２Ｏ３均匀地分散在聚苯烯中而未发生团集。ＤＳＣ分析结果说明，超微细Ａｌ２Ｏ３的加入提高了聚苯乙烯的耐热性，并且预示聚苯乙烯和超微细Ａｌ２Ｏ３有化学结合     

Al_2O_3颗粒粒径和含量对α-Al_2O_3/Cu复合镀层性能的影响

本文研究了复合电沉积法制备的α－Ａｌ２Ｏ３／Ｃｕ复合材料的性能和磨损特征，测定了Ａｌ２Ｏ３粒径在０．５～５μｍ，含量在４～１６％时Ａｌ２Ｏ３／Ｃｕ复合镀层的硬度和磨损率，用扫描电镜对磨损形貌进行了分析，并对其磨损机制进行了探讨。结果表明，镀层中硬度随Ａｌ２Ｏ３含量增加呈线性增长，且含大颗粒Ａｌ２Ｏ３镀层的硬度略高于小颗粒镀层，Ａｌ２Ｏ３颗粒含量和粒径大小对磨损率和磨损机制有显著影响。     

改性酚醛环氧—PTFE耐磨防蚀涂层

介绍了一种改性酚醛环氧－ＰＴＦＥ耐磨防蚀涂层。这种涂层Ｔｉｍｋｅｎ试验机上于３１２Ｎ，２．５ｍ／ｓａ下耐磨寿命可达１３５００ｍ／μｍ，摩擦系数为０．１６－０．２０；在スウスト试验机上３ＭＰａ、０．２ｍ／ｓ，干燥空气和相对湿度为５０％中耐磨寿命均大于２．５×１０＾５周。经５％ＮａＣｌ盐雾试验１００ｈ后，底材与涂层的粘结强度，抗冲击强度及     

p~＋－GaInAsSb／p－GaInAsSb／n－GaSb异质结红外控测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。     

共沉淀法制备Al_2O_3-YAG复相陶瓷及其显微结构研究

用共沉淀法制备了Ａｌ２Ｏ３－ＹＡＧ复合粉体,ＹＡＧ的结晶温度在１０００℃左右．共沉淀法 制备的Ａｌ２Ｏ３－ＹＡＧ复合粉体经１５５０℃热压烧结,获得致密烧结体,ＹＡＧ的加入量对烧结温度 的影响不大． Ａｌ２Ｏ３－５ｖｏｌ％ＹＡＧ复合材料的抗弯强度为６０４ＭＰａ,断裂韧性为５．０ＭＰａｍ１／２; Ａｌ２Ｏ３－２５ｖｏｌ％ＹＡＧ复合材料的抗弯强度为６１１ＭＰａ,断裂韧性为４５ＭＰａｍ１／２．所有这些数据 都高于单相Ａｌ２Ｏ３陶瓷的力学性能,说明ＹＡＧ的加入有利于Ａ１２Ｏ３陶瓷力学性能的提高． 通过显微结构观察发现：大的ＹＡＧ颗粒位于Ａｌ２Ｏ３晶界上,小的ＹＡＧ颗粒位于Ａｌ２Ｏ３晶粒 内．在 Ａｌ２Ｏ３－５ｖｏｌ％ＹＡＧ复合材料中,许多小的白色区域存在于 Ａｌ２Ｏ３晶粒内,这可能和较低 的Ｙ２Ｏ３含量有关．     

原位生长陶瓷相增强Al基复合材料的界面、微观结构及性能

本文对原位生长Ａｌ_４Ｃ_３与外加ＳｉＣ颗粒混杂增强Ａｌ（Ａｌ_４Ｃ_３·ＳｉＣ／Ａｌ）和原位生长Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＢ_２颗粒混杂增强Ａｌ（Ａｌ_２Ｏ_３·ＴｉＢ_２／Ａｌ）两种复合材料的界面、微观结构和性能进行了研究。原位生长陶瓷相在基体中呈均匀分布。Ａｌ_２Ｏ_３和ＴＩＢ_２为尺寸１０ｎｍ～２μｍ的颗粒，Ａｌ_４Ｃ_３为长度０．２μｍ，直径０．０２μｍ的棒状单晶体。原位陶瓷相和Ａｌ基体之间的界面是清洁的，不存在中间过渡层。Ａｌ_４Ｃ_３和Ａｌ之间可存在的取向关系．Ａｌ_２Ｏ_３和ＴｉＢ_２粒子与Ａｌ之间不存在取向关系。两种复合材料都表现出优于ＳｉＣ_ｗ／Ａｌ复合材料的强度。     

膨胀石墨CuCl2-NiCl2-层间化合物磁性研究

在膨胀石墨ＣｕＣｌ_２－ＮｉＣｌ_２－ＧＩＣｓ合成和电性研究基础上,采用ＭＯＤＥＬ１５５振动磁强计测量了ＧＩＣｓ在０～７．９５８×１０^５Ａ／ｍ磁场强度下的磁化强度、磁化率．发现ＣｕＣｌ_２－ＮｉＣｌ_２引入石墨层间,形成ＧＩＣｓ后磁性升高．与膨胀石墨相比,ＧＩＣｓ的磁化率大约提高了２～３个数量级．ＧＩＣｓ的磁性不但由石墨的抗磁性转变成为顺磁性,磁化曲线斜率由负变正,而且随着阶结构、 ＣｕＣｌ_２和 ＮｉＣｌ_２比例变化, ＧＩＣｓ磁性发生变化．氯化镍含量在 ５０％以下,表现为强烈的顺磁性;５０％时,磁化曲线出现最大值,表现为铁磁性．＞５０％,达到６０％、８０％时,铁磁性更明显．ＧＩＣｓ阶数升高,铁磁性降低．