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1 IntroductionInrecentyears ,therehasbeencon siderableinterestinthequaternaryGaInAsSballoysystemforphotodetectors ,whichhaveavarietyofcommercialapplica tionsinairpollution ,industrialprocesscontrol,automobileemissionmonitoring ,andfuturelightwavecommunicat… 相似文献
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CharacterizationofGaSbFilmsbyMetalorganicChemicalVapourDepositionLiShuwei,ZhangBaolin,JinYixin,ZhouTianming,(李树玮)(张宝林)(金亿鑫)(周... 相似文献
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用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径. 相似文献
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HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发.然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。 相似文献
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采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微镜观察样品的表面形貌.X射线衍射用于表征材料的组分和结晶质量.结果表明,生长温度强烈地影响In0.82Ga0.18As材料的表面形貌和结晶质量.样品的表面形貌随生长温度的增加由典型的2D生长模式过渡到3D生长模式.X射线衍射曲线半峰全宽为1224、1454、2221、2527 S,分别对应于生长温度为410、430、450、470℃四个样品.此外,Ⅲ族源铟镓比值也随生长温度的增加从0.42增大到4.62. 相似文献
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Growth of Ga_xIn_(1-x)Sb Alloys by MOCVD—Solid Composition Surface Morphology and Electrical Propert
GrowthOfGa_xIn_(1-x)SbAlloysbyMOCVD—SolidCompositionSurfaceMorphologyandElectricalPropertiesZhangBaofin,ZhouTianming,JiangHon... 相似文献
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GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱、红外吸收谱、X射线衍射和扫描电子超声显微镜(ScanningElectronAcousticMicroscopy,SEAM)等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。用GaInAsSb材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达2.4μm,室温探测率D*达1×109cmHz(1/2)/W,2.25μm波长时的量子效率为30%。本文首次给出了GaInAsSb外延层的扫描电子超声显微镜像(SEAM像),为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。 相似文献
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电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极。用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制。研究表明,这一激活过程可能的物理机制一方面是由于碳纳米管薄膜表面形貌发生了变化,增大了碳纳米管的场增强因子;另一方面是由于碳纳米管表面吸附的气体脱附,降低了碳纳米管的表面功函数。电场激活处理后,碳纳米管薄膜的开启电场为2.1 V/μm,应用电场为6 V/μm时,电流密度达到1.19mA/cm2。该图形化的碳纳米管场发射阴极可以应用到高分辨率场发射显示器。 相似文献