钨酸铅晶体的生长及其闪烁性的研究

采用提拉法生长出直径２０－２５ｍｍ,长２５－３０ｍｍ优质ＰｂＷＯ４及Ｌａ＾３＋、Ｍｇ＾２＋、Ｍｏ＾６＋和Ｂｉ＾３＋掺杂ＰｂＷＯ４晶体。测试了晶体的Ｘ射线衍谢谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对ＰｂＷＯ４晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。     

Ta：PbWO4晶体闪烁性能的研究

报道了在ＰｂＷＯ４晶体中掺进Ｔａ２Ｏ５生长Ｔａ：ＰｂＷＯ４晶体的研究结果。测定了核晶体的透过率、发光效率和抗辐照损伤能力，研究和探讨了Ｔａ：ＰｂＷＯ４晶体闪烁性能增强的机理。     

La:PbWO4晶体闪烁性能研究

在ＰｂＷＯ４晶体中掺进Ｌａ２Ｏ３生长Ｌａ：ＰｂＷＯ４晶体。测试Ｌａ：ＰｂＷＯ４晶休的透射光谱、激光发射光谱、发光效率、衰减时间和辐射硬度。Ｌａ：ＰｂＷＯ４晶体的透过率增大，峰位发生红移，发光效率增加一倍，较大幅度提高抗辐照损伤能力。     

掺镁PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究

用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了掺镁ＰｂＷＯ４晶体，测试了Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率和衰减时间。Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的秀经和发光效率高于ＰｂＷＯ４晶体。     

Y3+:PbWO4晶体低剂量辐照行为研究

三价稀土离子(Ｌａ^３＋、Ｌｕ^３＋和Ｙ^３＋等)掺杂显著地提高了钨酸铅晶体的辐照硬度,但是部分Ｙ^３＋掺杂钨酸铅晶体表现出特殊的低剂量辐照行为,即光产额辐照后升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感 本研究挑选了存在这一现象的Ｙ^３＋:ＰｂＷＯ_４晶体,测试不同温度的退火处理对晶体透过率、光产额和辐照硬度的关系,发现:辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端,而不是只集中在晶体顶端,并且和辐照前后晶体在４００~５００ｕｍ波段附近的透过率变化有关;生长态Ｙ^３＋:ＰＷＯ晶体中导致４３０ｕｍ吸收带的色心的稳定性很低,低剂量辐照对该色心有“漂白”作用,辐照剂量率加大则晶体表现出光产额的降低;分段晶体的系列退火实验解释了辐照硬度对退火温度较为敏感这一现象,为进一步深入研究提供了实验基础．     

闪烁晶体PbWO4的研究现状

综述新型闪烁晶体ＰｂＷＯ４的研究现状，着重评价其中的不同发光表现，透射光说和抗辐照损伤的个体差异，晶体结构和组分挥等，同时剖析了颇具代表性的几种绿光机的机制。     

大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究

报道了大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体的坩埚下降法生长工艺,讨论了影响晶体生长的主要 因素．探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施,成功地生长出无宏观缺陷的大尺 寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体,尺寸达５２ｍｉｎ×５２ｍｍ×２５０ｍｍ．同时,对实验样品沿晶体生长方向不同部 位的横向透过率及发射光谱进行了测试,结果表明,坩埚下降法生长的大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体 具有较好的光学均匀性．     

大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究

报道了大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体的坩埚下降法生长工艺，讨论了影响晶体生长的主要 因素．探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施，成功地生长出无宏观缺陷的大尺 寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体，尺寸达５２ｍｉｎ×５２ｍｍ×２５０ｍｍ．同时，对实验样品沿晶体生长方向不同部 位的横向透过率及发射光谱进行了测试，结果表明，坩埚下降法生长的大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ４晶体 具有较好的光学均匀性．     

钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体研究进展

钨酸铅（ＰｂＷＯ４）闪烁晶体是拟使用于西欧大型强子对撞机（ＬＨＣ）中精密电磁量能器量有希望的候选者，本文概要介绍了近年来国际上对于钨酸铅晶体的研究进展。包括它的闪烁性能、发光机制、辐照硬度和杂质效应等。本文最后列出了欧洲核子研究中心（ＣＥＲＮ）的ＣＣＣ组最近对７５根大尺寸ＰＷＯ晶体综合测试的统计结果。这有助于建立批量生产ＰＷＯ晶体的质量监控方法。     

新型闪烁晶体NaBi(WO4)2的研制及闪烁性能的研究

报道了新型闪烁晶体ＮａＢｉ（ＷＯ４）２的生长。测试了晶体的透过率，抗辐照损伤能力和发光效率，ＮａＢｉ（ＷＯ４）２晶体的衰减为３ｎｓ，是闪烁晶体中最短者之一。     

退火处理对PbWO4晶体闪烁性能的影响

本文报道了用改进的坩埚下降技术生长PbWO     

Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

Y³⁺离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na⁺、K⁺和Si⁴⁺等杂质在顶端的富集.本文研究了Si⁴⁺掺杂的Y³⁺:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si⁴⁺离子杂质对Y³⁺:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y³⁺:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si⁴⁺离子含量无关.     

钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究进展

钨酸铅(PWO)晶体由于自身特点:高密度(8.28g/cm~3)、短辐射长度(0.87cm)和Moliere半径(2.12cm)、快的闪烁衰减时间((?)<50ns)以及较强的抗辐照损伤能力,已经成为了最具发展潜力的闪烁晶体之一,作为一种良好的闪烁晶体,PWO晶体在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用。主要综述了PWO晶体的结构、发光机制、自身缺陷、晶体生长的研究现状,着重阐述了生长工艺改善和离子掺杂改性对钨酸铅晶体性能的影响,分析了PWO晶体的发展前景。     

熔体组成与PbWO4:Y3+晶体闪烁性能稳定性的关系

部分PWO：Y^3 晶体辐照后光产额升高，并且辐照硬度对退火温度较敏感。本文选取未掺杂及Sb、La^3 ,Y^3 单掺和La^3 /Sb,Y^3 /Sb双掺的PWO样品进行对照实验，同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析。结果发现；低剂量辐射后光产额升高现象只存在于含Y^3 离子的PWO晶体中，并且这类晶体往往存在420nm吸收带；在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期，使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象，即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体。结合测试数据，本文讨论了该现象的起因和机理，提出了掺杂剂的选择原则。     

熔体组成与PbWO4:Y3+晶体闪烁性能稳定性的关系

部分PWO:Y³⁺晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La³⁺、Y³⁺单掺和La³⁺/Sb、Y³⁺/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y³⁺离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则.     

Y3+:PbWO4晶体低剂量辐照行为研究

三价稀土离子（La^3 ,Lu^3 ,和Y^3 等）掺杂显著地提高了钨酸铅晶体的辐照硬度,但是部分Y^3 掺杂钨酸铅晶体表现出特殊的低剂量辐照行为,即光产额辐照后升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感,研究研究挑选了存在这一现象的Y^3 :PbWO4晶体,测试冰同温度的退火处理对晶体透过率,光产额和辐照硬度的关系,发现,辐照后光产额升高的现象同时存在于晶体的晶种端,而不是只集中在晶体顶端,并且和辐照前后晶体在400－500nm波段附近的透过率变化有关;生长态Y^3 :PbWO4晶体中导致430nm吸收带的色心的稳定性很低,低剂量辐照对该色心有“漂白”作用,辐照剂量率加大则晶体表现出光产额的降低,分段晶体的系列退火实验解释了辐照硬度对退火温度较为敏感这一现象,为进一步深入研究提供了实验基础。     

钨酸铅晶体生长及其组份挥发

本文首次报道了用坩埚下降技术生长钨酸铅（PWO）晶体;研究了提拉和坩埚下降两种技术生长PWO晶体的组份挥发,得到的结果是PbO的挥发速率高于WO₃,并对一组晶体不同部位的X射线发光性能作了研究．     

钨酸铅PbWO4闪烁晶体缺陷研究进展

本文介绍了近年来钨酸铅晶体缺陷研究方面的进展，这些结果表明了在钨酸铅晶体闪烁性能研究中考虑晶体缺陷影响的重要性。根据钨酸铅晶体的特点，就闪烁性能与非化学计量配比、晶体结构／多型性、杂质效应以及氧组份等因素的关系进行了简略的讨论。