电沉积ＲＥ—Ｎi—W—P—SiC—PTFE复合材料的耐磨性研究

采用多元复合电沉积技术，沉积含有弥散硬质及自润滑减摩组分ＰＴＦＥ的复合镀层，研究了热处理条件对ＲＥ－Ｎi-P-SiC-PTFE复合镀层的硬度及磨损损率的影响，确定４００℃，２h的热处理条件能使复合镀层具有最佳磨擦学特性，硬度最高，磨损率最低，试验发现，复合支中添另ＰＴＦＥ，会使镀层的硬度有所降低，但却能显著降低磨损率，大大提高镀层的耐磨性。     

Al—Fe—V—Si（Nd）合金纳米晶粉末的制备及相转变的研究

利用机械合金化方法制备Al-Fe-V-Si(Nd)合金粉末,球磨状态下得到合金粉末由铝固溶体组成,经适当的热处理后,得到α-A112(Fe,V)2Si粒子弥散分布的合金末,加入稀土后,合金粉末的组织得到细化,并出现非晶化的趋势。利用DNMA方法可以直接得到具有α－Al13(Fe,V)3Si粒子弥散分布的合金粉末,并观察到α－Al13(Fe,V)3Si 转变为准晶的现象,从而证实了准晶相与αAl13(Fe,V)3Si之间的强烈关联性。     

La—Ca—Mn—O巨磁电阻薄膜的电阻变化

研究了类钙钛矿结构Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯｘ巨磁电阻薄膜（生长在ＬａＡｌＯ３衬底）的电阻变化，观察到负巨磁电阻效应，讨论了优化制备工艺提高巨磁电阻效应和最大电阻温度，其效应可用于设计新电磁器件。同时讨论了巨磁电阻效应的机理，给出合理解释。     

电阻率可调的Si—Ti—C—O纤维的研制

以Ｔｉ（ＯＢｕ）４与低分子量聚硅烷为原料合成不同含钛量的聚钛碳硅烷,经熔融纺丝、空气不熔化及高温烧结等工艺,制备出了电阻率为１０６～１０３Ω·ｃｍ的Ｓｉ－Ｔｉ－Ｃ－Ｏ纤维。通过ＩＲ、ＧＰＣ、ＶＰＯ、ＸＰＳ等分析手段,系统地研究了钛含量对纤维的制备、结构及其电性能的影响     

水平荷载作用下桩—土—桩—结构共同工作研究

本文根据等效桩的概念提出了一个桩－土－结构共同工作的计算模型，由文克尔模型得到群桩效计算方法，并编制了桩－土－桩－结构共同工作的计算程序。     

激活温度对C—H,C—O和C—H—O体系低压金刚石生长条件的影响

激活温度和衬底温度是低压人造金刚石制备过程中的两个重要的温度参数，激活温度决定着制备过程中一些重要激活粒子如超平衡氢原子和超平衡氧原子等浓度，而衬底温度对能否 生长金刚石也有重要作用。采用合理的理论计算可以预测温度对金刚石生长条件的影响。本研究采用非平衡力学硝模型计算了Ｃ－Ｈ、Ｃ－Ｏ和Ｃ－Ｈ－Ｏ体系不同激活温度下的金刚石生长相图，研究了激活温度和衬底温度对金刚石生长区的影响规律。本研究结果将对金刚     

Cu—Al—Ni—Ti合金的微观组织及其富Ti相的确定

用透射电镜、电子探针、X射线衍射仪对Cu-Al-Ni-Ti合金的微细结构进行了研究,结果发现,合金的微观组织为Zig-Zag形态,并且在条状结构上存在更精细的亚结构。确定了富Ti相的结构。     

Ga—Al—As—Si系统中Si的两性掺杂行为的研究

对Si在电液相外延Ga-Al-As-Si系统中的两性掺杂行为进行了，提出了一种恒温生长Ga1-xAlxAs:Si p-n结的新方法，对这种p-n结的成因作了定性的解释，并对这种p-n结的电特性加以观察。     

Nd—Fe—B粘结磁体磁粉制备

本文所介绍的Nd-Fe-B粘结磁体磁粉的制备系采用铸态Nd-Fe-B合金高温氢气爆裂法。氢爆过程由氢化—加温—真空脱氢等步骤组成。加热温度为750～950℃。本方法制备的粘结磁体的内禀矫顽力H_(ci)≥800kA/m;各向同性的最大磁能积(BH)_(max)≥32kJ/m~3。     

Co—Fe—Si—B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

用旋转水中纺丝法制成几种不同直径的（Ｃｏ０．９４Ｆｅ０．０６）７２．５Ｓｉ１２．５Ｂ１５非晶丝,对丝进行张力退火后,测试了非晶丝热处理前后的磁阻抗性能。结果表明制成的非晶丝具有明显的巨磁阻抗效应,且巨磁阻抗效应随电流频率不同而表现出正磁阻抗和负磁阻抗两种规律。张力退火对正磁阻抗效应有明显改善,而且对直径小的试样,阻抗对轴向外磁场变化的灵敏度更高。实验得到的最大灵敏度为１２４％／Ｏｅ。     

P—Si上电沉积非晶Ni—W—P薄膜的耐蚀性研究

对Ｐ－Ｓｉ上电沉积Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜在３％ＮａＣｌ、０．５ｍｏｌ·ｄｍ＾－３Ｈ２ＳＯ４、１ｍｏｌ·ｄｍ＾－３ＨＣｌ介质中的阳极溶解行为进行了研究,ＸＰＳ分析了钝化膜中各元素的化学价态和存在形式。结果表明,非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜的耐蚀性远优于晶态Ｎｉ－Ｗ－Ｐ薄膜和非晶Ｎｉ－Ｐ薄膜;高Ｗ含量的非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜,有较强的耐蚀能力;在ＮａＣｌ介质中非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金形成了由Ｎｉ２Ｏ３、ＮｉＨ     

弱t—函数与Schweizer—klar公开问题

引入了弱ｔ－函数，给出了弱ｔ－函数普适于简单ＰＭ空间的一个充要条件，并证明了不存在普适于简单ＰＭ空间的最强ｔ－函数，在更广泛的ＰＭ空间上回答了Ｓｃｈｗｅｉｚｅｒ－Ｓｋｌａｒ公开问题。     

铝—锌—汞牺牲阳极的活化机理

铝—锌—汞阳极的腐蚀形成局部裂纹,该种状态的腐蚀与汞的分布无关,在所形成的裂纹内汞的分布是均匀的。汞分布在固溶体及铝、铁汞的化合物中间。含汞量高的金属间化合物不参与反应。故认为,腐蚀局部发生在裂纹处是由于下述自催化的活化机理。即,钢结构与阳极在海水中形成了电偶,在其电偶的作用下发生了在固溶体中的铝和汞的溶解。由于金属受到氧化层的保护,腐蚀将局部发生在薄弱点处并形成蚀坑。按照3Hg2~(2+)+Al→Al~(3+)+6Hg的反应。前一阶段中溶解在腐蚀介质内的Hg2~(+2)离子重新沉积在阳极上。通过能谱分析在具有活性的裂纹内测出了金属汞。金属汞在铝上的这种沉积,产生局部剥离氧化层的附属作用,这就使铝接近于它的理论电位(-1900mv饱和甘汞电极)。腐蚀将局限于这些阳极性较强的区域,并在蚀坑内释放出另外的Hg2~(+2)离子,使反应一直持续下去。在裸露金属上快速覆盖了新的氧化层,而应该连续不断地除掉氧化层以保持阳极的活性。置换反应所产生的金属汞在金属表面上形成微小的珠滴,经过短时活化后重新形成的氧化层将汞与金属隔开。到了一定时刻,只要有少量的极小的活化点(-1575mv饱和甘汞电极)就足以将铝的工作电位从-710mv降下-1050mv。     

从MPEG—1到MPEG—7

ＭＰＥＧ是ＭｏｖｉｎｇＰｉｃｔｕｒｅＥｘｐｅｒｔｓＧｒｏｕｐ的字头编写,字面意思是活动图像专家组,本是图像和音频压缩编码技术的国际标准化委员会的名称,是国际标准化组织ＩＳＯ和国际电工委员会ＩＥＣ的下级机构,正式全名为ＩＳＯ／ＩＥＣＪＴＣ／ＳＣ２９／ＷＧ１１。不过现在已演变成图像和音频压缩技术的标准的代名词。ＭＰＥＧ标准简况已经生成的ＭＰＥＧ标准有ＭＰＥＧ－１和ＭＰＥＧ－２两个。现在正在进行ＭＰＥＧ－４和ＭＰＥＧ－７的标准化工作,曾经存在过的ＭＰＥＧ－３被吸收到ＭＰＥＧ－２标准之中,而ＭＰＥＧ－５…     

从DF—1ETM到DF—200

记得笔者的第一台相机是DF－1ETM。因有机内侧光，在当时的国产相机中已经算得上是很先进的了。可为那不通用的测光连接钮、不知费尽了多少心机，当时价钱是650元，可对于月工资只有八十多元的笔者，已经是天文数字了。把它挂在脖子上时心里美极了，亲朋好友更是“记者”声连天。可在发烧友的眼中，就特立了，人家口里吐出来的都是什么全自动，TTL测光呀。更有些报刊上的专家断言，电子相机将代替机械相机。所有这些，无不令人沮丧。前段时间，DF－200上市，笔者禁不住其多重曝光和反光镜预先升起的诱惑，相机家庭中又多一员。从DF－20…