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非均相沉淀法制备Al2O3-YAG复相陶瓷 总被引:1,自引:0,他引:1
本文测量了YAG粉体的ξ电位,通过调节pH值获得均匀分散的YAG水悬浮液.采用非均相沉淀方法获得YAG分布均匀的Al2O3-YAG复合粉体.通过热压烧结得到致密烧结体,YAG的加入对烧结温度的影响不大.Al2O3-5vol%YAG复相陶瓷的抗弯强度为485MPa,断裂韧性为4.2MPa·m1/2,均高于单相Al2O3陶瓷,数据的重复性好于球磨混合所制备的样品.通过TEM观察,YAG颗粒均匀分布于整个样品中,表明通过非均相沉淀制粉可以获得YAG颗粒分布均匀的Al2O3-YAG复相陶瓷. 相似文献
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聚乙烯醇(PVA)能够避免溶胶-凝胶法制备的Al2O3膜在干燥阶段产生微裂纹,同时也对Al2O3膜的微观结构产生影响.利用XRD、DTA、TGA、FT-IR及N2吸附等手段研究掺杂PVA对Al2O3膜的物相组成、热稳定性以及比表面积、孔径分布、孔表面分形性等微观结构的影响.研究表明,经过400℃煅烧PVA完全排除.与纯Al2O3膜相比,添加PVA的Al2O3膜吸附量较大,比表面积有所增大,但并不随着PVA含量的增多而增加.PVA有利于 Al2O3膜孔径的调整,使孔径分布更狭窄,孔体积也有较大程度的增加.随着 PVA的加入,Al2O3膜的孔表面分形维数降低. 相似文献
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二氧化钒薄膜在α-Al2O3衬底上的外延生长及其金属-半导体相变特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用XRD及XRD极图技术表征了用激光剥离技术生长的VO2薄膜.结果表明:在衬底温度为500℃,氧气偏压6.67Pa的条件下,在Al2O3(1120)衬底上能实现VO2的二维外延生长.薄膜的结构除了与沉积工艺有关外,还和衬底的取向密切相关.在Al2O3(1120)衬底上,定向生长的(100)VO2在Millar指数<5时,除了[010]以外,不存在其他晶格矢量与衬底相匹配,从而不可能实现三维单晶薄膜的外延生长.电学特性的测试结果显示,在温度为65℃左右,VO2薄膜出现相交,薄膜的电阻率变化达4个数量级. 相似文献
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共沉淀法制备钛酸钡微粉的研究 总被引:32,自引:0,他引:32
对以TiCl4和BaCl2为原料,以NH4HCO3+NH3·H2O作沉淀剂,制备钛酸钡粉末的过程进行了详细的热力学分析,找出了合成钛酸钡的条件和范围,详细地讨论了反应方式和前躯体洗涤条件.实验研究了反应物钡钛比,终点pH值,煅烧温度,以及分散剂对产物理化性能的影响.结果表明:在NH4HCO3/BaCl2=1.2,TiCl4/BaCl2=1-1.01,充分搅拌反应1h,煅烧温度920℃,煅烧时间2h条件下,可以制得较理想的产物.在反应体系中加入适量分散剂可以明显降低产物的粒径. 相似文献
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以正钛酸为原料制备纳米TiO2光催化剂 总被引:1,自引:0,他引:1
以正钛酸为原料,通过直接水解法制备纳米TiO2;并对样品分别进行了差热分析、X射线衍射分析和透射电子显微镜分析.结果表明,样品粒子为混晶型纳米TiO2,单分散性良好,粒径分布范围狭窄.当它应用于阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠的光催化降解时,与P-25光催化剂相比,具有较好的催化活性.同时,我们用Al2O3陶瓷膜回收纳米TiO2循环再利用;这为纳米TiO2在环保方面的大规模应用创造了条件. 相似文献
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纳米级LiMn2O4尖晶石合成及电化学性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以Li2CO3和Mn(NO3)2为原料,以聚丙烯酰胺为高分子网络剂制得前驱体后,用微波加热技术合成了纳米晶尖晶石LiMn2O4粉体,通过循环伏安及充放电技术对其进行电化学性能测试表明,该材料的电化学比容量为 120mAh/g;循环 50次后衰减率为 4.7%;通过 SEM及XRD分析其微观形貌表明,该材料不仅相纯度高,而且颗粒粒度近于纳米级,有利于Li+的嵌入/脱嵌.本文所提供的微波一高分子网络技术不仅为合成具有优良性能的锂锰尖晶石氧化物材料提供了一个新方法,而且为合成其他类型高性能氧化物陶瓷材料提供了一条新思路. 相似文献
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由SiO2/3Y-TZP包裹复合粉体制备ZrSiO4/3Y-TZP细晶陶瓷 总被引:1,自引:0,他引:1
对湿化学法制备的SiO2/3Y-TZP包裹复合粉体进行了热压烧结研究,并利用X射线衍射和透射电镜表征了烧结体的物相和显微结构.在低于1300℃,复合粉体发生瞬时粘性烧结,材料密度迅速提高;随着烧结温度的升高,SIO2和ZrO2发生反应生成ZrSiO4.在1500℃热压条件下,制备了平均晶粒尺寸为350nm的ZrSiO4/3Y-TZP细晶复相材料.我们认为,在烧结过程中形成的第二相ZrSiO4,特别是SiO2包裹层对抑制基体晶粒长大起主要作用. 相似文献