共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
粉末冶金法制备SiC晶须增强MB15镁基复合材料 总被引:6,自引:0,他引:6
采用粉末冶金法制备了SiC晶须增强镁基复合材料(SiCW/MB15)试样。通过检测基体显微硬度探讨了SiCW对镁合金时效规律的影响,并借助扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和拉伸试验,研究了混粉方式对复合材料室温力学性能、SiCW分布及显微结构的影响。结果表明,MB15及其复合材料的时效硬化曲线上均存在双峰现象;SiCW的加入既提高了MB5的硬度,又加快了其时效速度:混粉方式对晶须分布及SiCW/MB15复合材料的室温力学性能影响很大。 相似文献
3.
4.
热挤压对SiCw/MB15镁基复合材料组织和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用SEM,TEM,X射线衍射仪等方法,研究了挤压对SiCw/MB15镁基复合材料组织和性能的影响。结果表明:热挤压后复合材料组织更加均匀,SiC晶须长轴与挤压方向平行,晶须的增强作用得到了充分的发挥,显著提高了SiCw/MB15镁基复合材料的力学性能。 相似文献
5.
钛合金颗粒增强镁基复合材料的制备与性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用粉末冶金法制备了20%Ti-6Al-4V颗粒增强MB15镁基复合材料的试样。按照阿基米得法检测了不同状态试样的密度,借助光镜和扫描电镜探索了挤压棒变形和组织的特点,并结合室温拉伸试验研究了热挤压变形对试样组织及力学性能的影响规律。结果表明:烧结态的密度较低,而热挤后的密度已接近理论值:挤压棒的变形和组织都不均匀:二次挤压可以进一步细化晶粒、提高复合材料的力学性能;Ti-6Al-4V颗粒可以用来强化镁合金,且其增强效果明显好于SiC陶瓷颗粒。 相似文献
6.
以微米ZrC颗粒、SiC晶须为原料(SiC晶须体积含量分别为5%,10%,15%,20%),采用热压烧结工艺制备SiC晶须增韧ZrC基超高温陶瓷,研究了SiC晶须含量对ZrC基超高温陶瓷力学性能与组织的影响。结果表明:随着SiC晶须含量的增加,材料的致密度、抗弯强度和断裂韧性逐渐提高;当SiC晶须体积含量为20%时,致密度、抗弯强度和断裂韧性同时达到最大值,分别为99.24%,626.17MPa,5.03MPa·m1/2。SEM表明,试样微观组织均匀,强韧化机制主要是细晶强化和晶须拔出。 相似文献
7.
(SiCW+B4Cp)/MB15 Mg基复合材料的微观结构 总被引:3,自引:0,他引:3
利用高分辨电镜研究了(SiCw+B4Cp)/MB15 Mg合金基复合材料的微观结构.SiC晶须的表面附着呈截角八面体形状的MgO纳米颗粒.此外,MgB2和MgO共生在SiC晶须的表面,三者之间存在固定的晶体学取向关系[110]SiC∥[110]MgO∥[1120]MgB2和(111SiC∥(111MgO∥(0001MgB2.MgB2相呈六角盘状几何外形,在Mg合金中其界面能的各向异性显著.此外,还发现了SiC和Mg存在的一种晶体学取向关系[111]siC∥[0001]Mg和(202)siC∥(1120)Mg.研究结果表明,在Mg合金复合材料中,SiC比B4C更加稳定. 相似文献
8.
纳米SiC颗粒增强AM60镁合金组织性能的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对纳米SiC颗粒的预处理,使用搅熔复合铸造工艺,制备了纳米SiC颗粒增强AM60铸造镁合金材料.研究了纳米SiC颗粒对镁合金的显微组织、力学性能和硬度等的影响.结果表明,在镁合金中添加纳米SiC颗粒能够细化其组织,提高材料的综合力学性能.当纳米SiC颗粒加入量(体积分数)为1.0%时,纳米颗粒增强AM60镁合金的抗拉强度、伸长率和硬度(HB)分别达到240 MPa、16.0%和53.9,较相同工艺下未加纳米颗粒的AM60分别提高了12.1%、40.3%和11.6%.同时对纳米SiC颗粒对镁合金的强化机理进行了探讨. 相似文献
9.
前言众所周知,Mg-Zn-Zr系变形镁合金是国内外镁合金中室温强度较高、综合性能好、应用范围广的结构合金,其中以MB15为代表。用稀土元素对Mg-Zn-Zr系合金进行附加合金化,可进一步提高合金的室温抗拉强度、屈服强度和高温瞬时强度。以MB15为例,分别添加钕(以下简称含钕合金)和钇(以下简称含钇合金),可使原MB15合金强度提高20—50兆帕,而耐蚀性能、工艺性能、焊接性能基本上不变。本文通过一系列试验,并与MB15对 相似文献
10.
使用AEM和HREM研究了添加纳米SiC颗粒和同时添加纳米SiC颗粒及SiC晶须的两种Si3N4 复合陶瓷材料的微观组织和断裂机制。结果表明 ,部分SiC颗粒分布在Si3N4 晶内 ,SiC晶须分布在Si3N4 晶粒之间 ,SiC颗粒和晶须与Si3N4 界面之间不存在第二相组织 ,非晶组织大多分布在Si3N4 三叉晶界。断裂裂纹主要沿晶界和相界面扩展 ,也可能穿过少数Si3N4 晶粒。当裂纹扩展遇到SiC颗粒和 /或SiC晶须时 ,会发生转弯 ,产生分枝裂纹或微裂纹并在Si3N4 晶内和Si3N4 晶粒的断裂表面引起晶格畸变 ,这降低了裂纹扩展能量 ,从而改善复合陶瓷材料的断裂强度和断裂韧性 相似文献