微量Mg对高压电子铝箔腐蚀结构的影响

采用立方织构定量检测以及扫描电子显微镜下观察腐蚀结构等手段, 对比了不同微量Mg元素含量的高压电解电容器阳极铝箔在织构和腐蚀结构上的差别, 研究了Mg含量对高压电解电容器阳极铝箔比电容的影响. 分析表明 Mg含量从0.0001%提高到0.0014%时, Mg会更多富集于铝箔表面, 促使腐蚀形成的氧化膜中出现含Mg的复合氧化物微小颗粒, 进而引起腐蚀隧道的侧向发展; 频繁的侧向发展可导致表层腐蚀组织剥落, 进而使铝箔在500 V的比电容从7.3×10-3 F/m2降低到4.3×10-3 F/m2.     

Fe杂质对高纯铝箔再结晶织构及比电容的影响

对不同杂质含量的高纯铝锭按特定生产工艺得到高压阳极软态光箔和腐蚀箔。采用Ｘ射线衍射法测得板面晶面衍射强度,蚀坑法显示晶粒取向形貌,采用极图、取向分布函数（ＯＤＦ）研究晶粒取向及其分布情况。研究了铝箔再结晶织构随Ｆｅ等杂质含量的变化,分析了Ｆｅ杂质元素对铝箔再结晶行为的影响。借助扫描电镜观察箔材腐蚀坑形貌,并分析沿不均匀的亮区、暗区成分的分布。研究结果表明：铝箔的再结晶织构主要由立方织构｛１００｝〈００１〉及Ｒ织构｛１２４｝〈２１１〉构成,两者的相对强弱随Ｆｅ等杂质含量有规律地变化。铝箔的比电容随立方织构的增加而增加。铝箔的再结晶行为及腐蚀性能受Ｆｅ等杂质含量与分布的控制。这些研究结果为探索高压阳极电容铝箔的最佳Ｆｅ等杂质含量范围、制定最佳生产工艺,获得高比例的立方织构（＞８８％）和高比电容（＞１．０μＦ／ｃｍ２,３７５Ｖ）提供了理论依据和实验资料     

强立方织构超薄型高压阳极铝箔的研制及检测

采用增加冷轧道次、提高中间退火温度等手段改进了传统高压阳极铝箔的生产工艺,以制备超薄型高压阳极铝箔。并用三维取向分布函数织构定量检测和扫描电子显微镜观察、研究了超薄型高压阳极铝箔的立方织构及其对腐蚀比电容的影响。结果表明,增加冷轧道次有利于铝箔的均匀变形并促进立方织构的生成,较高的中间退火温度可以促使最终退火过程中立方取向晶粒的形核,最终获得很强的立方织构。     

微量Sn对高压阳极铝箔再结晶织构的影响

采用织构定量检测、背散射电子衍射技术(EBSD)微取向分析等手段研究了微量Sn对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响.结果表明,铝箔的再结晶织构主要由立方织构及R织构构成,两者的相对强弱随Sn含量有规律地变化,当Sn含量从0.0001 wt%提高到0.001wt%时,在520℃×2 h退火条件下铝箔立方织构含量可达到95%以上,而R织构比例较小.Sn含量过高时,经520℃长时间加热有可能诱发晶粒异常长大,降低立方织构含量.因此,Sn作为环保型代替铅的微量元素可以确保高压阳极铝箔96%以上的立方织构占有率.     

微量Mn与高压电解电容器用阳极铝箔的点蚀行为关系（英文）

研究了微量锰元素添加对高压电解电容器阳极用铝箔的点蚀行为以及腐蚀箔性质的影响。使用二次离子质谱仪分析了轧制及退火铝箔中锰的元素分布。结果表明,锰在铝箔中的深度分布随着锰含量的增加而变化,但退火后铝箔中形成的立方织构的体积分数保持稳定。随锰含量增加,锰在退火铝箔表面的偏聚趋势增强。在相同的加电腐蚀条件下,腐蚀后锰含量高的铝箔表面具有更高密度的方形点蚀孔,并且并孔更少,点蚀孔分布更加均匀。在所研究的范围内(2.3~14.7μg/g),在520 V形成的腐蚀箔的比电容随锰含量的增加而提高。     

Relationship between Trace Mn and the Pitting Behavior of Aluminum Foil Used for High Voltage Electrolytic Capacitors

研究了微量锰元素添加对高压电解电容器阳极用铝箔的点蚀行为以及腐蚀箔性质的影响。使用二次离子质谱仪分析了轧制及退火铝箔中锰的元素分布。结果表明,锰在铝箔中的深度分布随着锰含量的增加而变化,但退火后铝箔中形成的立方织构的体积分数保持稳定。随锰含量增加,锰在退火铝箔表面的偏聚趋势增强。在相同的加电腐蚀条件下,腐蚀后锰含量高的铝箔表面具有更高密度的方形点蚀孔,并且并孔更少,点蚀孔分布更加均匀。在所研究的范围内(2.3~14.7μg/g),在520 V形成的腐蚀箔的比电容随锰含量的增加而提高。     

退火对高压电解电容器铝箔微量元素分布和腐蚀性能的影响

观察了经300℃和500℃附加退火并经电化学腐蚀的高压电解电容器用成品铝箔的表面结构。利用二次离子质谱仪检测了铝箔表面区Fe、Si、Cu、Mg、Mn、Zn等微量元素的分布。结果显示，Mg在铝箔外表面的富集多于Fe、Si、Zn元素，而Cu、Mn在表面富集则很少。在铝箔始终保持95％以上立方织构占有率的前提下，500℃附加退火会造成更多微量元素富集于铝箔表面，且较均匀地分布在其上，从而导致了均匀的腐蚀结构和更高的比电容。     

同步异步轧制对高压阳极铝箔织构的影响

简述同步和异步轧制工艺的特点,对比了不同轧制工艺对高压阳极铝箔冷变形及再结晶织构的影响.结果表明,同步、异步轧制铝箔退火后都可得到高的立方织构含量,但后者的压力小,生产成本低,采用异步轧制生产高压阳极铝箔,可以调整传统的高压阳极铝箔生产工艺,降低生产成本.     

赋能腐蚀铝箔

综述了电解电容器的结构。简介了原箔的腐蚀和赋能特性。电解电容器的比容主要由阳极箔的比容决定的，提高总比容的重点在阳极箔。高压阳极箔比容与原箔组织结构有明显依赖关系，提高原箔立方织构含量是获得高比容的基本条件，立方织构含量大体上由化学成分和加工工艺决定，应达到９０％左右。     

异步轧制速比对高纯铝箔织构转变的影响

采用不同速比对高纯铝板进行异步冷轧,并将冷轧样品进行不同温度和时间的再结晶退火,研究异步轧制速比对高纯铝箔织构转变的影响。结果表明:高速比的异步轧制在样品中产生较强的旋转立方织构和{102}〈uvw〉织构,异步轧制退火后的高纯铝箔样品具有很强的立方织构{001}〈100〉。立方织构的体积分数与速比和温度有关:当速比为1.06时,温度升至300℃开始出现立方织构;当速比为1.17时,温度升到200℃就出现立方织构。立方织构组分的形成存在一个阈值温度,此温度与异步轧制的速比成反比,随着速比的增加,阈值温度逐渐降低,这与异步轧制提高高纯铝箔的形变储能有关。异步轧制有利于在低温时形成较强的立方{001}〈100〉织构。     

高压开关用高强度铝制件的快速开发技术

介绍了一项高压开关用高强度铝制件的新产品快速开发技术。该项技术运用了产品并行开发、LOM快速成形、CAPP、计算机模拟仿真等多种先进技术,并注重过程质量控制,减少了新产品开发过程中的许多耗时环节,降低了产品开发费用,使高压开关用高强度铝制件的新产品开发周期由原来的4个月~6个月降至1个月以内,在多品种、小批量铝制件的新产品开发领域具有推广价值。     

Evolution of recrystallization textures in high voltage aluminum capacitor foils

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｈｅｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｏｆｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃｃａｐａｃｉｔｏｒｓｄｅｐｅｎｄｓｏｎｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅｓｕｒｆａｃｅｏｆａｌｕｍｉｎｕｍｆｏｉｌｓｆｒｏｍｗｈｉｃｈｔｈｅｙａｒｅｍａｄｅ[1] .Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅｓｕｒｆａｃｅｃａｎｂｅｇｒｅａｔｌｙｉｎｃｒｅａｓｅｄｂｙｕｐｔｏｔｗｏｏｒｄｅｒｓｏｆｍａｇｎｉｔｕｄｅｔｈｒｏｕｇｈａｎｅｔｃｈｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｔｈａｔｆｏｒｍｓｎａｒｒｏｗｃｈａｎｎｅｌｓａｌｏｎｇｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐ…     

高频电源交流调压部分的故障分析

本文讲述了高频电源交流调压部分常见的故障,进行了详细地分析,并阐述排除故障的基本方法和技巧。     

缓蚀剂对高压铝箔电蚀特征的影响

利用扫描电镜分析了盐酸+硫酸混合酸电解液中添加适量缓蚀剂聚乙二醇或聚丙烯酸对高压铝箔电解腐蚀后表面形貌与横截面形貌的影响,利用LCR仪与电子天平测试了铝箔比电容与质量失重率。结果表明:缓蚀剂可以改善电解腐蚀后铝箔表面隧道孔孔径的分布,使隧道孔由圆锥状转变为圆柱状,降低隧道孔的并孔团簇现象,这有利于提高铝箔电解腐蚀扩面后的实际表面积;同时铝箔的实际质量失重率明显降低,铝箔的比电容显著增加。     

电压型大功率晶闸管全桥逆变电路的研究

提出了一种由斩波电路与全桥逆变电路构成的电压型大功率晶闸管全桥逆变主电路,试验研究表明：采用这种主电路能够实现基本的逆变功能;并在低频范围内可实现PWM控制,最后,讨论了某些改进措施。     

电子束焊高压放电的工艺控制措施

文中从电子枪的结构和工作原理入手,针对电子束焊接时金属蒸汽的影响方式,分析了高压放电产生的初步原因,并在不对设备进行改造的前提下提出高压放电的工艺防止措施,通过采取这些措施,较好地控制了电子束焊易挥发材料时的高压放电现象。     

高压断路器在线测试与动力特性分析

采用DASP2000智能信号采集和处理系统对LW 36-126型SF6高压断路器进行在线测试,利用小波变换方法对所测信号进行有效地除噪和重构,获得系统瞬态时频域动力学响应和特征量的特征指纹,揭示了分、合闸过程中系统的振动与冲击变化特性,为准确监测高压断路器的工作状态、设备维护和动力学设计提供了重要的参数。     

高压静电技术净化油液原理的研究

在精密液压系统中，净化油液所使用的传统机械式过滤器或过滤技术，经实践证明已不能有效地过滤和净化被污染的油液。在过滤与净化被污染的油液时，静电净油作为一种新技术正在起着重要的作用。在静电技术中如何使污染颗粒带电与吸附是一个关键的问题。本文对此问题进行了详细的理论研究与实验分析。并得出了许多有意义的结论。